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公开(公告)号：CN101427352A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200680016778.5
申请日：2006-03-15
Applicant: 高级技术材料公司
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B81C1/00587 , B81C99/0065 , B81C2201/0138 , C23C16/4405 , G01N27/16 , H01J37/32935
Abstract: 一种气体传感器和气体感测的方法，例如使用下游传感器元件来测定使用含卤素的等离子体和/或者含氧的等离子体的半导体蚀刻设备中的等离子体状态(如等离子体蚀刻终点)。这样的传感器元件能指示在由等离子体产生的高能气体物质如氟、氯、碘、溴、氧及其衍生物或者自由基存在的温度变化，并且相应地产生一个指示这样的温度变化的输出信号用于测定蚀刻等离子体加工设备中等离子体的状态。
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公开(公告)号：CN108701759A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780014032.9
申请日：2017-03-16
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L43/12 , H01L21/302
CPC classification number: B81C1/00825 , B81C1/00365 , B81C2201/0138 , B81C2201/014 , G01R33/0047 , G01R33/0052 , G01R33/04
Abstract: 在所描述的示例中，一种方法包括形成蚀刻停止层(151)、第一钛层(312)、磁芯(130)、第二钛层(342)，以及图案化第一钛层(312)和第二钛层(342)。蚀刻停止层(151)形成在衬底上方。第一钛层(312)形成在蚀刻停止层(151)上。磁芯(130)形成在第一钛层(312)上。第二钛层(342)具有第一部分和第二部分，该第一部分与第一钛层(312)封装磁芯(130)，该第二部分在磁芯(130)之外与第一钛层(312)接合。第一钛层(312)和第二钛层(342)的图案化包括在磁芯区(170)上方形成掩模(352)，并且使用钛蚀刻剂(356，357)和氧化钛蚀刻剂(358)蚀刻由掩模(352)暴露出的第一钛层(312)和第二钛层(342)。
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公开(公告)号：CN106276772A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610465132.0
申请日：2016-06-23
Applicant: 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00619 , B81B2201/035 , B81B2203/0384 , B81C1/00103 , B81C2201/0112 , B81C2201/0132 , B81C2201/0138 , B81C2201/014 , B81C2201/0188 , B81C2201/0198 , G04B13/02 , G04B13/026 , G04B13/027 , G04D99/00 , B81B7/0032 , B81B7/0074 , B81C1/00 , B81C1/00388
Abstract: 本发明涉及具有至少一个减少的接触面的硅基部件，所述硅基部件是由这样的方法形成的：所述方法结合了至少一个倾斜侧壁蚀刻步骤和竖直侧壁“博世”蚀刻，所述硅基部件特别是改进了由微加工硅基片形成的部件的摩擦性能。
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公开(公告)号：CN109715848A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780056833.1
申请日：2017-08-28
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 约翰·多尔蒂 , 乔伊迪普·古哈 , 瓦希德·瓦赫迪 , 理查德·艾伦·戈特思酷
IPC: C23C14/34 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32935 , B81C2201/0138 , H01J37/32082 , H01J37/32926 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/67242 , H01L21/67248 , H01L21/67253
Abstract: 提供了用于控制等离子体反应器的处理状态以启动生产衬底的方法和系统。方法使用等离子体反应器的调节按钮的设置启动等离子体反应器中的衬底的处理，设置被逼近以实现期望的处理状态值。多个数据流被接收并用于识别当前的处理状态值。方法包括生成补偿矢量，补偿矢量识别当前的处理状态值与期望的处理状态值之间的差异。补偿矢量的生成使用机器学习来改善和修整期望的补偿的识别和数量，如在补偿矢量中所识别的。方法还将补偿矢量转换为对调节按钮的设置的调整且然后将调整应用于等离子体反应器的调节按钮。
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公开(公告)号：CN106276779A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610465128.4
申请日：2016-06-23
Applicant: 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司
Inventor： A·甘德尔曼
CPC classification number: G04D99/00 , B81B2201/035 , B81B2203/0384 , B81C1/00103 , B81C2201/0132 , B81C2201/0138 , B81C2201/014 , C23F1/00 , B81C1/00531 , B81B1/00
Abstract: 本发明涉及具有至少一个斜面的硅基部件，所述硅基部件是由这样的方法形成的：所述方法结合了至少一个倾斜侧壁蚀刻步骤和竖直侧壁博世”蚀刻，由此使得由微加工硅基片形成的部件能够有美学改进和改善的机械强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106276772B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201610465132.0
申请日：2016-06-23
Applicant: 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00619 , B81B2201/035 , B81B2203/0384 , B81C1/00103 , B81C2201/0112 , B81C2201/0132 , B81C2201/0138 , B81C2201/014 , B81C2201/0188 , B81C2201/0198 , G04B13/02 , G04B13/026 , G04B13/027 , G04D99/00
Abstract: 本发明涉及具有至少一个减少的接触面的硅基部件，所述硅基部件是由这样的方法形成的：所述方法结合了至少一个倾斜侧壁蚀刻步骤和竖直侧壁“博世”蚀刻，所述硅基部件特别是改进了由微加工硅基片形成的部件的摩擦性能。
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公开(公告)号：CN101128910A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200680005811.4
申请日：2006-01-17
Applicant: 点35微结构有限公司
CPC classification number: H01J37/32935 , B81C1/00476 , B81C99/0065 , B81C2201/0138
Abstract: 描述一种用于制造位于蚀刻腔体(3)内的微结构(2)(特别是MEMS)的蚀刻监测装置(1)及其相关方法。该装置(1)及其相关方法通过将其中定位了微结构(2)的腔体(3)内的温度设定为起始温度，并且将该腔体(3)内的蚀刻气体分压保持在恒定值来操作。因此，该腔体(3)内的微结构(2)的表面温度主要由蚀刻速率来确定。从而，通过使用温度计(8)监测蚀刻表面温度的变化，提供用于监测蚀刻工艺的直接诊断。
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公开(公告)号：EP0068155A2
公开(公告)日：1983-01-05
申请号：EP82104712.3
申请日：1982-05-28
Applicant: International Business Machines Corporation
Inventor： Desilets, Brian Henry , Gunther, Thomas Anthony
IPC: H01L21/302 , C23F1/00 , G01N11/02
CPC classification number: H01J37/32935 , B81C1/00587 , B81C99/0065 , B81C2201/0138
Abstract: As etching progresses from one layer of material to another in reactive ion etching systems, the partial pressures of the reaction chamber gas components change. In constant pressure reactive ion etching systems, changes in chamber pressure are corrected by changes in the etchant species flow rate into the reaction chamber. By monitoring flow rate, information is obtained which may be used to identify points where partial pressures change, and latter may, in turn, be used to derive etching points in the material being etched.
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9.发明申请METHOD AND APPARATUS FOR MONITORING PLASMA CONDITIONS IN AN ETCHING PLASMA PROCESSING FACILITY 审中-公开在蚀刻等离子体处理设备中监测等离子体条件的方法和装置
公开(公告)号：WO2006101897A2
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：PCT/US2006009330
申请日：2006-03-15
Applicant: ADVANCED TECH MATERIALS , CHEN ING-SHIN , NEUNER JEFFREY W , DIMEO FRANK JR , CHEN PHILIP S H , WELCH JAMES , ROEDER JEFFREY F
Inventor： CHEN ING-SHIN , NEUNER JEFFREY W , DIMEO FRANK JR , CHEN PHILIP S H , WELCH JAMES , ROEDER JEFFREY F
IPC: H01L21/302 , C23F1/00 , G01L21/30
CPC classification number: B81C1/00587 , B81C99/0065 , B81C2201/0138 , C23C16/4405 , G01N27/16 , H01J37/32935
Abstract: A gas sensor and method of gas sensing, e.g., of a type as useful with downstream sensor elements for determining the plasma conditions (e.g., plasma etching end point) in a semiconductor etching facility that utilizes halogen-containing plasma and/or oxygen-containing plasma. Such sensor elements are capable of exhibiting temperature change in the presence of energetic gas species, e.g., fluorine, chlorine, iodine, bromine, oxygen, and derivatives and radicals thereof that are generated by the plasma, and correspondingly generating an output signal indicative of such temperature change for determination of the plasma conditions in the etching plasma processing facility.
Abstract translation: 一种气体传感器和气体传感方法，例如，对于使用含卤素等离子体和/或含氧的半导体蚀刻设备中用于确定等离子体条件（例如，等离子体蚀刻终点）的下游传感器元件有用的类型 等离子体。 这样的传感器元件能够在由等离子体产生的能量气体物质例如氟，氯，碘，溴，氧及其衍生物和自由基的存在下表现出温度变化，并且相应地产生指示其的输出信号 用于确定蚀刻等离子体处理设备中的等离子体条件的温度变化。
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公开(公告)号：US20180005854A1
公开(公告)日：2018-01-04
申请号：US15708171
申请日：2017-09-19
Applicant: TOSHIBA MEMORY CORPORATION
Inventor： Hiroaki YAMADA , Yoshihiro OGAWA , Takeshi HIZAWA
IPC: H01L21/67 , C23F1/26 , B08B3/14 , H01L21/66 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/67086 , B08B3/14 , B81C2201/0138 , C23F1/26 , H01L21/31111 , H01L22/10 , Y10T137/0318
Abstract: A chemical liquid treatment apparatus includes processing chambers; a chemical liquid feeding unit configured to cyclically feed a chemical liquid into the processing chambers; and a modifying unit. The modifying unit, when using a chemical liquid in which an effect thereof varies with a chemical liquid discharge time, is configured to calculate a variation of the effect of the chemical liquid based on the chemical liquid discharge time and is configured to modify the chemical liquid discharge time for each of the processing chambers based on the calculated variation of the effect of the chemical liquid and a cumulative time of the chemical liquid discharge time.
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