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公开(公告)号：KR100886199B1
公开(公告)日：2009-02-27
申请号：KR1020070034861
申请日：2007-04-10
Applicant: 한국전기연구원
Abstract: 전압의 크기에 따라 주파수를 가변시켜주는 전압제어발진기를 디지털 시스템과의 연계성을 고려하여 변형시킨 회로로서 외부의 제어신호가 인가되지 않을 시에는 전압 제어 발진기로 동작을 하고, 외부 제어신호가 인가되면 그 제어에 따라 주파수를 가변시켜 주는 디지털 제어가 용이한 클럭 발생기가 개시되어 있다. 디코더는 입력되는 디지털 제어신호를 디코딩하여 제어 신호를 출력한다. 제어부는 상기 디코더로부터 상기 제어 신호에 따라 가변하는 전류를 공급한다. 발진기는 상기 제어부로부터의 상기 전류의 양에 따라 전압 제어 발진 기능을 수행하거나 출력 주파수를 가변시킨다.
전압 제어 발진기, 클럭 발생기-
公开(公告)号：KR100823084B1
公开(公告)日：2008-04-18
申请号：KR1020060065534
申请日：2006-07-12
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H02M1/08
CPC classification number: Y02B70/16
Abstract: 본 발명에 따른 외부 신호에 의한 스위치 SMPS용 제어장치의 대기모드에서의 PWM 신호제어장치는 SMPS에 연결된 기기의 대기모드 상태 여부를 판별하기 위한 기준전압을 제어용IC의 내부에서 미리 정의하지 않고 외부에서 디지털 신호를 인가하여 정의할 수 있는 장치에 관한 것으로서, SMPS에 연결된 기기가 사용환경에 따라 대기모드 상태 동작시점을 변경해야 하는 경우 SMPS용 제어장치의 외부 회로를 변경할 필요 없이 디지털 신호를 사용하여 대기모드 상태 판별을 위한 기준전압값을 변경함으로써 대기모드 상태 동작 시점을 변경할 수 있도록 하기 장치에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명은 각종 전자기기의 대기모드 동작 시점이 환경에 따라 변경되어야 하는 경우 SMPS용 제어장치의 외부에서 디지털 신호를 사용하여 대기모드 상태 판별을 위한 기준전압값을 변경하여 줌으로써 SMPS용 제어장치의 외부 회로를 환경에 따라 변경할 필요가 없도록 하였으며, 이와 같은 방법을 사용환경의 폭이 넓은 네트워크 기기 등에 적용하면 동일한 기기에 대해 사용환경의 변화에 따라 개별적인 전원장치를 사용하지 않고도 곧바로 적용이 가능한 것이다.
스위치 모드 전원공급 장치, 대기모드, 대기전력, 디지털 제어, 펄스폭 변조-
公开(公告)号：KR100817104B1
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：KR1020060066477
申请日：2006-07-14
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H02M1/08
CPC classification number: Y02B70/16
Abstract: 본 발명은 부하단에 연결된 기기의 대기모드 상태가 일정시간 이상으로 유지될 경우 SMPS 내의 MOSFET 게이트 드라이브신호가 발생하지 않는 슬립모드 상태로 변경되도록 함으로써 대기모드 상태의 전력소모를 줄여주기 위한 PWM IC 전원제어를 이용한 SMPS 대기전력 절감장치에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명은 부하단에서 넘어오는 피드백 신호 또는 부하변동에 따른 신호들을 비교하여 슬립모드 판별부로 판별된 신호를 보내주는 저전력모드 판별부와; 기준클럭을 발생시켜주는 클럭발생부와; 상기 기준클럭을 카운팅하여 슬립모드 판별부에 클럭신호를 입력시켜주는 저절전 카운터와; 저전력모드 판별부와 카운터 및 외부 인터럽트 신호에 의해 스위치블럭 제어신호를 발생시켜주는 슬립모드 판별부와; 제어신호에 의해 전원제어부에서 전원공급을 위한 스위치역할을 하는 스위치 블록; 및 PWM 컨트롤러의 전원제어를 담당하는 전원 제어부로 구성되어 SMPS가 본래의 기능을 수행하지 않고 대기모드 동작을 수행할 때 전력소모를 절감시킴을 특징으로 한다.
PWM, SMPS, 대기전력, 피드백신호, 부하변동, 슬립모드판별, 저전력모드 판별부, 클럭발생부, 저절전 카운터, 슬립모드판별-
公开(公告)号：KR100766917B1
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：KR1020060067415
申请日：2006-07-19
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: A method and apparatus for manufacturing a single crystal with low defects is provided to quickly grow single crystal of large diameter by using a seed crystal support and plural seed crystal of specific shapes. A seed crystal support(201) has a junction surface of the same shape as that of a seed crystal. Plural seed crystals are jointed to the seed crystal support. The seed crystal support is positioned on an upper end of a furnace filled with silicon carbide. The furnace is heated to grow the seed crystal in a direction perpendicular to the junction surface and in a lateral direction. The seed crystals are jointed by the lateral growth of the seed crystals. The seed crystals jointed to each other by the lateral growth are grown as a single crystal.
Abstract translation: 提供一种制造具有低缺陷的单晶的方法和装置，通过使用晶种支撑体和特定形状的多晶种来快速生长大直径的单晶。 晶种支撑体（201）具有与晶种相同形状的结合面。 将多个晶种连接到晶种支持物上。 晶种支撑体位于填充有碳化硅的炉的上端。 将炉子加热以使晶种在垂直于接合面的方向上沿横向方向生长。 籽晶通过种晶的横向生长而接合。 通过侧向生长彼此连接的晶种生长为单晶。
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公开(公告)号：KR100711521B1
公开(公告)日：2007-04-27
申请号：KR1020050125897
申请日：2005-12-20
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명에 따른 금속충전을 이용한 결함제거 에피탁시 박막의 제조방법은, 그 내부에 결함이 존재하는 탄화규소 단결정 기판을 KOH 용액 내에서 약 400℃∼700℃의 온도 범위에서 1∼30분 동안 에칭하여 기판 내에 존재하는 결함을 선택적으로 에칭하는 단계; 상기 결함이 선택적으로 에칭된 기판의 표면에 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 중의 어느 하나의 금속을 상기 선택적 에칭에 의해 형성된 에치피트들을 충분히 덮을 수 있을 정도의 두께로 증착하는 단계; 상기 금속이 증착된 기판 표면을 연마하여 에치피트 내부에 존재하는 금속을 제외하고 모두 제거하는 단계; 상기 에치피트 내부에만 금속이 채워진 기판을 금속이 산화되지 않도록 환원분위기의 로 내에서 소정의 온도 범위에서 열처리하여 에치피트 내에 존재하는 잔존 금속과 탄화규소 기판과의 반응에 의한 합금을 형성하는 단계; 및 상기 에치피트 내에 합금이 채워진 기판을 고온 박막성장이 가능한 장치에 장착하여 탄화규소 에피탁시 박막을 성장시키는 단계를 포함하여 구성된다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 기존에 존재하는 기판내 결함들을 금속합금으로 선택적으로 충전함으로써 이후 성장되는 에피탁시 박막 내로 이러한 결함들의 침투를 원천적으로 봉쇄할 수 있다.Abstract translation: 在根据本发明的使用金属装料调试外延薄膜的制造方法中，1-30分钟的碳化硅单晶基板，其缺陷是存在于其中的温度范围内从约400℃〜700℃的KOH溶液 有选择地刻蚀衬底中存在的缺陷; 该缺陷是选择性钛的蚀刻的衬底（Ti），钽（Ta），钨（W）的表面上以沉积至厚度足以充分覆盖由任何金属形成，以选择性蚀刻所述蚀刻坑 步骤; 抛光其上沉积有金属的衬底的表面以去除除了蚀刻坑中存在的所有金属之外的所有金属; 形成通过衬底的金属的反应的合金已经填充蚀坑内只和剩余的金属和存在于蚀刻碳化硅衬底在还原气氛中，以防止通过热处理氧化在预定的温度范围坑金属; 并且将在蚀刻坑中填充有合金的衬底沉积到能够高温薄膜生长的设备中以生长碳化硅外延薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100710086B1
公开(公告)日：2007-04-20
申请号：KR1020050076844
申请日：2005-08-22
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H02M3/28
CPC classification number: Y02B70/16
Abstract: 본 발명은 스위치 모드 전원 공급 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 시스템으로 전원을 공급하는 스위치 모드 전원 공급 장치는 상용 교류 전압을 직류 전압으로 정류하는 정류부, 상기 직류 전압에 응답하여 스위칭 제어신호와 상기 시스템이 장시간 대기모드로 동작하면 상기 시스템으로 정지신호를 출력하는 전력 제어부, 그리고 상기 스위칭 제어신호에 따라 상기 시스템에 필요한 상기 전원을 생성하는 스위칭부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
스위치 모드 전원 공급 장치, 전력 제어부, 대기모드-
公开(公告)号：KR100695536B1
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：KR1020050121807
申请日：2005-12-12
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: A CVD apparatus having a dual substrate is provided to easily control the impurities generated in growing a thin film by preparing substrates on the upper and the lower surface of an inner path of a heating body through which material and diluent gases flow. A quartz pipe(310) is prepared as a reaction chamber for growing a thin film by an RF induction heating. An RF coil(320) for RF induction heating is installed on the outer circumferential surface of the quartz pipe. A heating body(330) supports and fixes a substrate for growing a thin film, supplying a path through which material and diluent gases(360) for CVD pass and inductively heated by the RF coil. An adiabatic material(340) blocks the heat generated from the heating body from the outside, installed between the inner circumferential surface of the quartz pipe and the heating body. Substrates(350a,350b) for growing a silicon carbide epitaxial thin film are formed on the upper and the lower surfaces of an inner path(330h) of the heating body. The adiabatic material doesn't come in contact with the inner wall of the quartz pipe so that mixture gas of the material gas and the diluent gas can flow to the inner path of the heating body and a space between the inner wall of the quartz pipe and the outer wall of the heating body.
Abstract translation: 提供具有双重衬底的CVD装置，以便通过在衬底上制备衬底，在材料和稀释气体流过的加热体的内部路径的下表面上容易地控制生长中产生的杂质。 准备石英管（310）作为通过RF感应加热来生长薄膜的反应室。 用于RF感应加热的RF线圈（320）安装在石英管的外周表面上。 加热体（330）支撑和固定用于生长薄膜的衬底，提供用于CVD的材料和稀释气体（360）通过并由RF线圈感应加热的路径。 绝热材料（340）将从加热体产生的热从外部阻断，安装在石英管的内圆周表面和加热体之间。 用于生长碳化硅外延薄膜的衬底（350a，350b）形成在加热体的内部路径（330h）的上表面和下表面上。 绝热材料不与石英管的内壁接触，使得材料气体和稀释气体的混合气体能够流向加热体的内部路径，并且石英管的内壁 和加热体的外壁。
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公开(公告)号：KR100603215B1
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1020040108391
申请日：2004-12-18
Applicant: 한국전기연구원
IPC: C23C16/32
Abstract: 본 발명에 따른 이중 가스 주입장치를 갖는 고온 화학 기상 증착 장치는, 반응실을 이루는 석영관; 그 내부에 박막성장을 위한 기판이 설치되며, 박막 성장을 위한 열을 발생하는 발열체; 발열체를 지지하는 한편 수소 및 원료가스의 발열체쪽으로의 유동 통로를 제공하는 지지대; 석영관의 몸체 외주에 권취되며, 발열체를 가열하기 위한 고주파 유도 가열용 코일; 석영관의 상부에 결합되며, 수소와 원료가스의 유출구가 마련되어 있는 반응실 상부 플랜지; 석영관의 하부에 결합되며, 수소 및 원료가스의 주입구가 마련되어 있는 반응실 하부 플랜지를 구비하는 고온 화학 기상 증착 장치에 있어서,
상기 반응실 하부 플랜지에는 박막 성장을 위한 원료가스와 상기 발열체 내부측의 압력 유지를 위한 수소의 주입을 위한 수소 및 원료가스 주입구와, 상기 수소에 의한 발열체 내부측의 압력에 상응하는 발열체 외부측의 압력 유지와 발열체 외부의 열화 방지 및 발열체로부터 석영관으로의 열전달을 억제하는 불활성 가스의 주입을 위한 불활성 가스 주입구가 각각 별도로 마련되고, 상기 지지대는 수소 및 원료가스를 상기 발열체쪽으로 유동하도록 하는 통로를 제공하되, 상기 수소 및 원료가스 주입구를 통해 주입된 수소와 원료가스가 오직 발열체의 내부측으로만 유동될 수 있도록 그 측면벽이 밀폐된 원형관 형태로 구성된다.-
公开(公告)号：KR100589288B1
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：KR1020050004416
申请日：2005-01-18
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H04B3/54
Abstract: 본 발명에 따른 전력선 통신 모뎀의 대기전력 절감 장치는, 전력선 통신 모뎀의 전원공급장치와 모뎀 사이의 전력선 상에 설치되어 통신 대기시간 동안에 전원공급장치로부터 모뎀으로 공급되는 전원공급을 제어하는 장치로서, 상기 전력선에서 전원부분과 데이터 부분을 분리하기 위한 분리부; 상기 분리부에 의해 전원부분이 제거된 신호가 통신을 위한 데이터 신호인지를 판별하는 비교부; 상기 비교부의 결과 신호 및 상기 모뎀으로부터의 상태신호를 입력받아 모뎀의 주전원을 제어하기 위한 제어신호를 송출하는 제어부; 및 상기 제어부에서의 제어신호를 입력받아 모뎀에 공급되는 주전원을 제어하는 스위치 소자를 포함하여 구성된다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 통신 대기시간에서 데이터 유무 체크를 전력선 통신 모뎀이 아닌 상대적으로 전력소모가 적은 보조모듈로서의 본 발명의 대기전력 절감 장치가 그 기능을 수행하도록 함으로써 전력선 통신 모뎀 전체의 대기시간에서의 전력 소모량을 줄일 수 있는 장점이 있다.
전력선 통신, 모뎀, 대기전력Abstract translation: 根据本发明的电力线通信调制解调器装置的待机功率节省可被安装在用于控制在通信的等待时间提供给从电源的调制解调器电源的装置的电力线通信调制解调器，电源和调制解调器之间的电力线， 分离器，用于从电力线分离电力部分和数据部分; 比较单元，用于确定由所述分离单元从其去除所述电源部分的信号是否是用于通信的数据信号; 控制单元，用于接收比较单元的结果信号和来自调制解调器的状态信号，并发送用于控制调制解调器的主电源的控制信号; 以及开关元件，用于从控制单元接收控制信号并控制提供给调制解调器的主电源。
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公开(公告)号：KR102212956B1
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：KR1020150171099
申请日：2015-12-03
Applicant: 한국전기연구원
Abstract: 본발명은플라이백컨버터의출력전압감지회로에관한것으로서, 1차측권선과, 상기 1차측권선에유도결합되는 2차측권선및 2차측보조권선을포함하는플라이백컨버터의출력전압감지회로에있어서, 상기 1차측권선의일단에연결된스위칭소자의게이트전압신호의하강에지를감지하는하강에지감지부와, 상기 2차측보조권선의일단에인가되는피드백전압신호의변곡점을감지하는변곡점감지부와, 상기하강에지및 상기변곡점의감지여부에기초하여톱니파를생성하거나리셋하는톱니파생성부와, 생성된톱니파의제1 피크값을검출하는제1 피크값검출부와, 생성된톱니파와상기피드백전압신호를합산한제1 보정신호를생성하는신호합산부와, 상기게이트전압신호가오프상태일때 동작하여상기제1 보정신호의제2 피크값을검출하는제2 피크값검출부와, 상기제1 피크값에서상기제2 피크값을감산하여제2 보정신호를생성하는감산부와, 상기변곡점이감지되는시점의상기제2 보정신호의값을다음변곡점이감지되기전까지유지하는 S/H회로를포함하는것을특징으로한다. 이에따라, 플라이백컨버터의 2차측출력전압정보를가지는구간이항상피크값을유지하도록제어함으로써높은신뢰성을가지는출력전압정보를감지할수 있고, 레귤레이션특성이향상되어전체회로에서안정적인동작을할 수있는효과가있다.
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