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公开(公告)号：KR1020120055173A
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：KR1020100116736
申请日：2010-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22 , G11C7/10 , G11C7/22 , G11C11/223 , G11C11/2273 , G11C11/2275
Abstract: PURPOSE: A memory cell and a memory device using the same are provided to improve stability by preventing an electrode from being floated in a memory array area. CONSTITUTION: A ferroelectric transistor(110) is provided. A plurality of switching devices(111,112,113) are electrically combined with the ferroelectric transistor. A plurality of control lines transmit each control signal for controlling a plurality of switching device to each switching device. The plurality of switching devices are individually controlled based on each control signal to prevent each electrode of the ferroelectric transistor from being floated.
Abstract translation: 目的：提供一种存储单元和使用其的存储器件，以通过防止电极浮在存储器阵列区域来提高稳定性。 构成：提供铁电晶体管（110）。 多个开关器件（111,112,113）与铁电晶体管电气组合。 多个控制线将用于控制多个开关装置的每个控制信号发送到每个开关装置。 基于每个控制信号单独地控制多个开关装置，以防止铁电晶体管的每个电极浮动。
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公开(公告)号：KR100974887B1
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：KR1020070132753
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 투명 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 하부 게이트 구조 투명 박막 트랜지스터의 장기적 안정성을 확보하고 공정 중의 특성 변화를 최소화하며, 박막 트랜지스터의 투명성을 유지하기 위하여 폴리머 물질의 보호막을 비교적 낮은 온도의 공정으로 형성하는 방법을 제공한다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 폴리머 보호막이 형성된 투명 박막 트랜지스터는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 상에 형성된 반도체 활성층; 상기 반도체 활성층의 양단에 각각 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 반도체 활성층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 덮는 폴리머 물질의 보호막을 포함한다.
폴리머 보호막, 하부 게이트 구조, 투명 박막 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020130084848A
公开(公告)日：2013-07-26
申请号：KR1020120005744
申请日：2012-01-18
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L51/5268 , B82Y20/00 , H01L51/0096 , H01L2251/105 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/5281 , H01L51/5203 , H05B33/10 , H05B33/22
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting device and a manufacturing method of the organic light emitting device are provided to improve light extraction by suppressing the reflected light at a boundary surface between a substrate and a first electrode. CONSTITUTION: A substrate (111), a first electrode, an organic light emitting layer (113), and a second electrode are laminated on a light emitting unit (110). A nanostructure (120) includes a first opening (121) randomly distributed between the substrate and the first electrode. The nanostructure includes at least one of polyimide having a refractive index of 1.3 to 1.5, epoxy, polycarbonate, PVC, PVP, polyethylene, polyacryl, and parylene.
Abstract translation: 目的：提供有机发光器件和有机发光器件的制造方法，以通过抑制衬底和第一电极之间的边界面处的反射光来改善光提取。 构成：在发光单元（110）上层压基板（111），第一电极，有机发光层（113）和第二电极。 纳米结构（120）包括随机分布在基板和第一电极之间的第一开口（121）。 纳米结构包括折射率为1.3至1.5的聚酰亚胺中的至少一种，环氧树脂，聚碳酸酯，PVC，PVP，聚乙烯，聚丙烯和聚对二甲苯。
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公开(公告)号：KR1020110134145A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：KR1020100053968
申请日：2010-06-08
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: PURPOSE: A memory cell and a memory device using the same are provided to improve integrity of the memory cell by reducing the number of wires for one memory cell. CONSTITUTION: A reference voltage is applied to a drain of a ferroelectric transistor. A first switch connects a source of the ferroelectric transistor to a first line(L1) in response to a scan signal. A second switch(TB) connects a gate of the ferroelectric transistor to a second line(L2) in response to the scan signal. The scan line is connected to the gate of the first switch and the second switch and applies the scan signal. A reference line is connected to the drain of the ferroelectric transistor.
Abstract translation: 目的：提供一种存储单元和使用该存储单元的存储器件，以通过减少一个存储器单元的导线数来改善存储单元的完整性。 构成：将参考电压施加到铁电晶体管的漏极。 第一开关响应于扫描信号将铁电晶体管的源极连接到第一线（L1）。 第二开关（TB）响应于扫描信号将铁电晶体管的栅极连接到第二线（L2）。 扫描线连接到第一开关和第二开关的栅极并施加扫描信号。 参考线连接到铁电晶体管的漏极。
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公开(公告)号：KR1020090065966A
公开(公告)日：2009-06-23
申请号：KR1020070133532
申请日：2007-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L2251/5323
Abstract: A 3D(Dimensional) image display device using a transparent display panel and a method thereof are provided to output 3D image data like a real object by using a few of transparent display panels. A display unit(320) is formed by stacking more than one transparent display panel(321-330), in which a 2D image is displayed, at intervals. A vibration controller(340) controls reciprocating motion of the display unit along a direction for stacking the transparent display panels as much as the interval. An image controller(310) receives 3D image data. The image controller receives location information of the transparent display panel according to the reciprocating motion from the vibration controller.
Abstract translation: 提供使用透明显示面板的3D（尺寸）图像显示装置及其方法，通过使用少数透明显示面板来输出像真实物体的3D图像数据。 通过以间隔堆叠多于一个的透明显示面板（321-330）形成2D图像来形成显示单元（320）。 振动控制器（340）控制显示单元沿用于堆叠透明显示面板的方向的间隔的间隔的往复运动。 图像控制器（310）接收3D图像数据。 图像控制器根据来自振动控制器的往复运动接收透明显示面板的位置信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101783933B1
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：KR1020100116736
申请日：2010-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 강유전체트랜지스터, 강유전체트랜지스터와전기적으로결합된복수의스위칭소자, 및복수의스위칭소자를제어하기위한각각의제어신호를각각의스위칭소자에게전달하기위한복수의제어라인을포함하고, 강유전체트랜지스터의각 전극이플로팅(floating)되지않도록, 복수의스위칭소자가각각의제어신호에기초하여개별적으로제어되도록구성되는메모리셀이제공된다.
Abstract translation: 一个铁电晶体管，与该铁电晶体管电耦合的多个开关元件，以及多个控制线，用于将用于控制该多个开关元件的各个控制信号传输到各个开关元件， 控制多个开关元件以便基于各个控制信号单独控制以不浮动。
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公开(公告)号：KR101395086B1
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：KR1020100053968
申请日：2010-06-08
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 본 발명은 메모리 셀 및 이를 이용한 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 저장 수단으로서 강유전체 트랜지스터를 구비한 비휘발성 비파괴 판독형 랜덤 억세스 메모리 셀 및 이를 이용한 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명은 메모리 셀에 있어서, 드레인에 기준 전압이 인가되는 강유전체 트랜지스터; 스캔 신호에 응답하여 상기 강유전체 트랜지스터의 소스를 제1라인에 연결시키는 제1스위치; 및 스캔 신호에 응답하여 상기 강유전체 트랜지스터의 게이트를 제2라인에 연결시키는 제2스위치를 포함한다. 본 발명에 따르면, 랜덤 억세스가 가능하며, 리드 동작시 비파괴형으로 동작하는 메모리 장치를 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101201891B1
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：KR1020090026068
申请日：2009-03-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28291 , H01L29/78391 , H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터에 대한 것으로, 이 소자는투명 기판 위에 형성되어 있는 소스 및 드레인 전극, 상기 소스 및 드레인 전극 및 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 상기 투명 기판 위에 형성되어 있는 투명 반도체 박막, 상기 투명 반도체 박막 위에 형성되어 있는 유기 강유전체 박막, 그리고 상기 유기 강유전체 박막 위에 상기 투명 반도체 박막과 정렬하여 형성되어있는 게이트 전극을 포함한다. 따라서, 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터는 유기물 강유전체 박막과 산화물 반도체 박막을 사용하고, 상기 유기물 강유전체 박막 하부 및 상에 보조 절연막을 형성함으로써, 저온 공정이 가능하고 저렴하게 제작이 가능한 투명 비휘발성 메모리 소자를 실현할 수 있다.
투명, 비휘발성, 메모리, 유기 강유전체, 산화물 반도체-
公开(公告)号：KR1020120006218A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：KR1020100066837
申请日：2010-07-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/28291 , H01L29/22 , H01L29/516 , H01L29/78391 , H01L27/11502
Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory transistor with a dual gate structure is provided to apply operating voltage by connecting a first gate electrode and a second gate electrode, thereby improving electric field mobility characteristics. CONSTITUTION: A first gate electrode(102) is arranged on a substrate(100). A first gate insulating film(104) is arranged on the first gate electrode. Source and drain electrodes(106) are arranged on the first gate insulating film. A channel film is arranged on the first gate insulating film between the source and drain electrodes. A second gate insulating film(112A) is arranged on the channel film. A second gate electrode(118) is arranged on the second gate insulating film.
Abstract translation: 目的：提供具有双栅极结构的非易失性存储晶体管，通过连接第一栅电极和第二栅电极来施加工作电压，从而提高电场迁移率特性。 构成：第一栅电极（102）布置在基板（100）上。 第一栅极绝缘膜（104）布置在第一栅电极上。 源极和漏极（106）布置在第一栅极绝缘膜上。 沟道膜布置在源极和漏极之间的第一栅极绝缘膜上。 第二栅极绝缘膜（112A）布置在沟道膜上。 第二栅极电极（118）布置在第二栅极绝缘膜上。
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公开(公告)号：KR1020100121107A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：KR1020090040094
申请日：2009-05-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16 , H01L27/1159 , G11C11/15 , H01L21/28291 , H01L21/3065 , H01L29/6684
Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory device using organic ferroelectric thin film and a manufacturing method thereof are provided to improve the manufacturing yield and operation performance of a transparent and flexible non-volatile memory by offering the most appropriate photoresist stripping liquid and a photo lithography process. CONSTITUTION: A conductive thin film layer or a semiconductor film layer(202) is formed on a substrate(200). An organic ferroelectric thin film layer(204) is formed on the top of the conductive thin film layer or the semiconductor film layer. A top electrode layer(206) is formed on the top of the organic ferroelectric thin film layer.
Abstract translation: 目的：提供使用有机铁电薄膜的非易失性存储器件及其制造方法，以通过提供最合适的光致抗蚀剂剥离液体和光刻工艺来提高透明和柔性非易失性存储器的制造成品率和操作性能 。 构成：在衬底（200）上形成导电薄膜层或半导体膜层（202）。 在导电薄膜层或半导体膜层的顶部形成有机铁电薄膜层（204）。 顶部电极层（206）形成在有机铁电薄膜层的顶部。
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