公开(公告)号：KR1019940016617A

公开(公告)日：1994-07-23

申请号：KR1019920023355

申请日：1992-12-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박성호 ,  강진영 ,  박형무

IPC: H01L21/336

Abstract: 본 발명은 갈륨비소를 기판으로 사용하는 각종 화합물 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 화합물 반도체 기판(1)을 준비하는 공정과, 상기 반도체 기판(1)상에 유전체 박막(2)을 형성하는 공정과, 상기 유전체 박막(2) 상에 도포 및 감광막(3)을 식각하여 역메사 패턴의 식각된 부분을 갖는 공정과, 상기 역메사 패턴에 의해 노출된 상기 유전체 박막(2)을 상기 기판(1)에 대해 소정 각도로 경사되게 식각하는 공정과, 전자빔 가열방식을 이용하여 상기 식각공정과는 반대되는 방향의 경사각으로 상기 감광막(3)상에 게이트 금속(6)을 형성하되, 상기 역메사 패턴에 있어서 노출된 기판(1) 상에 역메사 구조의 게이트(7)가 형성하는 공정과, 게이트 금속(6)과 감광막(3) 및 유전체 박막(2)을 차례로 식각하여 상기 기판(1)에 형성된 역메사 구조의 게이트(7)만 남 게 하는 공정과, 상기 기판(1) 상에 도포된 소정 패턴의 감광막(3a)에 의해 오믹금속(8)을 형성하는 소스전극(9)과 드레인 전극(10) 및 게이트 전극을 형성하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR100073860B1

公开(公告)日：1994-05-23

申请号：KR1019900021811

申请日：1990-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종람 ,  이정희 ,  박성호 ,  김진섭 ,  박형무

IPC: H01L21/31

公开(公告)号：KR1019940004260B1

公开(公告)日：1994-05-19

申请号：KR1019900021807

申请日：1990-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이정희 ,  박성호 ,  이종람 ,  김진섭 ,  박형무

IPC: H01L21/335

Abstract: forming a n+-GaAs epitaxial layer 2, n+-GaAs sub-collector layer 3, n-GaAs collector layer 3, p+-base layer 4, n-AlGaAs emitter layer 5 and n+-GaAs cap layer 6 on a GaAs substrate 1 sequentially; forming a photoresist pattern 7 on the n+-GaAs cap layer 6; forming a collector contact region 2a by etching to the n+-GaAs sub-collector layer 3 using the photoresist pattern as a mask; forming a photoresist pattern 7a on the n+-GaAs cap layer 6, and forming a base contact region 4a and emitter contact region 6a by etching the GaAs cap layer 6 and AlGaAs emitter layer 5, and removing the photoresist pattern 7a; forming a AlAs passivation layer 8 and GaAs layer 9 on the collector contact region 2a, base contact region 4a and emitter contact region 6a at the normal temperature sequentially; selective etching the GaAs layer 9 and passivation layer 9; and forming a metal electrodes on the etched portion, thereby reducing the leakage current at the surface of the device.

Abstract translation: 在GaAs衬底1上依次形成n + -GaAs外延层2，n + -GaAs副集电极层3，n-GaAs集电极层3，p + - 基底层4，n-AlGaAs发射极层5和n + -GaAs覆盖层6 ; 在n + -GaAs覆盖层6上形成光刻胶图形7; 通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模对n + -GaAs副集电极层3进行蚀刻来形成集电极接触区域2a; 在n + -GaAs覆盖层6上形成光致抗蚀剂图案7a，通过蚀刻GaAs覆盖层6和AlGaAs发射极层5形成基极接触区域4a和发射极接触区域6a，并除去光致抗蚀剂图案7a; 在常温下依次在集电极接触区域2a，基极接触区域4a和发射极接触区域6a上形成AlAs钝化层8和GaAs层9; 选择性蚀刻GaAs层9和钝化层9; 并在蚀刻部分上形成金属电极，从而减少器件表面的漏电流。

公开(公告)号：KR100071537B1

公开(公告)日：1994-03-07

申请号：KR1019900021809

申请日：1990-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이정희 ,  박성호 ,  이종람 ,  김진섭 ,  박형무

IPC: H01L29/80

公开(公告)号：KR2019910002671Y1

公开(公告)日：1991-04-22

申请号：KR2019880022170

申请日：1988-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 문하연 ,  강봉수 ,  박성호

IPC: H05B6/64

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019900010913A

公开(公告)日：1990-07-11

申请号：KR1019880017968

申请日：1988-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장원익 ,  이용일 ,  김상호 ,  박성호 ,  유형준

IPC: H01L21/20

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR1019900005624A

公开(公告)日：1990-04-14

申请号：KR1019880011472

申请日：1988-09-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 심규환 ,  이재신 ,  박성호 ,  강진영

IPC: H01L29/76 ,  H01L29/78

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR100826541B1

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：KR1020060096165

申请日：2006-09-29

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  인하대학교 산학협력단

Inventor： 장경희 ,  허주 ,  박성호 ,  이희수 ,  안재영

IPC: H04L27/26 ,  H04L12/24 ,  H04B7/26

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
본 발명은 OFDM/SDMA 기반 셀룰러 시스템의 하향링크 자원할당 장치 및 방법에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 OFDM/SDMA 기반 셀룰러 시스템에서 MAC 계층 이상의 상위 계층에서의 QoS 파라미터(High Layer QoS parameter)를 고려함으로써 시스템 수율 손실을 최소화하면서 상위 계층에서의 QoS(High Layer QoS) 요구 조건을 반영할 수 있는 하향링크 자원할당 장치 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 OFDM/SDMA를 사용하는 이동통신시스템에서 사용자 단말로 무선자원을 할당하는 하향링크 자원할당 장치로서, 복수의 서브 밴드에 대하여 상기 단말에 대한 수율 최대화 메트릭을 생성하는 수율최대화 메트릭 생성부, 상기 단말이 요구하는 상위계층 QoS 정보를 획득하는 QoS 정보 획득부, 상기 QoS 정보를 이용하여 QoS 메트릭을 생성하는 QoS 메트릭 생성부, 및 상기 수율 최대화 메트릭 및 상기 QoS 메트릭을 이용하여 상기 복수의 서브 밴드 가운데 상기 단말로 할당할 서브 밴드를 선택하는 무선자원 할당부를 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 하향링크 자원할당을 수행하는 OFDM/SDMA 기반 시스템 등에 이용 됨.
OFDM, SDMA, 수율 최대화(Throughput Maximization), High Layer QoS

公开(公告)号：KR1020080030281A

公开(公告)日：2008-04-04

申请号：KR1020060096165

申请日：2006-09-29

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  인하대학교 산학협력단

Inventor： 장경희 ,  허주 ,  박성호 ,  이희수 ,  안재영

IPC: H04L27/26 ,  H04L12/24 ,  H04B7/26

CPC classification number: H04B7/2621 ,  H04B7/0697 ,  H04L27/26 ,  H04W72/02 ,  H04W72/0453 ,  H04W72/08

Abstract: Downlink radio resource allocation apparatus and method for guaranteeing QoS(Quality of Service) of each traffic data in an OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing)/SDMA(Space Division Multiple Access)-based cellular system are provided to be adopted in a multi-cell environment by considering adjacent cell interference information from the multi-cell environment in resource allocation. A downlink radio resource allocation apparatus includes a throughput maximization matrix generation unit, a QoS information obtaining unit(380), a QoS matrix generation unit, and a wireless resource allocation unit. The throughput maximization matrix generation unit generates a throughput maximization matrix of a mobile station for a plurality of sub bands. The QoS information obtaining unit obtains high layer QoS information needed in the mobile station. The QoS matrix generation unit generates a QoS matrix by using the QoS information. The wireless resource allocation unit selects the sub band allocated in the mobile station of the plurality of sub bands by using the throughput maximization matrix and the QoS matrix.

Abstract translation: 提供了一种用于在基于OFDM（正交频分复用）/ SDMA（空分多址）的蜂窝系统中保证每个业务数据的QoS（服务质量）的下行链路无线电资源分配装置和方法，用于多小区 通过在资源分配中考虑来自多小区环境的相邻小区干扰信息来实现环境。 下行链路无线电资源分配装置包括吞吐量最大化矩阵生成单元，QoS信息获取单元（380），QoS矩阵生成单元和无线资源分配单元。 吞吐量最大化矩阵生成单元为多个子带生成移动站的吞吐量最大化矩阵。 QoS信息获取单元获得移动台所需的高层QoS信息。 QoS矩阵生成单元通过使用QoS信息生成QoS矩阵。 无线资源分配单元通过使用吞吐量最大化矩阵和QoS矩阵来选择在多个子带的移动站中分配的子带。

公开(公告)号：KR100388489B1

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：KR1020010060457

申请日：2001-09-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 민병규 ,  박성호 ,  김성일 ,  이경호

IPC: H01L21/331

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a heterojunction bipolar transistor is provided to improve planarization and integration, by defining an isolation region through a selective ion implantation process, by growing a base layer and an emitter layer while using a dielectric layer as a mask and by simultaneously forming an emitter electrode, a base ohmic electrode and a collector ohmic electrode. CONSTITUTION: The isolation region(103) is defined in a semi-insulating compound semiconductor substrate(101). A sub collector layer(104) and a collector layer(105) are continuously grown on the compound semiconductor substrate. The collector layer is etched to define an intrinsic base region(106). The first dielectric layer is formed on a side surface and an upper surface of the collector layer. A base region is formed on the collector layer. The second dielectric layer is formed on the base layer(108) to expose the intrinsic base region. The emitter layer(110) and an emitter cap layer(111) are formed on the exposed base region. The first dielectric layer and the collector layer are etched to form an open region(112) for a collector electrode. A primary collector electrode(113) is formed in the open region for the collector electrode. The second dielectric layer is etched to expose an outer base region of the base region so that an open region(114) for a base electrode is formed. The emitter electrode(115), the base electrode(116) and a secondary collector electrode(117) are simultaneously formed on the emitter cap layer, the open region for the base electrode and the primary collector electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种制造异质结双极晶体管的方法，以通过选择性离子注入工艺限定隔离区，通过在使用介电层作为掩模并同时生长基极层和发射极层的同时，通过同时 形成发射极电极，基极欧姆电极和集电极欧姆电极。 构成：隔离区（103）被限定在半绝缘化合物半导体衬底（101）中。 在化合物半导体衬底上连续生长子集电极层（104）和集电极层（105）。 刻蚀集电极层以限定内部基极区（106）。 第一介电层形成在集电极层的侧表面和上表面上。 在集电极层上形成基极区域。 第二电介质层形成在基层（108）上以暴露本征基区。 发射极层（110）和发射极覆盖层（111）形成在暴露的基极区上。 蚀刻第一介电层和集电极层以形成用于集电极的开放区域（112）。 主集电极（113）形成在集电极的开放区域。 蚀刻第二电介质层以暴露基极区域的外部基极区域，从而形成用于基极的开放区域（114）。 发射极电极（115），基极电极（116）和次级集电极电极（117）同时形成在发射极覆盖层，基极电极和主集电极电极的开路区域上。