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公开(公告)号：CN1586003A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN02822490.6
申请日：2002-07-30
Applicant: 米歇尔技术公司
IPC: H01L21/306 , B08B7/00 , H01L21/00
CPC classification number: C23G5/00 , B08B7/0021 , B81C1/00841 , B81C2201/117 , H01L21/02063 , H01L21/67051 , Y10S134/902
Abstract: 一种用于清洗微电子基片的方法，它包括将基片放入压力腔。使包括密相二氧化碳的处理流体通过腔循环，使得处理流体接触基片。在循环处理流体的步骤的至少一部分期间，循环地调整二氧化碳的相。
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公开(公告)号：CN100350565C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN03806748.X
申请日：2003-01-30
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 嵯峨幸一郎
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C11D7/3227 , B81C1/0092 , B81C1/00928 , B81C2201/117 , C11D7/08 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D11/0047 , G03F1/82 , G03F7/425 , H01L21/02052
Abstract: 一种使用超临界流体(4)处理其上形成有结构体的表面的表面处理方法，其特征在于将如氢氧化铵、链烷醇胺、氟化胺、氢氟酸等的共溶剂或反应剂(5)添加到超临界流体(4)。超临界流体(4)同样可以和共溶剂或反应剂(5)一起添加有表面活性剂(6)。可以使用极性溶剂作为表面活性剂(6)。本发明可以提供一种能够仅使用超临界流体处理完全除去残留物的表面处理方法。
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公开(公告)号：CN1643659A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03806748.X
申请日：2003-01-30
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 嵯峨幸一郎
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C11D7/3227 , B81C1/0092 , B81C1/00928 , B81C2201/117 , C11D7/08 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D11/0047 , G03F1/82 , G03F7/425 , H01L21/02052
Abstract: 一种使用超临界流体(4)处理其上形成有结构体的表面的表面处理方法，其特征在于将如氢氧化铵、链烷醇胺、氟化胺、氢氟酸等的共溶剂或反应剂(5)添加到超临界流体(4)。超临界流体(4)同样可以和共溶剂或反应剂(5)一起添加有表面活性剂(6)。可以使用极性溶剂作为表面活性剂(6)。本发明可以提供一种能够仅使用超临界流体处理完全除去残留物的表面处理方法。
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公开(公告)号：CN108352314A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680065817.4
申请日：2016-10-26
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31133 , B08B3/08 , B08B3/10 , B81C1/00928 , B81C2201/117 , C11D7/02 , C11D7/261 , C11D7/5018 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/6708
Abstract: 本发明的基板的处理方法的特征在于，其为将半导体基板的表面用水系清洗液清洗，将附着于基板表面的水系清洗液置换为超临界流体而干燥的方法，作为该流体，使用Fe、Ni、Cr、Al、Zn、Cu、Mg、Li、K、Na、Ca的各元素的含量分别为500质量ppb以下、且含有碳数为2～6的含氟醇的溶剂。该处理方法中，能使超临界流体中的氟原子的释放量降低。
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公开(公告)号：CN100355016C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200410104615.5
申请日：2004-12-22
Applicant: 索尼株式会社 , 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/311 , B81B5/00
CPC classification number: B81C1/00849 , B81C2201/117
Abstract: 通过包括下述步骤的方法：在基底上按序形成由氧化硅膜制造的牺牲层和结构层的膜沉积步骤；通过用处理流体蚀刻除去牺牲层，在基底与结构层之间形成空隙的空隙形成步骤，和清洗步骤，从而生产包括基底和经空隙在基底上形成的结构层的结构体，所述结构层充当微型可移动元件。通过使用含氟化合物、水溶性有机溶剂和水的超临界二氧化碳流体作为处理流体，采用小量处理流体，在短时间内除去牺牲层，且对结构体没有任何破坏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1644483A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410103758.4
申请日：2004-10-29
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 村本准一
IPC: B81C1/00 , H01L21/308
CPC classification number: B81C1/00047 , B81C1/00476 , B81C2201/0142 , B81C2201/117 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 本发明旨在提供一种蚀刻方法，其允许从微细蚀刻孔中以足够的速率蚀刻并除去牺牲层，由此可形成具有大中空部分或复杂构造的空间部分的结构，以及具有高纵横比且具有优异形状准确性、并不使表面状态变差的结构。在蚀刻方法中，使工件暴露于含有蚀刻反应物的处理流体中，且处理流体保持在其相对于工件流动的状态。这种状态下，在工件表面上，照射光间歇地照射以间歇地加热工件。由此，工件附近的处理流体被间歇地加热，从而膨胀或收缩以蚀刻。作为处理流体，可优选使用含有蚀刻反应物的物质和处于超临界状态的物质。
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公开(公告)号：CN1149190A
公开(公告)日：1997-05-07
申请号：CN95105684.0
申请日：1995-06-20
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: G12B3/06
CPC classification number: B81C1/0096 , B81C1/00968 , B81C2201/117 , G02B26/0841 , H01H1/0036
Abstract: 一种使微型机械装置(30)的接触部件(11，17)解脱粘连的方法，使装置暴露于具有表面活性剂(32)的低表面张力液体或超临界流体(62)以避免对装置(30)的易碎部件的损伤。控制暴露条件以得到最佳结果，但不损伤装置。
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公开(公告)号：CN1331729C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200410103758.4
申请日：2004-10-29
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 村本准一
IPC: B81C1/00 , H01L21/308
CPC classification number: B81C1/00047 , B81C1/00476 , B81C2201/0142 , B81C2201/117 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 本发明旨在提供一种蚀刻方法，其允许从微细蚀刻孔中以足够的速率蚀刻并除去牺牲层，由此可形成具有大中空部分或复杂构造的空间部分的结构，以及具有高纵横比且具有优异形状准确性、并不使表面状态变差的结构。在蚀刻方法中，使工件暴露于含有蚀刻反应物的处理流体中，且处理流体保持在其相对于工件流动的状态。这种状态下，在工件表面上，照射光间歇地照射以间歇地加热工件。由此，工件附近的处理流体被间歇地加热，从而膨胀或收缩以蚀刻。作为处理流体，可优选使用含有蚀刻反应物的物质和处于超临界状态的物质。
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公开(公告)号：CN1902297A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200480039626.8
申请日：2004-11-30
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 米凯尔·B·科岑斯基 , 托马斯·H·鲍姆 , 埃利奥多·G·根丘 , 许从应
IPC: C09K13/00 , C09K13/04 , H01L21/302
CPC classification number: B81C1/00936 , B08B7/0021 , B81C2201/0108 , B81C2201/117 , H01L21/02063
Abstract: 本发明记载了从具有含硅牺牲层的微电子机械系统(MEMS)和其它半导体基片除去该牺牲层的方法和组合物。该蚀刻组合物包括超临界流体(SCF)、蚀刻剂物质、助溶剂和任选的表面活性剂。该蚀刻组合物克服了作为清洗剂的SCF的固有缺陷，即SCF的非极性特性及与其相关的不能溶解必须从半导体基片除去的极性物质。所得蚀刻后的基片相对于采用常规湿式蚀刻技术进行蚀刻的基片具有更低的粘滞发生。
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公开(公告)号：CN1296270C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200410088661.0
申请日：2004-11-15
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 逢坂勉
CPC classification number: H01L21/31116 , B81C1/00047 , B81C1/00547 , B81C2201/117
Abstract: 本发明提供了一种刻蚀方法，该刻蚀方法能够通过非常精细的刻蚀开口以较好的构造精度，形成具有大的空间部分或复杂结构的空腔部分。如下进行对被处理物体的刻蚀处理：首先，将被处理物体暴露于包含刻蚀反应种的处理流体(第三步骤S3和第四步骤S4)；然后，降低处理腔中的压强以使被处理物体附近的处理流体的密度低于在第四步骤S4中的密度(第一步骤S1)。在重复第一步骤S1到第四步骤S4的同时，在第一步骤S1之后进行的第三步骤S3和第四步骤S4中，包含刻蚀反应种的处理流体被重新输入到其中放置有被处理物体的处理气氛中，以使被处理物体附近的处理流体的密度高于第一步骤S1中的密度。
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