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    스핀-궤도 결합의 차이를 이용한 상보성 논리 소자 및 그 제조 방법
    91.
    发明授权
    스핀-궤도 결합의 차이를 이용한 상보성 논리 소자 및 그 제조 방법 有权
    利用自旋 - 轨道耦合差异的互补逻辑器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR101843917B1

    公开(公告)日：2018-03-30

    申请号：KR1020160114295

    申请日：2016-09-06

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 김형준 ,  구현철 ,  장차운 ,  김한성

    IPC: H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

    CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66984 ,  H01L29/7785 ,  H01L29/7786

    Abstract: 일실시예는스핀궤도결합상수가상이한 2DEG(2-dimension electron gas, 2차원전자가스)와 2DHG(2-dimension hole gas, 2차원정공가스) 구조를채널층으로하는반도체소자를이용한상보성논리소자및 그제조방법을제공한다. 상보성논리소자는ⅰ) 기판, ⅱ) 기판위에위치하고, 제1 채널층과상기채널층에캐리어를공급하는전하공급층및 상기채널층의상하에각각배치된상부클래딩층및 하부클래딩층을포함하는제1 반도체소자, ⅲ) 기판위에위치하고, 제1 반도체소자와이격배치되고, 제2 채널층과상기채널층에캐리어를공급하는전하공급층및 상기채널층의상하에각각배치된상부클래딩층및 하부클래딩층을포함하는제2 반도체소자, ⅳ) 제1 반도체소자와제2 반도체소자위에위치하는강자성체로이루어진소스전극, ⅴ)제1 반도체소자와제2 반도체소자위에위치하고, 소스전극과이격형성된강자성체로이루어진드레인전극, 그리고ⅵ) 제1 반도체소자와제2 반도체소자위에위치하고, 소스전극과드레인전극사이에위치하여제1 채널층및 제2 채널층을통과하는전자의스핀을제어하도록적용된게이트전압이인가되는게이트전극을포함한다.

    Abstract translation: 在一个实施例中，使用具有不同自旋轨道耦合常数的2DEG（2维电子气）和2维空穴气（2DHG）结构的半导体器件作为沟道层的互补逻辑器件 及其制造方法。 位于一基板，一第一沟道层和用于提供载流子到所述沟道层和包括分别设置在所述沟道层上形成上部包层的顶部和底部与下部包层的电荷供给层上的互补逻辑器件ⅰ）底物，ⅱ） Iii）设置在衬底上并与第一半导体元件间隔开的上覆层，上覆层设置在沟道层的上方和下方，用于将载流子供应到第二沟道层和沟道层的电荷供应层， 包括下覆层，ⅳ）第一半导体元件和由在所述半导体器件中的源极电极上形成的强磁性材料的第二，ⅴ）的第一半导体元件和位于第二半导体元件上，形成了源极电极和间隔开的一个第二半导体器件 施加由铁磁材料制成的漏电极，和ⅵ）位于所述第一半导体元件和第二半导体元件的上方，以控制被设置在源极和通过所述第一通道层的漏电极和第二沟道层之间的电子的自旋 栅极电压包括施加的栅电极。

    III-V족 화합물의 면방향 의존성을 이용한 에피택셜 리프트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법
    92.
    发明公开
    III-V족 화합물의 면방향 의존성을 이용한 에피택셜 리프트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법 有权
    利用III-V化合物的平面依赖性通过外延抬升制造半导体器件的III-V方法

    公开(公告)号：KR1020180031981A

    公开(公告)日：2018-03-29

    申请号：KR1020160120538

    申请日：2016-09-21

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 김상현 ,  김형준 ,  심재필 ,  김성광

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/34 ,  H01L21/306

    CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/30604 ,  H01L33/30 ,  H01L33/34 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0033

    Abstract: 에피택셜리프트오프(Epitaxial Lift-Off; ELO)에의한반도체소자의제조방법은, 제1 기판상에 III-V족화합물을포함하는희생층을형성하는단계; 상기희생층상에소자층을형성하는단계; 상기희생층및 상기소자층을, 상기희생층의상기 III-V족화합물의결정면방향에기초하여결정되는제1 방향을따라연장되는부분을가지는형상으로패터닝하는단계; 패터닝된상기소자층을제2 기판상에접합하는단계; 및상기희생층및 상기제1 기판을제거하기위하여, 상기소자층이상기제2 기판상에접합된상태에서식각용액을이용하여상기희생층을식각하는단계를포함한다. 상기반도체소자의제조방법은, ELO 공정에있어서 III-V족화합물의고유특성인결정방향(cystal orientation)에따른식각속도의차이를이용하여공정수율을향상시키고공정속도를빠르게할 수있다.

    Abstract translation: 一种通过外延剥离（ELO）制造半导体器件的方法包括：在第一衬底上形成包含III-V族化合物的牺牲层; 在牺牲层上形成元件层; 将牺牲层和器件层图案化成具有沿着基于牺牲层的III-V族化合物的晶面方向确定的第一方向的部分的形状; 将图案化的元件层接合到第二基板上; 并且，为了去除牺牲层和第一基板，在蚀刻溶液的状态下使用蚀刻液对元件层异常基体2的基板进行蚀刻来进行牺牲层的蚀刻。 制造半导体器件的方法可以通过使用根据晶体取向的蚀刻速率差异来提高工艺合格率并加快处理速度，这是ELO工艺中III-V族化合物的固有性质。

    지지체가 필요 없는 금속 나노선 및 3차원 금속 나노 촉매의 제조방법
    94.
    发明授权
    지지체가 필요 없는 금속 나노선 및 3차원 금속 나노 촉매의 제조방법 有权

    公开(公告)号：KR101816800B1

    公开(公告)日：2018-01-10

    申请号：KR1020150128862

    申请日：2015-09-11

    Applicant: 한국과학기술연구원 ,  한국과학기술원

    Inventor： 김진영 ,  정연식 ,  김종민 ,  정재원 ,  정연훈 ,  유성종 ,  헨켄스마이어디억 ,  장종현 ,  김형준

    IPC: H01M4/92 ,  B01J37/00 ,  B01J35/02 ,  B82B3/00

    Abstract: 본발명은지지체가필요없는금속나노선및 3차원금속나노촉매의제조방법에관한것으로 (A) 요철이형성된트렌치기판에하이드록시가치환된제1 고분자를코팅후 오븐에서처리하는단계; (B) 오븐처리된트렌치기판상면에실리콘이적어도한쪽블록에포함된블록공중합체를코팅하는단계; (C) 블록공중합체가코팅된트렌치기판을어닐링하는단계; (D) 어닐링된트렌치기판을이온에칭(RIE)하여패턴을형성하며블록공중합체를산화실리콘(SiOx)로전환하는단계; (E) 산화실리콘패턴을하이드록시가치환된제2 고분자로코팅후 오븐에서처리하는단계; (F) 오븐처리된산화실리콘패턴상면에아크릴수지를코팅하는단계; (G) 산화실리콘패턴과코팅된아크릴수지를분리하여아크릴수지의일면에패턴과동일한형상으로다수개의음각이형성되는단계; (H) 다수개의음각사이에위치한아크릴수지의직선기둥을따라금속나노선을증착시키는단계; 및 (I) 금속나노선이증착된아크릴수지의금속나노선이기판에위치하도록부착한후 아크릴수지를제거하여지지체가없는금속나노선을제조하는단계;를포함함으로써, 3차원나노촉매를제조할수 있으며카본지지체가없어열화현상을최소화하고얇은두께로인해물질의이동거리감소와물배출이원활하다.

    연료전지용 비백금 촉매 및 이의 제조방법
    96.
    发明公开
    연료전지용 비백금 촉매 및 이의 제조방법 审中-实审
    用于燃料电池的非铂催化剂及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020170088145A

    公开(公告)日：2017-08-01

    申请号：KR1020160008114

    申请日：2016-01-22

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 김진영 ,  박민정 ,  유성종 ,  장종현 ,  김형준 ,  한종희 ,  남석우 ,  임태훈

    IPC: H01M4/90 ,  H01M4/86 ,  B01J37/00 ,  H01M8/1018

    CPC classification number: Y02P70/56

    Abstract: 본발명은연료전지용비백금촉매및 이의제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는, 질소도핑된탄소계담지체에질화철나노입자를포함하는연료전지용비백금촉매를질소함유활성가스분위기하에서열처리하는간소한공정에의해제조할수 있어, 생산단가가낮고저렴한비용으로대량을제조할수 있으며, 종래연료전지의산소환원전극촉매로사용되었던고가의백금촉매를대체할수 있다.

    Abstract translation: 用于燃料电池的非铂催化剂及其制造方法技术领域本发明涉及一种用于燃料电池的非铂催化剂及其制造方法，更具体地，涉及一种用于燃料电池的非铂催化剂， 可以低成本大量生产，生产成本低，并且可以代替通常用作燃料电池的氧还原电极催化剂的昂贵的铂催化剂。

    산소 환원 반응용 촉매 및 이의 제조방법
    99.
    发明授权
    산소 환원 반응용 촉매 및 이의 제조방법 有权
    氧还原反应催化剂及其生产方法

    公开(公告)号：KR101736065B1

    公开(公告)日：2017-05-17

    申请号：KR1020150014254

    申请日：2015-01-29

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 유성종 ,  장종현 ,  김형준 ,  정남기 ,  남석우 ,  한종희 ,  윤성필 ,  류재윤 ,  임태훈 ,  김진영

    IPC: H01M4/92

    CPC classification number: C22C5/04

    Abstract: 본발명은폴리(N-이소프로필아크릴아마이드)(PNIPAM)로기능화된탄소지지체에 Pt, Pd 또는 Ir의합금이담지된산소환원반응용촉매및 이의제조방법을제공한다. 본발명의산소환원반응용촉매는폴리(N-이소프로필아크릴아마이드)(PNIPAM)로기능화된탄소지지체에의하여전자앙상블효과(electronic ensemble effects)를가지므로기존의탄소담지촉매에비하여우수한산소환원반응활성및 내구성을가진다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种聚（N-异丙基丙烯酰胺）（PNIPAM），产生的Pt，Pd或为在碳载体上的氧还原反应和其与官能化的担载催化剂的铱合金的制造方法。 本发明的氧还原催化剂包括聚（N-异丙基丙烯酰胺），通过官能化（PNIPAM）碳载体，由于电子合奏效果（电子合奏效果）与常规的碳载催化剂相比优异的氧还原反应 积极耐用。

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