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公开(公告)号：KR20210030850A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：KR1020200069145A
申请日：2020-06-08
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L29/423 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/8234 , H01L29/16 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/4236 , H01L21/02167 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/823462 , H01L29/1608 , H01L29/66045 , H01L29/78
Abstract: 본 발명은 트렌치 게이트형 SiC MOSFET 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 트렌치 게이트형 SiC MOSFET 디바이스는, SiC 기판(예, n형 4H-SiC 기판)에 형성된 게이트 트렌치를 덮는 게이트 산화막, 상기 게이트 트렌치 영역에서 상기 게이트 산화막 하부에 형성된 도핑된 웰(예, BPW), 상기 게이트 산화막이 덮인 상기 게이트 트렌치 내부에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 위에 형성된 층간절연막, 상기 기판의 에피택셜층의 전면에 형성된 소스 영역을 위한 도핑층의 상면과 상기 층간절연막의 상면을 덮는 소스 전극 및 상기 기판의 배면에 형성된 드레인 전극을 포함한다.
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2.发明专利
公开(公告)号：KR20210025879A
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020190105826A
申请日：2019-08-28
Applicant: 한국전기연구원 , 부산대학교 산학협력단
IPC: H02P21/14 , H02P21/22 , H02P25/022
CPC classification number: H02P21/14 , H02P21/22 , H02P25/022 , H02P2207/055
Abstract: 본 발명은 NLMS 적응 필터를 이용한 SPMSM 구동 시스템 파라미터 추정 장치 및 방법을 공개한다.
본 발명은 NLMS 알고리즘을 이용하여 온라인으로 SPMSM 구동 시스템의 전기 파라미터를 추정함으로써, 종래 기술에 따른 RLS(Recursive Least Square), EKF(Extended Kalman Filter) 등의 적응 필터를 이용한 전기 파라미터 추정 방법에 비하여, 연산의 복잡성과 메모리 요구량이 가장 낮아, 실제 시스템에 적용함에 있어 가장 낮은 CPU 부하율을 나타내는 효과가 있다.
또한, 종래의 다른 적응 필터 알고리즘 기반 파라미터 추정 방식은 모터 구동 시스템 전체 응용프로그램 중 하나로서 동작하게 되는데, 고유의 계산 복잡성과 메모리 요구량 때문에, 가장 빠른 주파수로 동작해야 할 전류 제어 루프에 편입시켜 동작시킬 수 없지만, 본 발명의 NLMS 적응 필터를 이용한 전기 파라미터 추정 방식은 전류 제어 루프와 같은 주파수로 동작시켜도 전체 모터 구동 시스템의 동작에 영향을 작게 미치므로써 온라인 파라미터 추정에 있어 그 활용성이 다양하고, 전기적 파라미터를 모터의 일반적인 제어 상황에서 실시간으로 추정 할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：WO2013070003A1
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：PCT/KR2012/009430
申请日：2012-11-09
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H05B37/02
CPC classification number: H05B33/0818 , H05B33/0845
Abstract: 본 발명은 발광다이오드의 밝기 제어가 가능한 발광다이오드 구동 장치에 관한 것으로, 본 발명의 일면에 따른 발광다이오드의 밝기 제어가 가능한 발광다이오드 구동 장치는 발광다이오드의 점멸 및 밝기를 제어하기 위한 점멸제어신호를 입력 받으며, 회로 구동을 위한 소정의 구동 전압을 제공받아 구동 전압을 복수개의 전압 레벨로 나누고, 점멸제어신호에 따라 복수개의 전압레벨 중 하나의 전압레벨을 선택하여, 선택된 전압레벨에 따른 점멸기준신호를 출력하는 전압레벨선택부와, 점멸기준신호를 입력 받으며, 점멸기준신호의 전압레벨에 기초하여 발광다이오드를 구동하기 위한 전류를 제어하기 위한 제어신호를 생성하여 출력하는 제어부와, 전류에 의해 발광다이오드를 구동하는 구동부를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及用于驱动可控制发光二极管的亮度的发光二极管的装置。 根据本发明的一个方面的用于驱动可控制发光二极管的亮度的发光二极管的装置包括：电压电平选择单元，其接收用于控制发光二极管的闪烁和亮度的闪烁控制信号， 发射二极管，接收用于驱动电路的给定驱动电压，将驱动电压分为多个电压电平，响应于闪烁控制信号选择多个电压电平中的一个，并根据所选择的输出输出闪烁参考信号 电压电平; 控制单元，其接收闪烁参考信号，并且基于闪烁参考信号的电压电平产生并输出用于控制用于驱动发光二极管的电流的控制信号; 以及通过电流驱动发光二极管的驱动单元。
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公开(公告)号：WO2019027099A1
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：PCT/KR2017/012306
申请日：2017-11-02
Applicant: 한국전기연구원
Abstract: 본 발명은 마스터와 슬레이브들 간의 동기화 오차를 추정하고 보상하여 이더캣 네트워크에 연결된 모든 슬레이브들과 마스터가 보다 정밀하게 동기화될 수 있게 하는 동기화 오차 보상시스템 및 그 동기화 오차 보상방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명의 동기화 오차 보상시스템에서, 마스터는, 복수의 슬레이브 중 동기화 기준이 되는 첫 번째 슬레이브인 참조 슬레이브로부터 참조 슬레이브의 참조 시간과 마스터의 시스템 시간 간의 시간 차이값과 오프셋 시간을 주기적으로 수집하고, 참조 슬레이브 이외의 슬레이브들로부터 오프셋 시간을 주기적으로 수집하는 수집부와, 수집부로부터 복수의 시간 차이값이 수집되면, 수집된 시간 차이값들의 평균값을 동기화 오차로 계산하는 동기화 오차 계산부 및 동기화 오차 계산부로부터 계산된 동기화 오차와 수집부로부터 수집된 오프셋 시간을 이용하여 신규 오프셋 시간을 계산하고, 계산된 신규 오프셋 시간을 참조 슬레이브를 포함하는 각 슬레이브로 전송하여 동기화 오차를 보상하게 하는 동기화 오차 보상부를 포함하는 동기화 오차 보상시스템을 제공한다.
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公开(公告)号：WO2021049801A1
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：PCT/KR2020/011654
申请日：2020-08-31
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L29/423 , H01L29/16 , H01L21/02 , H01L21/8234 , H01L21/324 , H01L21/265 , H01L29/66 , H01L29/78
Abstract: 본 발명은 트렌치 게이트형 SiC MOSFET 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 트렌치 게이트형 SiC MOSFET 디바이스는, SiC 기판(예, n형 4H-SiC 기판)에 형성된 게이트 트렌치를 덮는 게이트 산화막, 상기 게이트 트렌치 영역에서 상기 게이트 산화막 하부에 형성된 도핑된 웰(예, BPW), 상기 게이트 산화막이 덮인 상기 게이트 트렌치 내부에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 위에 형성된 층간절연막, 상기 기판의 에피택셜층의 전면에 형성된 소스 영역을 위한 도핑층의 상면과 상기 층간절연막의 상면을 덮는 소스 전극 및 상기 기판의 배면에 형성된 드레인 전극을 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2012161528A3
公开(公告)日：2012-11-29
申请号：PCT/KR2012/004109
申请日：2012-05-24
IPC: H05B37/02
Abstract: 본 발명은 엘이디 구동 제어 장치 및 이의 구동 전류 제어 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 교류 전원을 이용하여 직류 구동 엘이디 모듈 또는 교류 구동 엘이디 모듈을 구동시키는 것이 가능한 엘이디 구동 제어 장치 및 이의 구동 전류 제어 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 입력 전압이 변동되더라도 정전류 또는 정전력 제어에 의해 엘이디 어레이의 구동 전류를 정현파 형태로 출력할 수 있으므로 고조파 억제, 역률 개선, 플리커 현상 최소화, 및 엘이디 어레이 및 엘이디 구동 제어 회로의 온도 상승을 방지할 수 있는 효과를 갖는다.
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公开(公告)号：WO2018194336A1
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：PCT/KR2018/004407
申请日：2018-04-17
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L29/66 , H01L29/872
Abstract: 본 발명은 폴리실리콘을 이용한 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 낮은 턴-온 전압을 가질 뿐만 아니라 역방향 특성을 향상시킬 수 있는 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 실리콘카바이드 기판의 상부에 에피택시얼층, 폴리실리콘, 산화막 및 포토레지스트를 차례대로 형성하는 제1단계; 포토레지스트를 패터닝하여 포토레지스트패턴을 형성한 후, 포토레지스트패턴으로 산화막을 식각하여 산화막패턴을 형성하는 제2단계; 산화막패턴으로 폴리실리콘을 식각하여 폴리실리콘패턴을 형성하고, 포토레지스트패턴을 제거하는 제3단계; 산화막패턴으로 에피택시얼층 바닥 영역을 소정의 깊이로 식각하여 에피택시얼패턴을 형성한 후, 산화막패턴을 제거하여 트렌치를 완성하는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘을 이용한 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법을 기술적 요지로 한다.
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公开(公告)号：WO2016032069A1
公开(公告)日：2016-03-03
申请号：PCT/KR2014/012875
申请日：2014-12-26
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L29/16
CPC classification number: H01L29/16
Abstract: 본 발명은 높은 내압 특성을 갖는 SiC 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 SiC 반도체 소자는, 절연 또는 반절연성 SiC 기판; 상기 SiC 기판 내부에 형성된 복수의 반도체 영역들; 및 상기 SiC 기판 상에 형성되며, 상기 복수의 반도체 영역들을 전기적으로 연결하기 위한 전극들을 포함한다. 본 발명에 따른 SiC 소자는 절연 또는 반절연 SiC 기판에 고농도의 반도체 영역을 형성함으로써. 높은 내압 특성을 나타내고, 이온 주입 공정을 통해 구현될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有高耐压特性的SiC半导体元件及其制造方法。 根据本发明的SiC半导体元件包括：绝缘或半绝缘SiC衬底; 形成在SiC衬底内的多个半导体区域; 以及形成在所述SiC衬底上以便电连接所述多个半导体区域的电极。 根据本发明的SiC元件具有形成在绝缘或半绝缘的SiC衬底中的高密度半导体区域，从而表现出高耐压特性，并且可以通过离子注入工艺来实现。
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公开(公告)号：KR101623887B1
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：KR1020140078091
申请日：2014-06-25
Applicant: 한국전기연구원
CPC classification number: Y02B70/16
Abstract: 본발명은대기전력소비를최소화하기위한게이트오프구간을최대한늘리고, 전자기기의종류에적합한슬립모드주파수를용이하게조절할수 있도록하는대기전력저감모드를가지는클록생성회로에관한것으로, 외부로부터대기전력을저감하기위한슬립모드신호를입력받으면기설정된듀티비에따라다발성묶음주파수를생성하여트랜지스터의게이트를대기전력저감모드로구동시키는클록생성회로에있어서, 기설정된주기로분주된제1클록을제공하는메인클록부와; 상기제1클록을이용하여상기제1클록의주파수보다낮은주파수를생성및 제공하는보조클록부와; 상기제1클록의주파수에따라기설정된제1비트부터상기제1비트보다큰 제2비트까지카운팅연산하는스텝카운터와; 셋(Set) 입력은상기제1멀티플렉서의출력과연결되고리셋(Reset) 입력은상기스텝카운터의출력과연결되어, 상기스텝카운터의제2비트까지카운팅되는경우리셋동작하는래치부; 및상기제1클록및 상기래치부의출력에따라다발성묶음주파수를출력하는출력부;를포함하는것을기술적요지로한다.
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