公开(公告)号：KR1020090029179A

公开(公告)日：2009-03-20

申请号：KR1020087025927

申请日：2007-09-04

Applicant: 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 & 컴파니 케이지 ,  신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤

Inventor： 베버,쥬에르겐 ,  사토,타츠히로 ,  슈나이더,랄프 ,  호프만,아킴 ,  게바우어,크리스티안

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/265

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/06 ,  C03B19/066 ,  C03B20/00 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03C4/20 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/24 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/3435 ,  C03C2203/10 ,  C03C2203/54

Abstract: The invention starts from a known component of quartz glass for use in semiconductor manufacture, which component at least in a near-surface region shows a co-doping of a first dopant and of a second oxidic dopant, said second dopant containing one or more rare-earth metals in a concentration of 0.1-3% by wt. each (based on the total mass of SiO2 and dopant). Starting from this, to provide a quartz glass component for use in semiconductor manufacture in an environment with etching action, which component is distinguished by both high purity and high resistance to dry etching and avoids known drawbacks caused by co-doping with aluminum oxide, it is suggested according to the invention that the first dopant should be nitrogen and that the mean content of metastable hydroxyl groups of the quartz glass is less than 30 wtppm.

Abstract translation: 本发明从用于半导体制造的石英玻璃的已知组件开始，至少在近表面区域中的该组分表现出第一掺杂剂和第二氧化物掺杂剂的共掺杂，所述第二掺杂剂含有一种或多种稀有金属 - 浓度为0.1-3重量％的矿物金属。 每个（基于SiO 2和掺杂剂的总质量）。 从此开始，为了在具有蚀刻作用的环境中提供用于半导体制造的石英玻璃组分，该组分通过高纯度和高耐干蚀刻性而被区分，并避免了与氧化铝共掺杂引起的已知缺点 根据本发明建议第一掺杂剂应为氮，并且石英玻璃的亚稳态羟基的平均含量小于30重量ppm。

公开(公告)号：KR1020020076183A

公开(公告)日：2002-10-09

申请号：KR1020020016491

申请日：2002-03-26

Applicant: 토소가부시키가이샤 ,  토소 에스지엠 가부시키가이샤 ,  토소쿼츠 가부시키가이샤

Inventor： 하라다요시노리 ,  미즈타니슈조 ,  하시모토신키치 ,  쿠도마사카즈 ,  미우라나오키 ,  타카하시카츠후미 ,  키요하라히데키

IPC: C03C3/06

CPC classification number: C03B19/01 ,  C03B19/095 ,  C03B19/1423 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/32 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/40 ,  C03B2201/54 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/34 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/40 ,  C03C2201/54 ,  Y02P40/57

Abstract: PURPOSE: A highly durable quartz glass, its preparation method and apparatus, a quartz glass member, and a semiconductor manufacturing device and a liquid crystal manufacturing device employing the member are provided, wherein the quartz glass is improved in durability, processability and transparency. CONSTITUTION: The quartz glass comprises 0.01-2 wt% of at least element selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr, Ba, Y, Hf and Zr. The quartz glass is prepared by dropping the silica powder containing Zr into the furnace using an acid hydride salt as a heat source, layering it, and extending the layer outward. Also the quartz glass is prepared by passing the powder mixture of a silicate powder and the silica powder containing Zr through the plasma arc-coupling region where at least two plasma arcs are coupled and at least two electrodes have opponent polarity, or its neighborhood, thereby melting the mixture.

Abstract translation: 目的：提供高耐用的石英玻璃及其制备方法和装置，石英玻璃构件和半导体制造装置以及采用该构件的液晶制造装置，其中石英玻璃的耐久性，加工性和透明度得到改善。 构成：石英玻璃含有0.01-2重量％的至少选自Mg，Ca，Sr，Ba，Y，Hf和Zr的元素。 通过使用氢化氢盐作为热源将含有Zr的二氧化硅粉末放入炉内来制备石英玻璃，将其分层并向外延伸。 此外，石英玻璃通过使硅酸盐粉末和含有Zr的二氧化硅粉末的粉末混合物通过等离子体电弧耦合区域而制备，其中至少两个等离子体电弧耦合，并且至少两个电极具有对立的极性或其邻域，由此 熔化混合物。

公开(公告)号：TW201636310A

公开(公告)日：2016-10-16

申请号：TW105111105

申请日：2016-04-08

Applicant: 成都光明光電股份有限公司 ,  CDGM GLASS CO., LTD.

Inventor： 孫偉 ,  SUN WEI

IPC: C03C3/068 ,  G02B1/00 ,  G02B3/00

CPC classification number: C03C3/068 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/3417 ,  C03C2201/3452 ,  C03C2201/3488 ,  G02B1/00 ,  G02B1/118 ,  G02B3/0087 ,  G02B27/0062

Abstract: 本發明提供了一種折射率nd為1.78~1.95、阿貝數νd為32~50的高折射低分散特性的光學玻璃，且玻璃組成中不含GeO2，不易失透。光學玻璃，以陽離子%表示，包括：Si4+：1~20%；B3+：25~60%；La3+：10~40%；Y3+：0~15%；Nb5+：0~20%；Ti4+：0~15%；Ta5+：0~10%；W6+：0~5%；Zr4+：0~15%；Zn2+：0~10%；Bi3+：0~10%。本發明提供了透過率優良的光學玻璃，並且提供一種由所述光學玻璃形成的玻璃預製體和光學元件。根據上述光學玻璃以及由上述玻璃預製件或光學元件坯料製造的光學元件例如透鏡等，能夠用於光學系統。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供了一种折射率nd为1.78~1.95、阿贝数νd为32~50的高折射低分散特性的光学玻璃，且玻璃组成中不含GeO2，不易失透。光学玻璃，以阳离子%表示，包括：Si4+：1~20%；B3+：25~60%；La3+：10~40%；Y3+：0~15%；Nb5+：0~20%；Ti4+：0~15%；Ta5+：0~10%；W6+：0~5%；Zr4+：0~15%；Zn2+：0~10%；Bi3+：0~10%。本发明提供了透过率优良的光学玻璃，并且提供一种由所述光学玻璃形成的玻璃预制体和光学组件。根据上述光学玻璃以及由上述玻璃预制件或光学组件坯料制造的光学组件例如透镜等，能够用于光学系统。

公开(公告)号：TWI293947B

公开(公告)日：2008-03-01

申请号：TW091104499

申请日：2002-03-11

Applicant: 東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION ,  東曹石英股份有限公司 ,  東曹石英素材股份有限公司 TOSOH SGM CORPORATION

Inventor： 原田美德 ,  水谷修三 ,  橋本真吉 HASHIMOTO, SHINKICHI ,  工藤正和 ,  三浦直樹 ,  高橋克文 ,  清原秀樹

IPC: C03B

CPC classification number: C03B19/01 ,  C03B19/095 ,  C03B19/1423 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/32 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/40 ,  C03B2201/54 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/34 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/40 ,  C03C2201/54 ,  Y02P40/57

Abstract: 提供一種合宜的用於，使用鹵化物氣體及其電漿之半導體製造裝置或液晶製造裝置之構件之耐久性高之石英玻璃，其製造方法及製造裝置、以及使用它之構件以及具備此構件之半導體製造裝置或液晶製造裝置。(解決手段)含有由：Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Hf及Zr所成之群中所選之一種以上之元素0.01重量%以上2重量%以下為特徵之高耐久性石英玻璃，其製造方法及製造用裝置，以及使用它之構件及裝置。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种合宜的用于，使用卤化物气体及其等离子之半导体制造设备或液晶制造设备之构件之耐久性高之石英玻璃，其制造方法及制造设备、以及使用它之构件以及具备此构件之半导体制造设备或液晶制造设备。(解决手段)含有由：Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Hf及Zr所成之群中所选之一种以上之元素0.01重量%以上2重量%以下为特征之高耐久性石英玻璃，其制造方法及制造用设备，以及使用它之构件及设备。

公开(公告)号：TW200301377A

公开(公告)日：2003-07-01

申请号：TW091134079

申请日：2002-11-22

Applicant: 3M新設資產公司 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY

Inventor： 馬克 泰道爾 安德森 MARK THEODORE ANDERSON ,  桂格 羅素 史考德 CRAIG RUSSELL SCHARDT ,  詹姆斯 羅伯特 安史都特 JAMES ROBERT ONSTOTT ,  肯頓 迪瑞克 鮑德 KENTON DEREK BUDD

IPC: C03C ,  G02B

CPC classification number: C03C17/3618 ,  C03C3/06 ,  C03C13/046 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3652 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/28 ,  C03C2201/31 ,  C03C2201/3405 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/3417 ,  C03C2201/3458 ,  C03C2201/3476 ,  C03C2201/3482 ,  C03C2201/3494 ,  C03C2201/36 ,  H01S3/06716 ,  H01S3/1608 ,  H01S3/1616 ,  H01S3/1693 ,  H01S3/1695 ,  H01S3/176

Abstract: 本案係揭示一種光學波導件，其包含具二氧化矽、A1、非螢光稀土離子、Ge、Er及Tm之核芯。非螢光稀土離子可為La。示範之組合物濃度：Er為15ppm至3000ppm，A1為0.5莫耳%至12莫耳%，La小於或等於2莫耳%，Tm為15ppm至10,000ppm，且Ge小於或等於15莫耳%。核芯尚可含有F。F之示範濃度小於或等於6陰離子莫耳%。

Abstract in simplified Chinese: 本案系揭示一种光学波导件，其包含具二氧化硅、A1、非萤光稀土离子、Ge、Er及Tm之核芯。非萤光稀土离子可为La。示范之组合物浓度：Er为15ppm至3000ppm，A1为0.5莫耳%至12莫耳%，La小于或等于2莫耳%，Tm为15ppm至10,000ppm，且Ge小于或等于15莫耳%。核芯尚可含有F。F之示范浓度小于或等于6阴离子莫耳%。

公开(公告)号：TWI393689B

公开(公告)日：2013-04-21

申请号：TW096134084

申请日：2007-09-12

Applicant: 信越石英股份有限公司 ,  SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD. ,  赫里斯果斯克來斯有限兩合公司 ,  HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO.KG

Inventor： 裘根 偉柏 ,  WEBER, JURGEN ,  佐藤龍弘 ,  SATO, TATSUHIRO ,  雷夫 施耐德 ,  SCHNEIDER, RALF ,  艾契 霍夫曼 ,  HOFMANN, ACHIM ,  克利司汀 吉勃爾 ,  GEBAUER, CHRISTIAN

IPC: C03C4/00 ,  C30B29/18

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/06 ,  C03B19/066 ,  C03B20/00 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03C4/20 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/24 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/3435 ,  C03C2203/10 ,  C03C2203/54

公开(公告)号：TW200821275A

公开(公告)日：2008-05-16

申请号：TW096134084

申请日：2007-09-12

Applicant: 信越石英股份有限公司 SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD. ,  赫里斯果斯克來斯有限兩合公司 HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO.KG

Inventor： 裘根 偉柏 WEBER, JURGEN ,  佐藤龍弘 SATO, TATSUHIRO ,  雷夫 施耐德 SCHNEIDER, RALF ,  艾契 霍夫曼 HOFMANN, ACHIM ,  克利司汀 吉勃爾 GEBAUER, CHRISTIAN

IPC: C03C ,  C30B

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/06 ,  C03B19/066 ,  C03B20/00 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03C4/20 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/24 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/3435 ,  C03C2203/10 ,  C03C2203/54

Abstract: 本發明始於已知之用於半導體製造的石英玻璃組件,該組件至少於接近表面的區域顯現第一摻雜物和第二摻雜物之共摻雜,該第二摻雜物含有一或多種濃度各為0.1-3重量%(以SiO2和摻雜物總質量計)的稀土金屬。以此為始,在具有蝕刻作用的環境中,提供用於半導體製造的石英玻璃組件,此組件之特點在於高純度和對於乾蝕的高耐受性及避免已知之因為與氧化鋁共摻雜而引發的缺點,根據本發明,建議第一摻雜物應為氮且石英玻璃的介穩羥基平均含量低於30wtppm。

Abstract in simplified Chinese: 本发明始于已知之用于半导体制造的石英玻璃组件,该组件至少于接近表面的区域显现第一掺杂物和第二掺杂物之共掺杂,该第二掺杂物含有一或多种浓度各为0.1-3重量%(以SiO2和掺杂物总质量计)的稀土金属。以此为始,在具有蚀刻作用的环境中,提供用于半导体制造的石英玻璃组件,此组件之特点在于高纯度和对于干蚀的高耐受性及避免已知之因为与氧化铝共掺杂而引发的缺点,根据本发明,建议第一掺杂物应为氮且石英玻璃的介稳羟基平均含量低于30wtppm。

公开(公告)号：TW201722877A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW106107630

申请日：2016-04-08

Applicant: 成都光明光電股份有限公司 ,  CDGM GLASS CO., LTD.

Inventor： 孫偉 ,  SUN, WEI

IPC: C03C3/068

CPC classification number: C03C3/068 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/3417 ,  C03C2201/3452 ,  C03C2201/3488 ,  G02B1/00 ,  G02B1/118 ,  G02B3/0087 ,  G02B27/0062

Abstract: 本發明提供了一種折射率nd為1.78~1.95、阿貝數ν d為32~50的高折射低分散特性的光學玻璃，且玻璃組成中不含GeO2，不易失透。光學玻璃，以陽離子%表示，包括：Si4+：1~20%；B3+：25~60%；La3+：10~40%；Y3+：0~15%；Nb5+：0~20%；Ti4+：0~15%；Ta5+：0~10%；W6+：0~5%；Zr4+：0~15%；Zn2+：0~10%；Bi3+：0~10%。本發明提供了透過率優良的光學玻璃，並且提供一種由所述光學玻璃形成的玻璃預製體和光學元件。根據上述光學玻璃以及由上述玻璃預製件或光學元件坯料製造的光學元件例如透鏡等，能夠用於光學系統。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供了一种折射率nd为1.78~1.95、阿贝数ν d为32~50的高折射低分散特性的光学玻璃，且玻璃组成中不含GeO2，不易失透。光学玻璃，以阳离子%表示，包括：Si4+：1~20%；B3+：25~60%；La3+：10~40%；Y3+：0~15%；Nb5+：0~20%；Ti4+：0~15%；Ta5+：0~10%；W6+：0~5%；Zr4+：0~15%；Zn2+：0~10%；Bi3+：0~10%。本发明提供了透过率优良的光学玻璃，并且提供一种由所述光学玻璃形成的玻璃预制体和光学组件。根据上述光学玻璃以及由上述玻璃预制件或光学组件坯料制造的光学组件例如透镜等，能够用于光学系统。

公开(公告)号：TWI358745B

公开(公告)日：2012-02-21

申请号：TW097114270

申请日：2008-04-18

Applicant: 應用材料股份有限公司

Inventor： 元洁 ,  孫語南 ,  段仁官

IPC: H01L

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B32/00 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/36 ,  C03C2203/54 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68757 ,  Y02P40/57 ,  Y10S156/915

Abstract: 在此提供一種製造摻雜的石英元件之方法。在一實施例中，該摻雜的石英元件係一摻雜釔的石英環，配置來支撐一基材。在另一實施例中，該摻雜的石英元件係一摻雜釔和鋁的蓋環。在又一實施例中，該摻雜的石英元件係一含釔、鋁和氮的蓋環。

Abstract in simplified Chinese: 在此提供一种制造掺杂的石英组件之方法。在一实施例中，该掺杂的石英组件系一掺杂钇的石英环，配置来支撑一基材。在另一实施例中，该掺杂的石英组件系一掺杂钇和铝的盖环。在又一实施例中，该掺杂的石英组件系一含钇、铝和氮的盖环。

公开(公告)号：TW200901270A

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：TW097114270

申请日：2008-04-18

Applicant: 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 元洁 YUAN, JIE ,  孫語南 SUN, JENNIFER Y. ,  段仁官 DUAN, RENGUAN

IPC: H01L

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B32/00 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/36 ,  C03C2203/54 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68757 ,  Y02P40/57 ,  Y10S156/915

Abstract: 在此提供一種製造摻雜的石英元件之方法。在一實施例中,該摻雜的石英元件係一摻雜釔的石英環,配置來支撐一基材。在另一實施例中,該摻雜的石英元件係一摻雜釔和鋁的蓋環。在又一實施例中,該摻雜的石英元件係一含釔、鋁和氮的蓋環。

Abstract in simplified Chinese: 在此提供一种制造掺杂的石英组件之方法。在一实施例中,该掺杂的石英组件系一掺杂钇的石英环,配置来支撑一基材。在另一实施例中,该掺杂的石英组件系一掺杂钇和铝的盖环。在又一实施例中,该掺杂的石英组件系一含钇、铝和氮的盖环。