-
公开(公告)号：KR1020100041314A
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：KR1020080100439
申请日：2008-10-14
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L51/442 , H01L21/02118 , H01L21/32115 , H01L27/322 , H01L51/0533 , H01L51/5284
Abstract: PURPOSE: An OLED display is provided to improve high color gamut by forming a resonance control layer in a color filter. CONSTITUTION: A thin film transistor(100) is formed on a transparent substrate. A resonance control layer is formed in a pixel region of the thin film transistor. A color filter layer is formed on the resonance control layer. A planarization layer(110) is formed in the whole surface including the color filter layer. A first electrode(120) is formed on the pixel region of the planarization layer. The first electrode is electrically connected to the thin film transistor. An organic light-emitting layer(130) is formed on the first electrode. A second electrode(140) is formed on the organic light-emitting layer. The second electrode applies a common voltage to the pixel region.
Abstract translation: 目的：通过在滤色器中形成谐振控制层，提供OLED显示器来改善高色域。 构成：在透明基板上形成薄膜晶体管（100）。 谐振控制层形成在薄膜晶体管的像素区域中。 在谐振控制层上形成滤色器层。 在包括滤色器层的整个表面中形成平坦化层（110）。 第一电极（120）形成在平坦化层的像素区域上。 第一电极电连接到薄膜晶体管。 在第一电极上形成有机发光层（130）。 第二电极（140）形成在有机发光层上。 第二电极向像素区域施加公共电压。
-
公开(公告)号：KR100952425B1
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：KR1020080044268
申请日：2008-05-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/1343 , C09D5/24
Abstract: 본 발명은 미세 패터닝이 가능한 다층 투명 전도막에 관한 것으로, 상기 다층 투명 전도막은 ZnO, Al
2 O
3 , SnO
2 및 Sb
2 Ox를 포함하는 산화물층과 Ag를 주성분으로 하는 금속층을 교대로 적층하여 이루어진다. 본 발명에 따른 다층 투명 전도막은 인듐을 사용하지 않으면서, 낮은 면저항을 얻을 수 있으며, 또한 높은 가시광선 투과율을 얻을 수 있다.
전도막, 산화물, 금속-
公开(公告)号：KR1020090122546A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：KR1020080048419
申请日：2008-05-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: PURPOSE: A multilayer electric component including nothing indium transparent oxide conductive improving the constant resistance is provided to prevent the degradation of an electric component caused by high inter-layer contact resistance by forming low resistance transparent oxide conductive. CONSTITUTION: In a device, n oxide layers and n-1 oxide layers are laminated on the substrate(100) in a transparent oxide conductive(200). An upper functional layer(300) is formed on the transparent oxide conductive. An upper oxide layer(30) of the transparent oxide contacting the functional layer has a contact thickness of 0-10nm. The contact is finger shape. The upper oxide layer includes a first top oxide layer and the second top oxide layer. The thickness of the first top oxide layer is regarded as 90% to 70 about the total thickness of the top oxide layer.
Abstract translation: 目的：提供改善恒定电阻的不含铟透明氧化物导电性的多层电气部件，以通过形成低电阻透明氧化物导电性来防止由高层间接触电阻引起的电气成分的劣化。 构成：在器件中，在透明氧化物导电（200）中，在衬底（100）上层叠n个氧化物层和n-1个氧化物层。 在透明氧化物导电上形成上层功能层（300）。 与功能层接触的透明氧化物的上氧化物层（30）具有0-10nm的接触厚度。 触点是手指形状。 上部氧化物层包括第一顶部氧化物层和第二顶部氧化物层。 第一顶部氧化物层的厚度相对于顶部氧化物层的总厚度为90％至70。
-
公开(公告)号：KR1020090111967A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：KR1020080037601
申请日：2008-04-23
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L51/0008 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5092 , H01L2224/05193
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting device having heat dissipation layer and manufacturing method thereof are provided to suppress a temperature rise of the organic electroluminescent by a heat dissipation layer. CONSTITUTION: The organic electro-luminescent device(1) includes the heat dissipation layer(100) and luminous unit(200). The heat dissipation layer is formed in one place among the lower and the top or the inside part of the luminous unit. The luminous unit includes the substrate(210), the first electrode(anode)(220), and hole injection and transmission layer(230), the light-emitting layer(240), and an electrotransport, the implanted layer(250) and the second electrode(cathode)(260). The heat dissipation layer is formed by the thickness of 2,000A or 500 by the sputtering method.
Abstract translation: 目的：提供一种具有散热层的有机发光器件及其制造方法，以通过散热层抑制有机电致发光器件的温度升高。 构成：有机电致发光器件（1）包括散热层（100）和发光单元（200）。 散热层形成在发光单元的下部和顶部或内部之间的一个位置。 发光单元包括基板（210），第一电极（阳极）（220）和空穴注入透射层（230），发光层（240）和电输运，注入层（250）和 第二电极（阴极）（260）。 散热层通过溅射法由2000A或500的厚度形成。
-
公开(公告)号：KR1020090110193A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：KR1020080058878
申请日：2008-06-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01B1/08
CPC classification number: H01L29/263 , H01L29/78693
Abstract: PURPOSE: An oxide semiconductor thin film, an electro magnetic field effect transistor and a manufacturing method thereof are provided to obtain a transparent oxide semiconductor thin film without using metallic element. CONSTITUTION: An oxide semiconductor thin film, an electro magnetic field effect transistor and a manufacturing method thereof include an aluminium contained oxide, a zinc contained oxide, and a contained oxide. The oxide semiconductor thin film is in an amorphous state which is under 400 degrees. The field effect transistor includes a source/drain electrode, a gate insulating layer(30), an active layer(50), and a gate electrode(20) on the substrate.
Abstract translation: 目的：提供氧化物半导体薄膜，电磁场效应晶体管及其制造方法，以获得不使用金属元素的透明氧化物半导体薄膜。 构成：氧化物半导体薄膜，电磁场效应晶体管及其制造方法包括含铝的氧化物，含锌的氧化物和含有的氧化物。 氧化物半导体薄膜处于400度以下的非晶状态。 场效应晶体管在基板上包括源极/漏极，栅极绝缘层（30），有源层（50）和栅电极（20）。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090108516A
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：KR1020080044268
申请日：2008-05-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/1343 , C09D5/24
CPC classification number: G02F1/13439 , C23C14/086 , G02F1/13471 , H01L51/5215
Abstract: PURPOSE: A multilayer transparent insulation layer capable of performing minute pattern is provided to indicate etch resistance when forming a contact hole on top of the insulation layer without using indium. CONSTITUTION: A multilayer transparent oxide conductive pattern is as follows. An oxide layer(20) of a metal layer is laminated. The oxide layer includes ZnO, Al2O3 and SnO2. A metal layer(30) includes Ag by a main component. An oxide layer(40) includes Sb2Ox. The thickness of the oxide layer is the range between 55nm and 30nm. The thickness of the metal layer is the range between 12nm and 5nm.
Abstract translation: 目的：提供能够执行微小图案的多层透明绝缘层，以在不使用铟的情况下在绝缘层顶部形成接触孔时表示耐蚀刻性。 构成：多层透明氧化物导电图案如下。 层叠金属层的氧化物层（20）。 氧化物层包括ZnO，Al 2 O 3和SnO 2。 金属层（30）由主要成分构成Ag。 氧化物层（40）包括Sb 2 O x。 氧化物层的厚度在55nm和30nm之间。 金属层的厚度在12nm和5nm之间。
-
公开(公告)号：KR100916331B1
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：KR1020070133532
申请日：2007-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 3차원 영상 표시 방법 및 장치에 관한 것으로, 적은 수의 투명 디스플레이 패널을 적층하여 실제와 같은 3차원 영상을 출력하기 위한 장치 및 방법을 제공한다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 투명 디스플레이 패널을 이용한 3차원 영상 표시 방법은, 서로 거리를 가지도록 적층된 하나 이상의 투명 디스플레이 패널을 상기 투명 디스플레이 패널의 적층 방향을 따라 상기 거리만큼 왕복 운동시키는 단계; 및 상기 왕복 운동 중에 3차원 영상 데이터의 깊이 정보 및 상기 투명 디스플레이 패널의 위치 정보를 기반으로 상기 3차원 영상 데이터를 각각의 상기 투명 디스플레이 패널에 2차원 영상 데이터로 분배하여 출력하는 단계를 포함한다.
투명 디스플레이, 3차원 영상-
公开(公告)号：KR1020090065263A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020070132744
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/7869
Abstract: A transparent electronic device and a manufacturing method thereof are provided to improve total mobility and stability by forming thinly a second channel layer with a material having low resistivity and high mobility on a top part, a bottom part or an inner part. A first channel layer(130) is formed on an upper surface of a substrate(110). The first channel layer includes a source area, a drain region, and a channel region. A second channel layer(140) is formed in one of a top part, a bottom part or an inner part of the channel region. The channel layer is made of a material having low resistivity and high mobility. A transparent electrode(160) is formed on an upper part of the source region and an upper part of the drain region. A gate insulating layer is formed in a top part of the transparent electrode. The gate electrode is formed at a top part of the gate insulating layer.
Abstract translation: 提供一种透明电子器件及其制造方法，以通过在顶部，底部或内部部分上形成具有低电阻率和高迁移率的材料的薄的第二沟道层来提高总迁移率和稳定性。 第一沟道层（130）形成在衬底（110）的上表面上。 第一沟道层包括源极区，漏极区和沟道区。 第二沟道层（140）形成在沟道区的顶部，底部或内部的一个中。 沟道层由具有低电阻率和高迁移率的材料制成。 透明电极（160）形成在源极区域的上部和漏极区域的上部。 在透明电极的顶部形成有栅极绝缘层。 栅电极形成在栅极绝缘层的顶部。
-
公开(公告)号：KR100892345B1
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：KR1020070034778
申请日：2007-04-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 투명 전자소자용 배선구조물에 관한 것으로, 본 발명에 의한 투명 전자소자용 배선구조물은 기판 상에 형성되는 투명성을 갖는 하부 전도층; 상기 하부 전도층 상에 형성되는 투명성을 갖는 절연층; 상기 절연층 상에 형성되는 투명성을 갖는 배선층; 및 상기 하부 전도층과 상기 배선층을 전기적으로 연결하는 접촉부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 투명 하부 전도층과 배선층의 이중 전도층을 이용한 투명 배선구조를 통해 투명도의 손실이 거의 없으면서 투명 배선의 저항값을 크게 낮출 수 있으므로, 투명 배선의 성능을 크게 높일 수 있는 투명 전자소자 또는 투명 전자 회로를 제작할 수 있다.
투명 배선, 투명 전자소자, 이중 전도체, 금속 스페이서-
公开(公告)号：KR100877153B1
公开(公告)日：2009-01-09
申请号：KR1020070051792
申请日：2007-05-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/20
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/0237 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/0262 , H01L29/66969
Abstract: 본 발명은 전구체들 간의 표면화학반응을 이용하여 반도체막의 결정 크기 및 캐리어 양을 조절할 수 있는 전자소자용 ZnO 반도체막 형성방법 및 상기 반도체막을 포함하는 박막 트랜지스터에 관한 것이다.
본 발명 중 전자소자용 ZnO 반도체막 형성방법은 a) 챔버 내에 기판을 배치하는 단계; b) 상기 챔버 내에 아연 전구체를 주입하여 상기 기판 상에 상기 아연 전구체를 흡착시키는 단계; c) 상기 챔버 내에 질소 또는 비활성 기체를 주입하여 잔여 아연 전구체를 제거하는 단계; d) 상기 기판 상에 형성된 상기 아연 전구체와 반응하도록 상기 챔버 내에 산소 전구체를 주입하여 ZnO 반도체막을 형성하는 단계; e) 상기 챔버 내에 질소 또는 비활성 기체를 주입하여 잔여 산소 전구체를 제거하는 단계; f) 상기 a) 내지 e) 단계를 반복 수행하는 단계; g) 산소 플라즈마 또는 오존을 이용하여 상기 ZnO 반도체막의 표면처리를 반복적으로 수행하는 단계; h) 상기 챔버 내에 질소 또는 비활성 기체를 주입하여 잔여 산소 전구체 및 잔여 아연 전구체를 제거하는 단계 및 i) 상기 a)단계 내지 상기 h) 단계를 반복하여 상기 ZnO 반도체막의 두께를 조절하는 단계를 포함한다.
이에 따라, 투명한 기판을 사용하여 투명 박막 트랜지스터를 형성함으로써, 투명 디스플레이를 구현할 수 있고, 플레서블 기판을 사용하여 플렉서블 디스플레이를 구현할 수 있다. 또한, 반도체막의 결정은 증가시켜 이동도는 향상시키고 캐리어양을 조절하여 누설전류를 감소시킴으로써 특성이 우수한 반도체막을 형성할 수 있다.
산화물 트랜지스터, 플렉시블 트랜지스터, ZnO 반도체막, 원자층 증착법
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
291
records
(took 0.051 seconds)
