公开(公告)号：KR101229780B1

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：KR1020107024336

申请日：2009-06-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오오미타다히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  C03C17/002 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32229

Abstract: 분기 부분에서 비(非)수직으로 연신하는(extending) 동축관을 포함하는 동축관 분배기를 제공한다. 마이크로파에 의해 가스를 여기(excitation)시켜 피(被)처리체를 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치(10)로서, 처리 용기(100)와, 마이크로파를 출력하는 마이크로파원(源)(900)과, 마이크로파원(900)으로부터 출력된 마이크로파를 전송하는 전송 선로(900a)와, 처리 용기(100)의 내벽에 형성되고, 마이크로파를 처리 용기 내에 방출하는 복수의 유전체판(305)과, 복수의 유전체판(305)에 인접하여, 마이크로파를 복수의 유전체판(305)에 전송하는 복수의 제1 동축관(610)과, 전송 선로(900a)를 거쳐 전송된 마이크로파를 복수의 제1 동축관(610)에 분배하여 전송하는 1단 또는 2단 이상의 동축관 분배기(700)를 갖는다. 동축관 분배기(700)는, 입력부(In)를 갖는 제2 동축관(620)과 제2 동축관(620)에 연결된 3개 이상의 제3 동축관(630)을 포함하고, 제3 동축관(630)의 각각은, 제2 동축관(620)에 대하여 비수직으로 연신한다.

公开(公告)号：KR101183047B1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：KR1020107025683

申请日：2009-06-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오오미타다히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

Abstract: (과제) 기판에 대한 처리의 균일성을 보다 향상시키는 것을 목적으로 하고 있다.
(해결 수단) 플라즈마 처리되는 기판(G)을 수납하는 금속제의 처리 용기(4)와, 처리 용기(4) 내에 플라즈마를 여기(excitation)시키기 위해 필요한 전자파를 공급하는 전자파원(85)을 구비하고, 전자파원(85)으로부터 공급되는 전자파를 처리 용기(4)의 내부에 투과시키는, 처리 용기(4)의 내부에 일부를 노출시킨 복수의 유전체(25)를, 처리 용기(4)의 덮개체(3) 하면에 구비한 플라즈마 처리 장치로서, 유전체(25)의 하면에, 덮개체(3)와 전기적으로 접속된 금속 전극(27)이 형성되고, 금속 전극(27)과 덮개체(3) 하면의 사이에 노출되는 유전체(25)의 부분이, 처리 용기(4)의 내부로부터 보아 실질적으로 다각형의 윤곽을 이루고, 복수의 유전체(25)는, 다각형의 윤곽의 꼭지각끼리를 인접시켜 배치되고, 처리 용기(4)의 내부에 노출된 덮개체(3) 하면과 금속 전극(27) 하면에, 전자파를 전반(propagation)시키는 표면파 전반부가 형성되어 있다.

公开(公告)号：KR1020100126586A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：KR1020107024336

申请日：2009-06-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오오미타다히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  C03C17/002 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32229

Abstract: 분기 부분에서 비(非)수직으로 연신하는(extending) 동축관을 포함하는 동축관 분배기를 제공한다. 마이크로파에 의해 가스를 여기(excitation)시켜 피(被)처리체를 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치(10)로서, 처리 용기(100)와, 마이크로파를 출력하는 마이크로파원(源)(900)과, 마이크로파원(900)으로부터 출력된 마이크로파를 전송하는 전송 선로(900a)와, 처리 용기(100)의 내벽에 형성되고, 마이크로파를 처리 용기 내에 방출하는 복수의 유전체판(305)과, 복수의 유전체판(305)에 인접하여, 마이크로파를 복수의 유전체판(305)에 전송하는 복수의 제1 동축관(610)과, 전송 선로(900a)를 거쳐 전송된 마이크로파를 복수의 제1 동축관(610)에 분배하여 전송하는 1단 또는 2단 이상의 동축관 분배기(700)를 갖는다. 동축관 분배기(700)는, 입력부(In)를 갖는 제2 동축관(620)과 제2 동축관(620)에 연결된 3개 이상의 제3 동축관(630)을 포함하고, 제3 동축관(630)의 각각은, 제2 동축관(620)에 대하여 비수직으로 연신한다.

公开(公告)号：KR1020100102205A

公开(公告)日：2010-09-20

申请号：KR1020107017503

申请日：2009-02-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 와카야마요시히데 ,  모야마카즈키 ,  오오미타다히로 ,  테라모토아키노부

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/048 ,  H01L31/02167 ,  Y02B10/12 ,  Y02E10/50

Abstract: 개시되는 태양 전지는 기재 상에 형성되는 반도체 박막과, 반도체 박막 상에 형성되는 투명 도전막과, 투명 도전막의 상면(上面)을 덮는 질화물계의 수분 확산 방지막을 포함한다. 수분 확산 방지막이 질화 규소막과 질화 탄화 규소막의 적어도 일종으로 구성되면 바람직하다.

Abstract translation: 公开了一种太阳能电池，其包括形成在基底上的太阳能电池半导体薄膜，形成在半导体薄膜上的透明导电膜和覆盖透明导电膜的上表面的含氮化物的防潮扩散膜。 防潮防止膜优选由至少氮化硅膜或碳化硅氮化物（SiCN）膜构成。

公开(公告)号：KR1020140027558A

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：KR1020147003542

申请日：2010-03-19

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오미타다히로 ,  고토테츠야 ,  마츠오카타카아키

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3497

Abstract: 본 발명의 과제는, 플라즈마 여기 전력의 증대에 수반하는 타깃부 등의 가열에 의한 악영향을 경감한 회전 마그넷 스퍼터 장치를 제공하는 것에 있다. 본 발명의 회전 마그넷 스퍼터 장치는, 복수의 나선 형상 판자석군 간에 형성된 나선 형상의 공간에 냉각용 매체를 흘리거나, 타깃부를 지지하는 백킹 플레이트에 냉각용 유로를 형성함으로써, 타깃부를 제열(除熱)하는 구조를 갖는다.

公开(公告)号：KR101340337B1

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：KR1020117016530

申请日：2009-11-02

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라야마마사키 ,  오오미타다히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32238 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4622

Abstract: 마이크로파 플라즈마 처리 장치(10)는, 마이크로파에 의해 가스를 여기시켜 기판(G)을 플라즈마 처리하기 위한 처리 용기(100)와, 마이크로파를 출력하는 마이크로파원(900)과, 마이크로파원(900)으로부터 출력된 마이크로파를 전송하는 전송 선로와, 처리 용기(100)의 내면에 설치되어, 마이크로파를 처리 용기(100) 내로 방출하는 복수의 유전체판(305)과, 복수의 유전체판(305)에 인접하여, 마이크로파를 복수의 유전체판(305)으로 전송하는 복수의 제1 동축관(610)과, 전송 선로를 전송해 온 마이크로파를 복수의 제1 동축관(610)에 분배하여 전송하는 동축관 분배기(600)를 갖는다. 동축관 분배기(600)는, 입력부(In)를 갖는 제2 동축관(620)과, 복수의 제1 동축관(610)에 연결되는 상이한 구성의 분기 구조(B1, B2)를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020110055654A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020117006061

申请日：2009-08-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 마츠오카타카아키 ,  오오미타다히로

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/3212 ,  B24B37/04

Abstract: (과제) 다마신 프로세스에 있어서 유기계의 low-k막으로 이루어지는 층간 절연막 상에 퇴적된 구리의 연마시에 있어서 스크래치나 디싱의 발생을 방지한다.
(해결 수단) 이 CMP 장치에서는, 연마 패드(12)를 접착한 회전 헤드(10)의 회전 중심축과, 반도체 웨이퍼(100)를 페이스 업(face up)으로 장착하는 회전 테이블(14)의 회전 중심축을 동일한 연직선(N) 상에 정렬시켜, 회전 헤드(10) 및 회전 테이블(14)을 동 방향으로 스핀 회전시키면서, 회전 헤드(10)를 강하시켜 연마 패드(12)를 회전 테이블(14) 상의 반도체 웨이퍼(100)에 맞닿게 하여, 반도체 웨이퍼(100) 표면의 전역에서 연마 패드(12)가 역방향으로 문지르지 않도록 한다.

公开(公告)号：KR1020100123765A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：KR1020107022951

申请日：2009-06-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오오미타다히로

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229

Abstract: 특성 임피던스가 입력측과 출력측에서 상이한 동축관 구조를 갖는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 마이크로파에 의해 가스를 여기시켜 기판을 플라즈마 처리하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치(10)는, 처리 용기(100)와, 마이크로파를 출력하는 마이크로파원(900)과, 마이크로파원(900)으로부터 출력된 마이크로파를 전송시키는 제1 동축관(610)과, 처리 용기(100)의 내측에 면한 상태에서 제1 동축관(610)에 인접하여, 제1 동축관(610)을 전송한 마이크로파를 처리 용기(100)의 내부에 방출하는 유전체판(305)을 구비한다. 제1 동축관(610)의 내부 도체(610a)와 외부 도체(610b)와의 두께의 비는 길이 방향을 따라서 일정하지 않은 구조를 갖고 있다.

Abstract translation: 提供了一种具有同轴管结构的等离子体处理设备，其中输入侧和输出侧之间的特性阻抗不同。 微波等离子体处理装置10通过利用微波激发气体来等离子体处理基板，包括处理容器100，输出微波的微波源900，微波发射器 并且，从与第一同轴管610相邻的第一同轴管610以面向处理容器100内部的状态传输的微波通过第一同轴管610被导入到处理容器100内， 以及用于将电介质板305排出其中的电介质板305。 内导体610a的厚度与第一同轴管610的外导体610b的厚度之比沿着纵向不是恒定的。

公开(公告)号：KR101229843B1

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：KR1020107022951

申请日：2009-06-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오오미타다히로

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229

Abstract: 특성 임피던스가 입력측과 출력측에서 상이한 동축관 구조를 갖는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 마이크로파에 의해 가스를 여기시켜 기판을 플라즈마 처리하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치(10)는, 처리 용기(100)와, 마이크로파를 출력하는 마이크로파원(900)과, 마이크로파원(900)으로부터 출력된 마이크로파를 전송시키는 제1 동축관(610)과, 처리 용기(100)의 내측에 면한 상태에서 제1 동축관(610)에 인접하여, 제1 동축관(610)을 전송한 마이크로파를 처리 용기(100)의 내부에 방출하는 유전체판(305)을 구비한다. 제1 동축관(610)의 내부 도체(610a)와 외부 도체(610b)와의 두께의 비는 길이 방향을 따라서 일정하지 않은 구조를 갖고 있다.

公开(公告)号：KR1020120079140A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：KR1020127011731

申请日：2010-10-07

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오미타다히로 ,  아사하라히로카즈 ,  이노쿠치아츠토시

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L33/00 ,  H01L33/28

CPC classification number: C23C16/407 ,  C23C16/308 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/28

Abstract: 본 발명의 과제는, N 도프된 ZnO계 화합물 박막을 안정되게 형성하는 것이다. 본 발명에서는, 마이크로파에 의해 여기된 저전자 온도 고밀도 플라즈마 중에, 유기 금속계 재료 가스와 함께 산소 및 질소를 포함하는 가스 및 질소 가스를 공급함으로써, 성막 대상물인 기판 상에, N 도프된 ZnO계 화합물 박막을 형성한다.