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公开(公告)号：KR1020050000184A
公开(公告)日：2005-01-03
申请号：KR1020030040779
申请日：2003-06-23
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A method of connecting electrically an upper surface with a lower surface of a semiconductor wafer is provided to increase a produced quantity of chips per one semiconductor wafer by reducing relatively a surface area required for a through-hole in the semiconductor wafer compared to that of a conventional semiconductor wafer using anisotropic-etching. CONSTITUTION: A first oxide layer(21A) and a second oxide layer(21B) are deposited on a lower surface and an upper surface of a semiconductor wafer(20), respectively. Anisotropic-etching is simultaneously performed on a first position of the first oxide layer and on a second position of the second oxide layer, so that a through-hole is formed in the resultant structure. An electrical connection path is formed by depositing metal on an inner wall of the through hole.
Abstract translation: 目的：提供一种将上表面与半导体晶片的下表面电连接的方法，以通过相对于半导体晶片中的通孔所需的相对表面积相对于每个半导体晶片的生成量来增加每个半导体晶片的生成量 使用各向异性蚀刻的常规半导体晶片。 构成：分别在半导体晶片（20）的下表面和上表面上沉积第一氧化物层（21A）和第二氧化物层（21B）。 在第一氧化物层的第一位置和第二氧化物层的第二位置上同时进行各向异性蚀刻，从而在所得到的结构中形成通孔。 通过在通孔的内壁上沉积金属形成电连接路径。
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公开(公告)号：KR101909380B1
公开(公告)日：2018-10-17
申请号：KR1020170049134
申请日：2017-04-17
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N21/64
CPC classification number: G01N21/6428 , G01N2021/6434 , G01N2021/6491
Abstract: 형광측정장치및 그형광측정방법이개시된다. 본발명에따른형광측정장치는, 여기광을방사하는광원; 광원에의해방사되는여기광을필터링하여형광을통과시키는형광필터; 광원과형광필터의사이에서광원에의해방사되는여기광을균일하게시료까지가이드하는광 가이드; 및형광필터에의해필터링된형광을검출하는광 검출기를포함하는것을특징으로한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101845139B1
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：KR1020150188463
申请日：2015-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/107 , H01L31/02 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035227 , H01L27/0248 , H01L27/1443 , H01L31/022408 , H01L31/028 , H01L31/107 , H01L31/1804 , H01L31/1864
Abstract: 본발명은실리콘(Si)으로형성되는제1 실리콘나노와이어, 상기제1 실리콘나노와이어의일면에, 제1 도펀트가도핑되어형성되는제1 도전성영역, 및상기제1 실리콘나노와이어의일면에, 상기제1 도전성영역으로부터길이방향으로연속하도록, 상기제1 도펀트와상이한도전형을갖는제2 도펀트가도핑되어형성되는제2 도전성영역을포함하며, 상기제1 실리콘나노와이어는양단에인가되는역전압의크기가기설정된항복전압이상인경우, 외부로부터의광 입사에의한내부전류의애벌런치증배가발생하는발생하는실리콘나노와이어를이용한애벌런치포토다이오드를제공한다.
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公开(公告)号：KR101761128B1
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：KR1020160047189
申请日：2016-04-18
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01N21/6402 , G01N21/6458 , G02B27/141 , G02B27/30
Abstract: 본발명의일 실시예에따른바이오센서용형광광학계는여기광을출력하는광원, 상기광원에서출력되는여기광을평행광으로만드는콜리메이팅렌즈, 상기여기광을측정시료상에결상시키는대물렌즈, 상기여기광에의해상기측정시료에서발생되는형광을측정하는광검출기, 상기광원으로부터출력되는여기광을반사하여상기대물렌즈로진행시키고, 상기측정시료에서발생되는형광을투과하여상기광검출기로진행시키는제1빔스플리터, 및상기빔스플리터와상기광검출기사이에배치되고, 상기형광을상기광검출기상에결상시키는결상렌즈를포함할수 있다.
Abstract translation: 用于根据本发明的一个实施例的生物传感器的荧光光学系统的物镜被成像在光源上，准直透镜使从光源输出的激发光为平行光，激发测量光样品到输出的激发光， 以反映用于测量由从样品中产生的激发光的荧光的激发光的光检测器进行测量，这是从光源输出，然后进到物镜，通过从待测量的样本产生的荧光发射进入光检测器 以及设置在分束器和光电探测器之间并在光电探测器上形成荧光图像的成像透镜。
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公开(公告)号：KR1020170078188A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020150188468
申请日：2015-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L27/146 , H01L29/06
CPC classification number: H04N5/374 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14689 , H01L29/4916 , H01L31/022408 , H01L31/035227
Abstract: 본발명의나노와이어를이용한이미지센서는기판, 입사광을감지하여입사광의세기에따라크기가변화하는광전류를생성하는광검출소자, 광전류의발생여부및 크기에기초하여, 입사광의발생여부및 세기정보를포함하는광검출전류를출력하는신호처리모듈및 광검출소자와신호처리모듈을전기적으로연결하며, 광검출소자와신호처리모듈상에형성되는전극을포함하며, 광검출소자와상기신호처리모듈은동일한기판상에형성되며, 광검출소자는적어도하나이상의실리콘나노와이어로형성된다.
Abstract translation: 使用本发明的纳米线的图像传感器包括基板，检测入射光和光学检测的基础上，以产生一光电流，其大小是根据入射光强度chulsoja改变时，如果产生的光电流和大小，发生和强度信息入射光 和电连接所述光检测信号处理，用于输出当前的模块和光学检测chulsoja以及信号处理模块，包括，它包括一个在光学检测chulsoja以及信号处理模块，所述光学检测chulsoja和信号处理模块形成的电极是在同一基板 并且光电探测器由至少一个硅纳米线形成。
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公开(公告)号：KR1020170078187A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020150188463
申请日：2015-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/107 , H01L31/02 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035227 , H01L27/0248 , H01L27/1443 , H01L31/022408 , H01L31/028 , H01L31/107 , H01L31/1804 , H01L31/1864
Abstract: 본발명은실리콘(Si)으로형성되는제1 실리콘나노와이어, 상기제1 실리콘나노와이어의일면에, 제1 도펀트가도핑되어형성되는제1 도전성영역, 및상기제1 실리콘나노와이어의일면에, 상기제1 도전성영역으로부터길이방향으로연속하도록, 상기제1 도펀트와상이한도전형을갖는제2 도펀트가도핑되어형성되는제2 도전성영역을포함하며, 상기제1 실리콘나노와이어는양단에인가되는역전압의크기가기설정된항복전압이상인경우, 외부로부터의광 입사에의한내부전류의애벌런치증배가발생하는발생하는실리콘나노와이어를이용한애벌런치포토다이오드를제공한다.
Abstract translation: 如权利要求1所述的发明中，硅纳米线，第一硅纳米线的一个表面上，在所述第一掺杂剂被掺杂形式的第一导电区域，与所述第一硅纳米线的一个表面上的硅（Si）形成， 以及第二导电区域，其掺杂有导电性不同于所述第一掺杂物的第二掺杂物，以从所述第一导电区域沿纵向连续， 提供了使用硅纳米线的雪崩光电二极管，其中当电压大于预定击穿电压时，内部电流的雪崩倍增是由来自外部的光入射引起的。
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公开(公告)号：KR1020160091142A
公开(公告)日：2016-08-02
申请号：KR1020150011419
申请日：2015-01-23
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01N15/0656 , B03C3/38 , G01N5/02 , G01N15/0618
Abstract: 본발명의일 실시예에따른미세입자측정시스템은공기에포함된미세입자를대전(electrification)시키는대전부, 전기적인력을통해서, 대전된미세입자를포획하는미세입자포획부, 및포획된미세입자에기반하여상기공기중에포함된미세입자의농도를측정하는측정부를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于测量细颗粒和气体颗粒的系统。 根据本发明的一个实施例的用于测量细颗粒的系统包括：使包含在空气中的细颗粒带电的通电单元; 通过电吸引收集带电微粒子的微粒收集单元; 以及测量单元，其基于收集的细颗粒测量包括在空气中的细颗粒的浓度。
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