公开(公告)号：JPS5773181A

公开(公告)日：1982-05-07

申请号：JP14893380

申请日：1980-10-24

Applicant: Toshiba Corp

Inventor： ARIKADO TSUNETOSHI

IPC: C23F4/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23F4/00 ,  B81C1/00587 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138

Abstract: PURPOSE:To prevent over-etching without requiring any special attachment by controlling etching time based on the change in the internal pressure of an etching chamber in performing etching of Al type films by a C-contg. gas. CONSTITUTION:An Si substrate deposited with an Al film is installed in a plasma etching device and, for example, gaseous CCl4 is introduced, after which electric charge is caused and etching is performed. After the start of the charging, the pressure in the etching chamber ascends once and attains a peak value, after which it drops and shows steady value. The rate DELTAp of the pressure drop of the initial period is proportional to etching rates. Hence, this relation is registered before hand in a memory, and film thickness data are actually measured by every treatment lot and are inputted to a microcomputer. When the pressure attains the steady state after the start of etching, the DELTAp value is fed automaticaly to the computer, by which the required time is calculated and when the etching is carried out by that time, the device stops automatically.

Abstract translation: 目的：为了防止在通过C-contg进行Al型膜的蚀刻时基于蚀刻室的内部压力的变化来控制蚀刻时间而不需要特别的附着。 加油站。 构成：在等离子体蚀刻装置中安装沉积有Al膜的Si衬底，并且例如引入气态CCl4，之后引起电荷并进行蚀刻。 在充电开始之后，蚀刻室中的压力上升一次并达到峰值，然后下降并显示稳定值。 初始周期压降的速率DELTAp与蚀刻速率成比例。 因此，将这种关系在手上登记在存储器中，并且实际上由每个处理批测量胶片厚度数据并输入到微型计算机。 当压力在蚀刻开始后达到稳定状态时，DELTAp值被自动送入计算机，通过该计算机计算所需的时间，并且当该时间进行蚀刻时，装置自动停止。

公开(公告)号：JP2017009609A

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：JP2016122395

申请日：2016-06-21

Applicant: ニヴァロックス−ファー ソシエテ アノニム

Inventor： アレクス・ガンデルマン ,  アンドレ・パン

IPC: B81C1/00 ,  G04B13/02 ,  G04B19/06 ,  G04B37/22 ,  G04B15/14

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81C1/00103 ,  G04D99/00 ,  B81B2201/035 ,  B81B2203/0384 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/0198

Abstract: 【課題】材料のウェハを微小機械加工することによって形成される構成部品の摩擦を改善できる、新たなタイプの微小機械構成部品および新たなタイプの制作方法を提案する。 【解決手段】本発明は、少なくとも1つの削減された接触表面を有する、シリコン系構成部品に関し、上記接触表面は、垂直な側壁の「Bosch」エッチングによる、少なくとも1つの傾斜した側壁のエッチングステップによって形成され、特にシリコン系ウェハの微小機械加工によって形成された構成部品の摩擦を改善する。 【選択図】図11

Abstract translation: 材料的晶片可以提高通过微机械加工形成的摩擦部件，提出了一种微机械的部件和新类型的新类型的制造方法。 本发明具有至少一个减小的接触表面涉及基于硅的部件，所述接触面，由“博世”通过蚀刻至少一个倾斜的侧壁的步骤刻蚀垂直侧壁 它被形成，特别是通过改善微机械加工的硅晶片形成的摩擦部件。 .The 11

公开(公告)号：JP5269316B2

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：JP2006534101

申请日：2004-09-30

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  ト−キョ−・エレクトロン・アメリカ・インコーポレーテッド

Inventor： デイヴィッド・エル・オメアラ ,  ダニエル・クレイグ・バーデット ,  スティーブン・エイチ・カブラル ,  ガート・ルーシンク ,  ジョン・ウィリアム・コステンコ ,  コリー・ワジュダ

IPC: H01L21/205 ,  B08B5/00 ,  C23C16/44 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67276 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0138 ,  H01L21/67253

公开(公告)号：JP4727794B2

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：JP2000255433

申请日：2000-08-25

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： シルプ アンドレア ,  レルマー フランツ

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81C1/00587 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0138 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67086

公开(公告)号：KR1020100040726A

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：KR1020107001210

申请日：2008-07-02

Applicant: 로베르트 보쉬 게엠베하

Inventor： 베커,폴커 ,  래르머,프란츠 ,  푹스,티노 ,  라이넨바흐,크리스티나

IPC: B01J19/08 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/3065 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/32135

Abstract: The invention relates to a method for selectively etching a Si-Ge mixed semiconductor layer of a silicon semiconductor substrate by dry chemical etching of the Si-Ge mixed semiconductor layer, by means of an etching gas selected from the group comprising ClFand/or ClF, wherein the etching gas is alkalized with a gas from the group Cland/or HCl.

Abstract translation: 本发明涉及一种通过Si-Ge混合半导体层的干法化学蚀刻，通过选自ClFand /或ClF组中的蚀刻气体来选择性地蚀刻硅半导体衬底的Si-Ge混合半导体层的方法， 其中蚀刻气体用来自Cland /或HCl组的气体碱化。

公开(公告)号：KR100696376B1

公开(公告)日：2007-03-19

申请号：KR1020050003358

申请日：2005-01-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황성욱

IPC: H01L21/306

CPC classification number: B81C1/00587 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0138

Abstract: 본 발명은 엔드 포인트 검출 방법에 관한 것으로, 프로세스 챔버 내에서 식각 반응이 진행되는 식각 장비에서 상기 식각의 엔드 포인트를 검출하는 방법에 있어서, 상기 식각 반응 전의 프로세스 챔버 내의 압력을 측정하는 단계; 상기 식각 반응 후의 프로세스 챔버 내의 압력을 측정하는 단계; 및 상기 측정된 압력이 변하는 순간을 상기 식각의 엔드 포인트로 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 화학양론비(stoichiometry)가 일치하지 않는 식각 반응의 경우 프로세스 챔버 내에 부착되어 있는 압력 게이지를 모니터링함으로써 저렴하고도 용이하게 식각의 엔드 포인트를 검출할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：JP6381586B2

公开(公告)日：2018-08-29

申请号：JP2016122399

申请日：2016-06-21

Applicant: ニヴァロックス−ファー ソシエテ アノニム

Inventor： アレクス・ガンデルマン

IPC: G04B17/06 ,  G04B15/14 ,  G04B13/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: G04D99/00 ,  B81B2201/035 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00103 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  B81C2201/014 ,  C23F1/00

公开(公告)号：JP6177390B2

公开(公告)日：2017-08-09

申请号：JP2016122395

申请日：2016-06-21

Applicant: ニヴァロックス−ファー ソシエテ アノニム

Inventor： アレクス・ガンデルマン ,  アンドレ・パン

IPC: B81C1/00 ,  G04B13/02 ,  G04B19/06 ,  G04B37/22 ,  G04B15/14

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81C1/00103 ,  G04B13/02 ,  G04B13/026 ,  G04B13/027 ,  G04D99/00 ,  B81B2201/035 ,  B81B2203/0384 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/0198

公开(公告)号：JP6163434B2

公开(公告)日：2017-07-12

申请号：JP2014005859

申请日：2014-01-16

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 飛沢 健 ,  山田 浩玲 ,  小川 義宏

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67086 ,  B08B3/14 ,  B81C2201/0138 ,  C23F1/26 ,  H01L21/31111 ,  H01L22/10 ,  Y10T137/0318

公开(公告)号：JP2008538051A

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：JP2008502002

申请日：2006-03-15

Applicant: アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド

Inventor： ウェルチ，ジェームズ ,  チェン，イン−シン ,  チェン，フィリップ，エス．エイチ． ,  ディメオ，フランク，ジュニア ,  ニューナー，ジェフリー，ダブリュー． ,  ローダー，ジェフリー，エフ．

IPC: H01L21/3065 ,  G01K1/14 ,  G01K13/02 ,  G01N25/22 ,  H01L21/31

CPC classification number: B81C1/00587 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0138 ,  C23C16/4405 ,  G01N27/16 ,  H01J37/32935

Abstract: 【課題】エッチングプラズマ処理設備によって生成される放出ガス流中の活発な活性ガス化学種の存在及び濃度を下流側の位置でモニタリングすることによってプラズマ状態を決定するための方法及びシステムを提供する。
【解決手段】エッチングプラズマ処理設備のプラズマ状態を決定するための方法であって、活発なガス化学種が存在することによる温度変化を示すことができその温度変化に対応して温度変化を表す出力信号を生成することができる少なくとも１つのセンサエレメントを提供するステップと、エッチングプラズマ処理設備によって生成される放出ガス流にセンサエレメントを下流側の位置で接触させるステップと、センサエレメントによって生成される、放出ガス流中に活発なガス化学種が存在することによって生じる温度変化を表す出力信号に基づいて、エッチングプラズマ処理設備のプラズマ状態を決定するステップと、を含む方法である。
【選択図】図１