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    보호막을 가지는 광변조기 소자 및 그 제조 방법
    91.
    发明公开
    보호막을 가지는 광변조기 소자 및 그 제조 방법 失效
    具有保护层的空间光学调制器及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020070063163A

    公开(公告)日：2007-06-19

    申请号：KR1020050123121

    申请日：2005-12-14

    Applicant: 삼성전기주식회사

    Inventor： 장제욱

    IPC: G02B26/08 ,  G02B26/00

    CPC classification number: G02B26/0858 ,  B81C1/00388 ,  B81C2201/0105 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/117 ,  G02B26/0808

    Abstract: An optical modulator with a protective film and a manufacturing method thereof are provided to prevent damage of a ribbon by restricting the lateral or lower side of a reflection region of the ribbon from being eroded due to etching gas, and to prevent separation of an interface formed between the ribbon and a light reflecting layer by improving adhesion between the ribbon and the light reflecting layer. An optical modulator with a protective film is composed of a substrate(110); an insulating layer(120) positioned on the substrate; a lower light reflecting layer(120a) positioned on the insulating layer to reflect or diffract the incident light; a structure layer(140) having a center portion separated from the lower light reflecting layer in a predetermined gap and a lower protective film(140d) protecting the underside of a reflection region except for a part of the center portion where a hole is formed; an upper light reflecting layer(140a) disposed on the reflection region to reflect or diffract the incident light; and piezo-electric actuators(150) disposed at both side ends of the structure layer to vertically move the center portion of the structure layer.

    Abstract translation: 提供具有保护膜的光学调制器及其制造方法，以通过限制由于蚀刻气体而使该带的反射区域的横向或下侧受到侵蚀而防止带状物的损坏，并且防止形成的界面的分离 通过提高带和光反射层之间的粘合力，在带和光反射层之间。 具有保护膜的光学调制器由衬底（110）组成; 位于所述基板上的绝缘层（120）; 位于所述绝缘层上以反射或衍射所述入射光的下部光反射层（120a）; 具有以预定间隙从下部光反射层分离的中心部分的结构层（140d）以及保护除了形成有孔的中心部分的一部分之外的反射区域的下侧的下保护膜（140d） 设置在反射区域上以反射或衍射入射光的上部光反射层（140a）; 以及设置在结构层的两侧的压电致动器（150），以垂直移动结构层的中心部分。

    반도체 기판의 실리콘 산화막의 식각방법
    93.
    发明公开
    반도체 기판의 실리콘 산화막의 식각방법 有权
    用于蚀刻半导体衬底的氧化硅层的方法和装置

    公开(公告)号：KR1020120086856A

    公开(公告)日：2012-08-06

    申请号：KR1020110008163

    申请日：2011-01-27

    Applicant: 부경대학교 산학협력단

    Inventor： 임권택

    IPC: H01L21/306

    CPC classification number: H01L21/31111 ,  B81C1/00928 ,  B81C2201/117

    Abstract: PURPOSE: A method for etching a silicon oxide layer of a semiconductor substrate and an apparatus thereof are provided to efficiently eliminating an etching reactant fluid and reduce process time by reducing undesirable post reaction due to residual hydrofluoric acid. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is arranged on a shelf of a reaction chamber(S10). A silicon oxide film of the semiconductor substrate is etched by injecting high density carbon dioxide and an etchant(S20). A fluid inside the reaction chamber is discharged to a lower portion of the reaction chamber by injecting supercritical helium into the top of the reaction chamber(S30). The supercritical helium is discharged to the top of the reaction chamber by injecting the high density carbon dioxide from the lower portion of the reaction chamber(S40). The semiconductor substrate is dried by reducing the internal pressure of the reaction chamber(S50).

    Abstract translation: 目的：提供一种用于蚀刻半导体衬底的氧化硅层的方法及其装置，以有效地消除蚀刻反应物流体，并通过减少由残留的氢氟酸引起的不期望的后反应来缩短处理时间。 构成：在反应室的架子上配置半导体基板（S10）。 通过注入高密度二氧化碳和蚀刻剂来蚀刻半导体衬底的氧化硅膜（S20）。 反应室内的流体通过将超临界氦注入到反应室的顶部而排放到反应室的下部（S30）。 通过从反应室的下部注入高密度二氧化碳将超临界氦排出到反应室的顶部（S40）。 通过降低反应室的内部压力来干燥半导体衬底（S50）。

    에칭 방법
    94.
    发明公开
    에칭 방법 无效

    公开(公告)号：KR1020050040795A

    公开(公告)日：2005-05-03

    申请号：KR1020040086654

    申请日：2004-10-28

    Applicant: 소니 가부시키가이샤

    Inventor： 무라모토준이치

    IPC: H01L21/302

    CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0142 ,  B81C2201/117 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

    Abstract: 미세한 에칭 개구로부터 희생층을 충분한 속도로 에칭 제거하는 것이 가능하고, 이것에 의해 큰 중공부나 복잡한 구성의 공간부를 가지는 구조체, 나아가서는 높은 어스펙트비의 구조체를 형상 정밀도 양호하게, 또한 표면 상태를 열화시키지 않고 형성할 수 있는 에칭 방법을 제공한다.
    에칭 반응종을 함유하는 처리 유체에 피처리물을 노출시키고, 또한 피처리물에 대해서 상기 처리 유체를 유동시킨 상태로 유지한다{제 4 스텝(S4)}. 이 상태에서, 피처리물의 표면에 조사광을 단속적으로 조사하여, 피처리물을 단속적으로 가열한다{제 5 스텝(S5)}. 이것에 의해, 피처리물 근방에 있어서의 상기 처리 유체를 단속적으로 가열하여 팽창, 수축시키면서 에칭을 행한다. 처리 유체로서는, 에칭 반응종을 함유시킨 초(超) 임계 상태의 물질이 적합하게 이용된다.

    表面處理方法、半導體裝置、半導體裝置之製造方法、及處理裝置
    96.
    发明专利
    表面處理方法、半導體裝置、半導體裝置之製造方法、及處理裝置 失效
    表面处理方法、半导体设备、半导体设备之制造方法、及处理设备

    公开(公告)号：TWI239049B

    公开(公告)日：2005-09-01

    申请号：TW092101114

    申请日：2003-01-20

    Applicant: 新力股份有限公司 SONY CORPORATION

    Inventor： 嵯峨幸一郎 KOICHIRO SAGA

    IPC: H01L ,  C23G

    CPC classification number: C11D7/3227 ,  B81C1/0092 ,  B81C1/00928 ,  B81C2201/117 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D11/0047 ,  G03F1/82 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02052

    Abstract: 本發明係藉由超臨界流體4處理形成有構造體之表面的表面處理方法，其特徵為：於超臨界流體4內添加銨氫氧化物、烷醇胺、氟化胺、氟化氫酸等作為溶解輔助劑5。此外，超臨界流體4內，除溶解輔助劑5之外，亦可添加界面活性物質6。界面活性物質6內亦可使用極性溶劑。藉此可提供一種僅藉由使用超臨界流體之處理即可確實地清除殘渣物的表面處理方法。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系借由超临界流体4处理形成有构造体之表面的表面处理方法，其特征为：于超临界流体4内添加铵氢氧化物、烷醇胺、氟化胺、氟化氢酸等作为溶解辅助剂5。此外，超临界流体4内，除溶解辅助剂5之外，亦可添加界面活性物质6。界面活性物质6内亦可使用极性溶剂。借此可提供一种仅借由使用超临界流体之处理即可确实地清除残渣物的表面处理方法。

    結構體之製法及矽氧化物薄膜用蝕刻劑 PROCESS FOR PRODUCING STRUCTURAL BODY AND ETCHANT FOR SILICON OXIDE FILM
    97.
    发明专利
    結構體之製法及矽氧化物薄膜用蝕刻劑 PROCESS FOR PRODUCING STRUCTURAL BODY AND ETCHANT FOR SILICON OXIDE FILM 审中-公开
    结构体之制法及硅氧化物薄膜用蚀刻剂 PROCESS FOR PRODUCING STRUCTURAL BODY AND ETCHANT FOR SILICON OXIDE FILM

    公开(公告)号：TW200525013A

    公开(公告)日：2005-08-01

    申请号：TW093139278

    申请日：2004-12-17

    Applicant: 新力股份有限公司 SONY CORPORATION ,  三菱瓦斯化學股份有限公司 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.

    Inventor： 嵯峨幸一郎 SAGA, KOICHIRO ,  渡邊廣也 WATANABE, HIROYA ,  東友之 AZUMA, TOMOYUKI

    IPC: C09K

    CPC classification number: B81C1/00849 ,  B81C2201/117

    Abstract: 一種結構體，其包含一基材及一透過空氣間隙在該基材上形成的結構層，其中該結構層係作為一微可動式元件，其可藉由下列方法來製造：一薄膜沉積步驟，其可在該基材上相繼形成一由氧化矽薄膜製得的犧牲層及一結構層；一空氣間隙形成步驟，其使用一處理流體來進行蝕刻，以移除該犧牲層，而在該基材與結構層間形成一空氣間隙；及一淨化步驟。藉由使用一含有氟化合物、水溶性有機溶劑及水之超臨界二氧化碳流體作為處理流體，可在短時間內以小量處理流體來移除該犧牲層，而不對該結構體造成任何損傷。

    Abstract in simplified Chinese: 一种结构体，其包含一基材及一透过空气间隙在该基材上形成的结构层，其中该结构层系作为一微可动式组件，其可借由下列方法来制造：一薄膜沉积步骤，其可在该基材上相继形成一由氧化硅薄膜制得的牺牲层及一结构层；一空气间隙形成步骤，其使用一处理流体来进行蚀刻，以移除该牺牲层，而在该基材与结构层间形成一空气间隙；及一净化步骤。借由使用一含有氟化合物、水溶性有机溶剂及水之超临界二氧化碳流体作为处理流体，可在短时间内以小量处理流体来移除该牺牲层，而不对该结构体造成任何损伤。

    蝕刻方法
    98.
    发明专利
    蝕刻方法 失效
    蚀刻方法

    公开(公告)号：TWI283887B

    公开(公告)日：2007-07-11

    申请号：TW093133027

    申请日：2004-10-29

    Applicant: 新力股份有限公司 SONY CORPORATION

    Inventor： 村本准一 MURAMOTO, JUNICHI

    IPC: H01L

    CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0142 ,  B81C2201/117 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

    Abstract: 本發明提供一種蝕刻方法，其能夠以充分的速度將犧牲層從微細的蝕刻開口中除去，藉此能夠於形成包含較大中空部或構造複雜的空間部之構造體、乃至於高深寬比之構造體時，使其形狀精度良好且表面狀態不致劣化。其解決方法如下：將被處理物曝露於含有蝕刻反應物之處理流體，並使前述處理流體對被處理物保持流動狀態(第4步驟 S4)。在該狀態下，對被處理物的表面斷續地照射光線，並斷續地加熱被處理物(第5步驟S5)。藉此，一邊將被處理物附近的前述處理流體斷續地加熱而使其膨脹、收縮，一邊進行蝕刻。處理流體較佳使用含有蝕刻反應物的超臨界狀態之物質。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种蚀刻方法，其能够以充分的速度将牺牲层从微细的蚀刻开口中除去，借此能够于形成包含较大中空部或构造复杂的空间部之构造体、乃至于高深宽比之构造体时，使其形状精度良好且表面状态不致劣化。其解决方法如下：将被处理物曝露于含有蚀刻反应物之处理流体，并使前述处理流体对被处理物保持流动状态(第4步骤 S4)。在该状态下，对被处理物的表面断续地照射光线，并断续地加热被处理物(第5步骤S5)。借此，一边将被处理物附近的前述处理流体断续地加热而使其膨胀、收缩，一边进行蚀刻。处理流体较佳使用含有蚀刻反应物的超临界状态之物质。

    使微機械裝置的組件不會黏著之方法
    100.
    发明专利
    使微機械裝置的組件不會黏著之方法 失效
    使微机械设备的组件不会黏着之方法

    公开(公告)号：TW302554B

    公开(公告)日：1997-04-11

    申请号：TW085101698

    申请日：1996-02-12

    Applicant: 德州儀器公司

    Inventor： 杜孟泰 ,  魏羅伯

    IPC: H01L

    CPC classification number: B81C1/0096 ,  B81C1/00968 ,  B81C2201/117 ,  G02B26/0841 ,  H01H1/0036

    Abstract: 一種分開微機械裝置(20)接觸元件(11，17)黏合現象之方法。該裝置被曝露於帶有表面活化劑(32)的低表面張力液體、或曝露於超臨界流體(62)，以避免對該裝置(30)的易破碎零件造成損壞。曝露條件係受到控制，以便得到最佳的結果而不會對該裝置造成傷害。

    Abstract in simplified Chinese: 一种分开微机械设备(20)接触组件(11，17)黏合现象之方法。该设备被曝露于带有表面活化剂(32)的低表面张力液体、或曝露于超临界流体(62)，以避免对该设备(30)的易破碎零件造成损坏。曝露条件系受到控制，以便得到最佳的结果而不会对该设备造成伤害。

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