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公开(公告)号：CN104955765B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201380071919.3
申请日：2013-02-01
Applicant: 韩国科学技术院
IPC: B81B1/00
CPC classification number: B81C1/00595 , B81B2203/0109 , B81C2201/0109 , B81C2201/0133
Abstract: 本发明公开一种将非晶碳薄膜利用为牺牲层的MEMS器件制造方法。根据本发明的一实施例，包括如下步骤：形成下部结构物；作为牺牲层，在所述下部结构物上形成非晶碳薄膜；在所述非晶碳薄膜上形成包括传感器结构的上部结构物；消除所述非晶碳薄膜而使所述下部结构物与所述上部结构物相互隔离地布置。
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公开(公告)号：CN103328688B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201280006276.X
申请日：2012-01-24
Applicant: 梅姆斯塔有限公司
Inventor： 安东尼·奥哈拉
IPC: C23F1/44 , B81C1/00 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/30604 , B81C1/00595 , B81C2201/0109 , B81C2201/0132 , H01L21/31116
Abstract: 通过蚀刻剂气体即氟化氢（HF）蒸汽的使用，以对MEMS内的其它部分且尤其是氮化硅（Si3N4）部分的较高选择性，在微结构比如微机电结构（MEMS）中进行牺牲二氧化硅（SiO2）部分的蚀刻。这是通过适合用于增加HF蒸汽内的二氟化物反应物质（HF2-和H2F2）与一氟化物反应物质（F-和HF）的比率的第二非蚀刻剂气体的添加来实现的。第二非蚀刻剂气体可以包括氢化合物气体。HF蒸汽内的二氟化物反应物质（HF2-和H2F2）与一氟化物反应物质（F-和HF）的比率还可以通过将蚀刻操作温度设定到20℃或以下来增加。
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公开(公告)号：CN102906008B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180025545.2
申请日：2011-06-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成微机电系统（MEMS）的方法包括在MEMS的腔体内的第一绝缘体层上形成下电极。该方法还包括在下电极的顶部上的另一绝缘材料之上形成上电极，上电极与下电极至少部分地接触。下电极和上电极的形成包括调整下电极和上电极的金属体积以修改梁弯曲。
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公开(公告)号：CN104050986A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410086587.2
申请日：2014-03-11
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/60
CPC classification number: G11B5/3176 , B81C1/00611 , B81C2201/0109 , C09K13/00 , C23F4/00 , G03F7/0041 , G11B5/1278 , G11B5/187 , G11B5/232 , G11B5/235 , G11B5/3109 , G11B5/3116 , G11B5/3143 , G11B5/3163
Abstract: 本申请公开了磁性材料之间的间隙。根据一个实施例，一种方法可通过如下实施：在磁性材料的主磁极层上沉积材料的非磁性间隙层；在材料的非磁性间隙层上沉积材料的牺牲层；蚀刻所述材料的牺牲层的部分，并不完全去除所述材料的牺牲层；并将其他的牺牲材料沉积到所蚀刻的牺牲层。
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公开(公告)号：CN102530831B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201010607826.6
申请日：2010-12-27
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/0015 , B81B2203/0118 , B81B2207/07 , B81C1/00293 , B81C2201/0109 , B81C2201/0125 , B81C2203/0145 , G01P15/0802 , G01P2015/0828 , H03H3/0072
Abstract: 本发明提供了一种的MEMS器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有金属互连结构；在所述半导体衬底的表面形成第一牺牲层，所述第一牺牲层的材质为无定形碳；刻蚀所述第一牺牲层形成第一凹槽；在所述第一牺牲层表面覆盖形成第一介质层；采用化学机械研磨工艺减薄所述第一介质层，直至露出所述第一牺牲层；在所述第一牺牲层表面形成微机械结构层，并曝露出第一牺牲层，所述微机械结构层的部分与所述第一介质层连接。本发明采用先形成牺牲介质层，并图形化所述牺牲介质层，再形成介质层的方法，避免了对无定形碳的研磨，能够缩短生产周期，极大提高了生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101631739B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200780017312.1
申请日：2007-03-20
Applicant: 沃福森微电子股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C99/004 , B81C2201/0109 , H04R7/10 , H04R7/18 , H04R19/005 , H04R2307/207 , Y10S977/733
Abstract: 一种MEMS器件，例如电容式麦克风，包括响应于由声波产生的压力差而自由移动的柔性膜11。第一电极13机械耦合到柔性膜11，并且它们一起形成电容式麦克风器件的第一电容板。第二电极23机械耦合到大致呈刚性的结构层或背板14，它们一起形成电容式麦克风器件的第二电容板。电容式麦克风形成在例如为硅晶片的衬底1上。背部体积33提供在膜11下面，并且使用通过衬底1的“背部蚀刻”而形成。第一腔9直接位于膜11下面，并且在制备工艺期间使用第一牺牲层而形成。插入第一和第二电极13和23之间的是第二腔17，它是在制备期间使用第二牺牲层而形成。多个通气孔15将第一腔9和第二腔17连接。多个声孔31布置在背板14中，以便使得空气分子能够自由移动，从而声波可以进入第二腔17。与背部体积33相关联的第一和第二腔9和17使得膜11能够响应于通过背板14中的声孔31进入的声波而移动。提供第一和第二牺牲层具有在制造期间保护膜以及使背部蚀刻工艺与膜的限定分离的优点。通气孔15帮助移除第一和第二牺牲层。通气孔15还有助于电容式麦克风的工作特性。
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公开(公告)号：CN102906010A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025550.3
申请日：2011-06-08
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60b）的方法包括：在布线层（14）和衬底（10）上方形成第一牺牲腔体层（18）。该方法还包括在第一牺牲腔体层上方形成绝缘体层（40）。该方法还包括在绝缘体层上执行反向镶嵌回蚀刻工艺。该方法还包括平坦化绝缘体层和第一牺牲腔体层。该方法还包括将第一牺牲腔体层排放或剥离为MEMS的第一腔体（60b）的平面表面。
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公开(公告)号：CN102295265A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110174587.4
申请日：2011-06-24
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括图案化布线层以形成至少一个固定板，以及在该布线层上形成牺牲材料。该方法还包括在至少一个固定板上和下方衬底的暴露部分上形成一个或多个膜的绝缘层以防止形成该布线层和牺牲材料之间的反应产物。该方法还包括在至少一个固定板上形成可移动的至少一个MEMS梁。该方法还包括排出或剥去该牺牲材料以形成至少第一腔体。
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公开(公告)号：CN1607648B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410077822.6
申请日：2004-09-15
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81C2201/0109
Abstract: 本发明公开了一种在衬底上形成重量补偿/调节层的方法。本发明的实施例在表面形貌具有变化的结构(例如，具有一个或多个材料层(例如，薄膜)的硅晶片)上形成重量补偿/调节层。表面形貌变化表现为材料的厚的区域和薄的区域。重量补偿/调节层包括分别与厚的区域和薄的区域相对应的窄的区域和宽的区域。
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公开(公告)号：CN100533242C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510105060.0
申请日：2005-09-26
Applicant: IDC公司
Inventor： 董明孝 , 菲利浦·D·弗洛伊德 , 布莱恩·W·阿巴克尔
CPC classification number: B81C1/00174 , B81B2201/047 , B81B2203/0181 , B81C1/00182 , B81C2201/0109 , G02B26/001
Abstract: 本发明提供用于制造诸如干涉式调制器的MEMS装置的方法，其包括选择性地移除一材料的牺牲部分以形成一内部空腔，留下所述材料的剩余部分以形成一支柱结构。所述材料可为覆盖层，其经沉积且经选择性地改变以界定相对于所述剩余部分可被选择性地移除的牺牲部分。或者，一材料层可被侧向陷偏离一覆盖层中的开口。这些方法可用于制造未释放和释放干涉式调制器。
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