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公开(公告)号：KR1020060132351A
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：KR1020050052647
申请日：2005-06-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02554 , C23C14/3464 , H01L21/0257 , H01L21/02631
Abstract: A method for manufacturing a zinc oxide based transparent conductive oxide thin film is provided to improve degradation of physical property and a rapid etching speed of a ZnO thin film by simultaneously doping a gallium. Aluminium and gallium are doped to form a transparent conductive oxide thin film by using a zinc oxide thin film as a matrix. A doping ratio of the aluminium and the gallium is from 1:2 to 2:1. Doping amounts of the aluminium and the gallium are 4 at% and 1 at%, respectively. The aluminium and the gallium are simultaneously doped on a substrate in vacuum by using sputtering, thereby forming a ZnO thin film.
Abstract translation: 提供了一种制造氧化锌基透明导电氧化物薄膜的方法，以通过同时掺杂镓来改善ZnO薄膜的物理性能的降低和快速的蚀刻速度。 通过使用氧化锌薄膜作为基体，掺杂铝和镓以形成透明导电氧化物薄膜。 铝和镓的掺杂比为1:2至2:1。 铝和镓的掺杂量分别为4at％和1at％。 铝和镓在真空中通过溅射同时掺杂在基板上，从而形成ZnO薄膜。
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公开(公告)号：KR1020060106035A
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：KR1020050028225
申请日：2005-04-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/147 , H01L45/06
Abstract: 본 발명은 자연 산화막이 형성된 실리콘 기판과, 상기 기판 상에 형성된 하부 전극과, 상기 하부 전극 상에 형성된 페로브스카이트 산화물 박막과, 그리고 상기 페로브스카이트 산화물 박막 상에 형성된 상부 박막을 포함하는 저항변화 기억소자용 박막 구조물을 제공한다. 본 발명에 따르면, ReRAM 소자용 박막 구조를 개선함으로써 집적화가 용이하고 On/Off 저항변화비율이 향상되어 ReRAM 소자의 응용성 및 활용성을 극대화시킬 수 있다.
저항변화 기억소자(ReRAM), 실리콘 기판, On/Off 저항변화비율-
公开(公告)号：KR100611683B1
公开(公告)日：2006-08-14
申请号：KR1020050024423
申请日：2005-03-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/105 , B82Y10/00
Abstract: 본 발명은 강유전체의 잔류분극을 이용한 나노 스토리지 기록 매체에 관한 것이다. 본 발명의 강유전체 나노 튜브 어레이의 형성 방법은 기판 상의 알루미늄의 표면을 전기연마 처리하는 단계, 표면 처리된 알루미늄 전체 표면을 1차 아노다이징하여 불규칙적인 알루미나 나노 기공을 형성하는 단계, 불규칙적인 알루미나 나노 기공을 제거하는 단계, 알루미늄을 2차 아노다이징하는 단계, 알루미나 나노 기공이 형성된 기판을 졸겔 용액에 침지하여 나노 기공 속으로 졸겔 용액을 충전시키는 단계, 기판을 건조시킨 후 겔 상태의 기판을 열처리한 후 냉각하는 단계, 기판 상부에 부가적으로 형성된 강유전체 상부 박막을 제거하는 단계를 포함한다.
강유전체, 나노 튜브 어레이, 나노 스토리지, 고밀도 기록 매체Abstract translation: 本发明涉及一种利用铁电体的剩余极化的纳米储存记录介质。 用于形成本发明的铁电纳米管阵列的方法，通过第一阳极氧化在衬底上的电抛光处理的铝表面的步骤中，表面处理过的铝整个表面上形成不规则的氧化铝纳米孔的步骤中，不规则的氧化铝纳米多孔 氧化铝纳米孔的形成的衬底填充的溶胶 - 凝胶溶液引入纳米孔浸入溶胶 - 凝胶溶液，冷却，然后将其干燥的基板加热处理中的凝胶状态的基板之后：移除，该方法包括将铝二次阳极氧化方法，包括的步骤 并除去在衬底上另外形成的铁电上薄膜。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100152581B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950023106
申请日：1995-07-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 불휘발성(nonvolatile) 강유전체 박막 제조방법에 관한 것으로, 불화 크립톤 익사이머 레이저 아브레이션법을 이용하여 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물(strontium bismuth tantalum oxide:SrBi
2 Ta
2 O
9 )로 구성된 강유전체 박막 제조를 완료하므로써, 1) 기존 졸겔법이나 액체이동 증착법에 비해 반도체 공정과의 호환성을 높일 수 있을 뿐 아니라 제조 공정의 단순화 및 생산 효율 증대 효과를 기할 수 있고, 2) 백금/스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물/백금 캐패시터 구조의 경우, 장기물성(long term properties)인 파티그 및 임프린트 특성이 우수해 기억소자의 사용기간(life time)이 길어지게 되므로 상품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 고신뢰성의 강유전체 박막을 구현할 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR100134552B1
公开(公告)日：1998-04-20
申请号：KR1019940021213
申请日：1994-08-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/316
Abstract: 본 발명은 모스 캐패시터용 유전 박막 조성물 및 그 유전 박막 제조방법에 관한 것으로, 종래 모스 캐피시터용 유전박막은 실리콘 기판과의 계면에서 많은 결함이 존재하여 이로인한 정정용량-전압 특성에서 많은 히스테리시스를 보이고 있어 이것을 이용한 응용소자의 경우 실용화하는데 문제점이 있으며, 모스 캐패시터용 유전 박막 재료의 초소형화시에는 고전압(8MV/cm)하에서 발생되는 유전막의 누설전류(leakage current)로 인하여 발생되는 읽기/쓰기 횟수(read/write cycle)의 감소 및 데이타 리텐션열화(data reterion degradation)가 해결되어야 하는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 실리콘 옥시나이트라이드(silicon oxynitride)의 계면이 전기적으로 강하다는 점에 착안하여, TiO
2 의 음이온인 산소를 질소로 일부치환하여 유전상수가 크고 정전용량-전압 특성에서 쉽게 발생하는 히스테리시스(Hysteresis)가 없고 유전 파괴전압이 우수한 모스 캐패시터용 유전 박막 재료의 조성물을 제공하는 것이다. -
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