公开(公告)号：CN118425559B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410888184.3

申请日：2024-07-04

Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司

Inventor： 李诺伦 ,  庄瑞芬 ,  李刚 ,  朱启发

IPC: G01P15/125 ,  G01P1/00

Abstract: 本申请的实施例公开了一种加速度传感器结构及其制造方法、加速度传感器，其中加速度传感器结构包括：衬底层；结构层，其设置在衬底层的一侧，结构层包括支撑框架部和活动质量块，所示支撑框架部与活动质量块相分离；支撑结构，其支撑连接支撑框架部和衬底层，支撑框架部包括依次层叠的支撑牺牲部、支撑保护部和支撑绝缘部；在衬底层的厚度方向上，支撑绝缘部以及支撑保护部的正投影均与活动质量块的正投影相交叠。根据本申请，其在支撑结构中增加了支撑保护部，以扩大导电层对支撑绝缘部的保护面积，减少了绝缘层在释放工艺中被释放的面积，进而避免了用以支撑连接电极的绝缘层被过渡刻蚀而影响电极的固定效果，提高产品的稳定性。

公开(公告)号：CN117490671B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311828569.2

申请日：2023-12-28

Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司

Inventor： 庄瑞芬 ,  李诺伦

IPC: G01C19/5691

Abstract: 本发明公开了一种微机电三轴陀螺仪与电子设备，微机电三轴陀螺仪包括：衬底；驱动组件，其包括间隔设置且振动方向相反的第一驱动框架和第二驱动框架；连接于第一驱动框架和第二驱动框架之间的第一检测组件和第二检测组件；第三检测组件，其包括对称地设置在驱动组件的外周的第一检测部和第二检测部；第一检测部和第二检测部分别与第一驱动框架和第二驱动框架连接；连接组件，连接组件分别与第一检测部和第二检测部连接。本发明使第一检测部和第二检测部具有相同的振动频率，提高检测精度。

公开(公告)号：CN117509529A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311828595.5

申请日：2023-12-28

Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司

Inventor： 李诺伦 ,  庄瑞芬 ,  毛应林 ,  朱启发

IPC: B81B5/00 ,  B81B7/02 ,  G01P15/125

Abstract: 本发明的实施例公开了一种惯性传感器结构与惯性传感器，其中惯性传感器结构包括：衬底；器件结构，其设置在衬底的一侧，器件结构包括第一可动质量块、第二可动质量块；第一可动质量块和第二可动质量块关于一中心点180°旋转对称；一对限位梁，第一可动质量块和第二可动质量块的几何中心确定第一直线，一对限位梁分别设置在第一可动质量块和第二可动质量块关于第一直线的两侧，限位梁对子梁分别与一可动质量块中质量较大的质量单元以及另一可动质量块中质量较小的质量单元连接。根据本发明，限位梁使两个可动质量块翻转运动同频，并对可动质量块起到限位作用以避免器件结构与其它结构粘连失效，提高产品的精确性和可靠性。

公开(公告)号：CN114994363B

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210853100.3

申请日：2022-07-20

Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司

Inventor： 张沛 ,  庄瑞芬 ,  李诺伦

IPC: G01P15/125 ,  G01P15/08 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明公开了一种MEMS惯性传感结构及其制作方法。本发明在感测质量块的两侧分别设置第一检测电极层和第二检测电极层，从而当可动质量块发生位移时，位于所述固定轴同一侧的所述第一检测电极层和所述第二检测电极层分别与所述感测质量块之间形成的电容容值的变化量的绝对值相同或位于所述固定轴不同侧的所述第一检测电极层和所述第二检测电极层分别与所述感测质量块形成的电容容值的变化量相同。另一方面，与所述第二检测电极层同层设置有对称的止挡结构，以保证感测质量块在运动过程中不会超过MEMS惯性传感结构的量程范围，并且止挡结构上具有多级止挡的凸起部，随着感测质量块的运动幅度增大，提供更大的反向力。

公开(公告)号：CN114455537B

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210363137.8

申请日：2022-04-08

Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司

Inventor： 庄瑞芬

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了MEMS器件及其制备方法，属于传感器技术领域，包括：支撑结构、位于支撑结构上的器件结构和位于器件结构上的盖顶结构；支撑结构、器件结构和盖顶结构形成一体式结构；一体式结构中包括至少两个腔体；至少一个腔体包括气孔，腔体通过气孔与外界连通；气孔包括相互连通的第一开孔和第二开孔，第一开孔的孔径等于或者大于第二开孔的孔径，本发明通过至少两个开孔实现了不同真空度腔体。本发明MEMS器件的制备方法，一个腔体真空度为初始真空度；另一个腔体的真空度为将该腔体开孔后，再进行重密封开孔后环境的真空度，使MEMS器件真空度发生改变，实现小孔径的同时避免深刻蚀无法刻深宽比100：1以上的硅通孔的问题，实现深刻蚀。

公开(公告)号：CN114720721A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210265692.7

申请日：2022-03-17

Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司

Inventor： 李诺伦 ,  庄瑞芬 ,  张沛 ,  陈嘉辉

IPC: G01P15/125

Abstract: 本发明提供了一种电容式加速度传感器，包括衬底、锚定部、质量块和扭转部。所述衬底设置止挡结构，所述质量块包括与所述止挡结构对应设置的限位结构，且所述限位结构与所述止挡结构相互作用后产生弹性形变，使得所述质量块的任意一个端部朝向或远离所述衬底运动的过程中，所述限位结构与所述止挡结构相互作用后产生的弹性形变起到缓冲作用，有效避免粘连失效。

公开(公告)号：CN114455537A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202210363137.8

申请日：2022-04-08

Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司

Inventor： 庄瑞芬

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明公开了MEMS器件及其制备方法，属于传感器技术领域，包括：支撑结构、位于支撑结构上的器件结构和位于器件结构上的盖顶结构；支撑结构、器件结构和盖顶结构形成一体式结构；一体式结构中包括至少两个腔体；至少一个腔体包括气孔，腔体通过气孔与外界连通；气孔包括相互连通的第一开孔和第二开孔，第一开孔的孔径等于或者大于第二开孔的孔径，本发明通过至少两个开孔实现了不同真空度腔体。本发明MEMS器件的制备方法，一个腔体真空度为初始真空度；另一个腔体的真空度为将该腔体开孔后，再进行重密封开孔后环境的真空度，使MEMS器件真空度发生改变，实现小孔径的同时避免深刻蚀无法刻深宽比100：1以上的硅通孔的问题，实现深刻蚀。

公开(公告)号：CN113993028A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111284562.X

申请日：2021-11-01

Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司

Inventor： 唐益谦 ,  庄瑞芬 ,  李刚

IPC: H04R1/10

Abstract: 本说明书实施方式提供了一种信号处理电路、方法及骨传导耳机。信号处理电路能够与三轴振动传感器耦合；信号处理电路包括：输入模块、模数转换模块、数字信号处理模块和输出模块；输入模块，用于接收三轴振动传感器的第一轴输入、第二轴输入和第三轴输入，并相应分别转换成第一电压信号、第二电压信号和第三电压信号；模数转换模块，用于分别将第一电压信号、第二电压信号和第三电压信号，转换成相应的第一数字信号、第二数字信号和第三数字信号；数字信号处理模块，用于比较第一数字信号、第二数字信号和第三数字信号，根据比较结果控制输出模块，将第一电压信号、第二电压信号和第三电压信号中的一个输出。

公开(公告)号：CN112730890A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202011522818.1

申请日：2020-12-21

Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司

Inventor： 庄瑞芬 ,  李刚

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/125

Abstract: 本申请提供了一种加速度传感器及电子设备，该加速度传感器包括：衬底；质量块，其中，质量块包括第一区域和第二区域，第一区域的面积等于第二区域的面积，第一区域的质量和第一区域的质心到第一区域和第二区域之间的分界线的距离的乘积，与第二区域的质量和第二区域的质心到分界线的距离的乘积不等，质量块与衬底可动连接，质量块可围绕分界线扭转。本申请实施例提供的加速度传感器能够显著减小芯片面积，降低成本。

公开(公告)号：CN107140598A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201710182877.0

申请日：2017-03-24

Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司

Inventor： 李刚 ,  胡维 ,  庄瑞芬

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00261 ,  B81B7/0006 ,  B81B7/0032 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/07 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/03

Abstract: 本发明公开了一种微机电系统及其制备方法，解决了现有技术中微机电器件单元和集成电路之间引线较长，从而引入较多干扰信号的问题。其中，该方法包括：在微机电器件芯片上制备环绕气体敏感单元的第一封装环和位于第一封装环内侧的气体敏感单元周围的第一电气连接点；在集成电路芯片上与第一封装环对应的位置和与第一电气连接点对应的位置分别制备第二封装环和作为电路层输入端的第二电气连接点；将微机电器件芯片和集成电路芯片对置；其中，第一电气连接点、第二电气连接点形成电气对接，第一封装环和第二封装环形成密封对接；在微机电器件芯片上开设由微机电器件芯片、集成电路芯片、第一封装环和第二封装环所形成的空间的导气通孔。