公开(公告)号：KR1020100123765A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：KR1020107022951

申请日：2009-06-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오오미타다히로

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229

Abstract: 특성 임피던스가 입력측과 출력측에서 상이한 동축관 구조를 갖는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 마이크로파에 의해 가스를 여기시켜 기판을 플라즈마 처리하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치(10)는, 처리 용기(100)와, 마이크로파를 출력하는 마이크로파원(900)과, 마이크로파원(900)으로부터 출력된 마이크로파를 전송시키는 제1 동축관(610)과, 처리 용기(100)의 내측에 면한 상태에서 제1 동축관(610)에 인접하여, 제1 동축관(610)을 전송한 마이크로파를 처리 용기(100)의 내부에 방출하는 유전체판(305)을 구비한다. 제1 동축관(610)의 내부 도체(610a)와 외부 도체(610b)와의 두께의 비는 길이 방향을 따라서 일정하지 않은 구조를 갖고 있다.

Abstract translation: 提供了一种具有同轴管结构的等离子体处理设备，其中输入侧和输出侧之间的特性阻抗不同。 微波等离子体处理装置10通过利用微波激发气体来等离子体处理基板，包括处理容器100，输出微波的微波源900，微波发射器 并且，从与第一同轴管610相邻的第一同轴管610以面向处理容器100内部的状态传输的微波通过第一同轴管610被导入到处理容器100内， 以及用于将电介质板305排出其中的电介质板305。 内导体610a的厚度与第一同轴管610的外导体610b的厚度之比沿着纵向不是恒定的。

公开(公告)号：KR100959441B1

公开(公告)日：2010-05-25

申请号：KR1020087007569

申请日：2006-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오카신스케 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192

Abstract: [과제] 유전체의 하면 전체에 균일하게 플라즈마를 생성시킬 수 있는 플라즈마 처리 장치와 방법을 제공한다.
[해결수단] 마이크로파를 도파관(35)의 하면(31)에 복수 형성된 슬롯(70)을 통해서 처리실(4)의 상면에 배치된 유전체(32) 내에 전파시켜, 유전체 표면에서 형성시킨 전자계에서의 전계 에너지에 의해 처리실(4) 내에 공급된 처리 가스를 플라즈마화시켜, 기판 G에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치(1)로서, 유전체(32)의 하면에 깊이가 다른 복수의 오목부(80a~80g)가 형성되어 있다. 각 오목부(80a~80g)의 깊이를 다르게 한 것에 의해, 유전체(32)의 하면에서의 플라즈마의 생성을 제어한다.

Abstract translation: 本发明提供一种能够在电介质的整个下表面均匀地生成等离子体的等离子体处理装置和方法。

公开(公告)号：KR1020090102679A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：KR1020090025098

申请日：2009-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 고바야시도시키 ,  스기야마마사키 ,  가토미츠오 ,  히로에아키히코 ,  오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32266

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and method for feedback-controlling plasma processing apparatus are provided to supply uniformly the high frequency power to a susceptor. CONSTITUTION: The plasma processing apparatus includes the process chamber, the susceptor(105), the feeding bar(B1,B2,B3), and the radio frequency power. The susceptor is prepared inside the process chamber. The processed article is mounted in a susceptor. The feeding bar is electrically connected to a susceptor in the power feed point. The radio frequency power is connected to the feeding bars. The radio frequency power supplies the high frequency power to a susceptor through the feeding bars.

Abstract translation: 目的：提供用于等离子体处理装置的反馈控制的等离子体处理装置和方法，以将高频功率均匀地提供给基座。 构成：等离子体处理装置包括处理室，基座（105），馈送杆（B1，B2，B3）和射频功率。 在处理室内制备感受体。 处理后的物品安装在基座上。 馈电棒电连接到馈电点中的基座。 射频功率连接到馈线。 射频电源通过馈线将高频电源提供给感受器。

公开(公告)号：KR1020090092720A

公开(公告)日：2009-09-01

申请号：KR1020090016233

申请日：2009-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오미다다히로

IPC: H05H1/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32256 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32816 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4607

Abstract: A microwave plasma processing system and a method for using the same are provided to generate uniform plasma by using the symmetry of a dielectric substrate and uniformity of gas hole arrangement. In a microwave plasma processing system and a method for using the same, a microwave source is used in order to excite the plasma within a container. A conductive via transmits the supplied microwave from the micro wave source, and a plurality of dielectric plates(305) faces an internal side of the container. A dielectric plate is located to be adjacent to the conductor via, and a dielectric plate emits microwave to the inside of the container. A metal electrode(310) is surrounded by a lower-part of the dielectric plate, and 8 concave parts(305a) are at the spot symmetry around of the metal electrode.

Abstract translation: 提供微波等离子体处理系统及其使用方法，以通过使用电介质基板的对称性和气孔布置的均匀性来产生均匀的等离子体。 在微波等离子体处理系统及其使用方法中，使用微波源来激发容器内的等离子体。 导电通孔从微波源传送提供的微波，并且多个电介质板（305）面向容器的内侧。 电介质板被定位成与导体通孔相邻，电介质板向容器的内部发射微波。 金属电极（310）由电介质板的下部包围，8个凹部（305a）位于金属电极的对称点。

公开(公告)号：KR1020080108922A

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：KR1020080054759

申请日：2008-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오미다다히로

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/30 ,  H05H1/34

CPC classification number: H01J37/32201 ,  H01J37/32348 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32559 ,  H05H1/2406 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/2412 ,  H05H2001/4607

Abstract: A plasma processing apparatus including antenna is provided to prevent a discharge error and to generate uniform and stable plasma by not generating a gap between a metal electrode and dielectric cover. A plasma processing apparatus processes an object using plasma generated by exciting a gas with an electromagnetic wave, and includes a treatment receptacle, an electromagnetic wave source, a conductor rod, a dielectric plate(305), and a metal electrode(310). The electromagnetic wave source outputs an electromagnetic wave. The conductor rod transmits the electromagnetic wave outputted from the electromagnetic wave source. A penetration hole(305a) is formed on the dielectric plate which emits the electromagnetic wave transmitted from the conductor rod. The metal electrode is connected to the conductor rod through the penetration hole formed in the dielectric plate. An open surface of the metal electrode is covered with the dielectric cover(320).

Abstract translation: 提供包括天线的等离子体处理装置，以防止放电误差，并且通过不产生金属电极和电介质盖之间的间隙来产生均匀且稳定的等离子体。 等离子体处理装置使用通过用电磁波激发气体产生的等离子体处理物体，并且包括处理容器，电磁波源，导体棒，电介质板（305）和金属电极（310）。 电磁波源输出电磁波。 导体棒传输从电磁波源输出的电磁波。 在电介质板上形成有从导体棒发射的电磁波的贯通孔（305a）。 金属电极通过形成在电介质板中的贯通孔与导体棒连接。 金属电极的开放表面被绝缘盖（320）覆盖。