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    垂直共振面発光レーザ
    92.
    发明申请
    垂直共振面発光レーザ 审中-公开
    垂直孔表面发射激光

    公开(公告)号：WO2013129446A1

    公开(公告)日：2013-09-06

    申请号：PCT/JP2013/055069

    申请日：2013-02-27

    Applicant: 株式会社村田製作所

    Inventor： 渡邊博 ,  楯敦次 ,  粉奈孝行 ,  松原一平 ,  岩田圭司

    IPC: H01S5/187

    CPC classification number: H01S5/18377 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/187 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3432 ,  H01S2301/176

    Abstract: 　垂直共振面発光レーザ（１０）は、量子井戸を備える活性層と（５０）、この活性層（５０）を挟む第１クラッド層（４０）および第２クラッド層（６０）と、第１クラッド層（４０）の活性層（５０）と反対側に配置された第１多層膜反射層（３０）と、第２クラッド層（６０）の活性層（５０）と反対側に配置された第２多層膜反射層（８０）と、第１多層膜反射層（３０）の第１クラッド層（４０）と反対側に配置された第１電極（９１）と、第２多層膜反射層（８０）の第２クラッド層（６０）と反対側に配置された第２電極（９２）と、を備える。第１クラッド層（４０）および第２クラッド層（６０）の少なくとも一方に、活性層（５０）の量子井戸を形成するための光閉じ込め層の最小バンドギャップよりも小さく、量子井戸のバンドギャップよりも大きなバンドギャップとなる低活性エネルギー層（４２，６２）を備える。

    Abstract translation: 垂直腔表面发射激光器（10）设置有具有量子阱的有源层（50），用于夹持有源层（50）的第一覆盖层（40）和第二覆盖层（60）， 设置在与有源层（50）相反的第一覆盖层（40）侧的第一多层膜反射层（30），设置在有源层（50）侧的第二多层膜反射层（80） 与所述有源层相反的第二覆盖层（60），与所述第一覆盖层（40）相反的第一多层膜反射层（30）侧的第一电极（91） 以及设置在与第二覆盖层（60）相反的第二多层膜反射层（80）侧的第二电极（92）。 在第一包层（40）和/或第二包层（60）上形成低活性能量层（42,62），低活性能层（42,62）的带隙较小 比用于形成有源层（50）的量子阱的光限制层的最小带隙大并且大于量子阱的带隙。

    A CMOS-COMPATIBLE GERMANIUM TUNABLE LASER
    93.
    发明申请
    A CMOS-COMPATIBLE GERMANIUM TUNABLE LASER 审中-公开
    CMOS兼容GERMANIUM TUNABLE激光

    公开(公告)号：WO2013117768A1

    公开(公告)日：2013-08-15

    申请号：PCT/EP2013/052702

    申请日：2013-02-11

    Applicant: IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK

    Inventor： CAPELLINI, Giovanni ,  WENGER, Christian ,  SCHRÖDER, Thomas ,  KOZLOWSKI, Grzegorz

    IPC: H01L33/34 ,  H01S5/30

    CPC classification number: H01S5/3201 ,  H01L33/34 ,  H01S5/021 ,  H01S5/3223

    Abstract: A semiconductor light emitter device, comprising a substrate (102), an active layer (108) made of Germanium, which is configured to emit light under application of an operating voltage to the semiconductor light emitter device, wherein a gap (106) is arranged on the substrate, which extends between two bridgeposts (104) laterally spaced from each other, the active layer (108) is arranged on the bridgeposts and bridges the gap, and wherein the semiconductor light emitter device comprises a stressor layer (110), which induces a tensile strain in the active layer above the gap.

    Abstract translation: 一种半导体发光器件，包括衬底（102），由锗制成的有源层（108），其被配置为在施加工作电压的情况下向所述半导体发光器件发射光，其中间隙（106）被布置 在衬底上，其在彼此横向间隔开的两个桥接元件（104）之间延伸，有源层（108）布置在桥接元件上并桥接间隙，并且其中半导体发光器件包括应力层（110） 在间隙上方的活性层中引起拉伸应变。

    ENHANCED PLANARITY IN GaN EDGE EMITTING LASERS
    95.
    发明申请
    ENHANCED PLANARITY IN GaN EDGE EMITTING LASERS 审中-公开
    GaN边缘发射激光器中的增强平面图

    公开(公告)号：WO2011150135A2

    公开(公告)日：2011-12-01

    申请号：PCT/US2011038015

    申请日：2011-05-26

    Applicant: CORNING INC ,  BHAT RAJARAM

    Inventor： BHAT RAJARAM

    IPC: H01S5/10 ,  H01S5/343

    CPC classification number: H01S5/3201 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

    Abstract: A GaN edge emitting laser is provided comprising a semi-polar GaN substrate, an active region, an N-side waveguiding layer, a P-side waveguiding layer, an N-type cladding layer, and a P-type cladding layer. The GaN substrate defines a 2021 crystal growth plane and a glide plane. The N-side and P-side waveguiding layers comprise a GalnN/GaN or GalnN/GalnN superlattice (SL) waveguiding layers. The superlattice layers of the N-side and P-side SL waveguiding layers define respective layer thicknesses that are optimized for waveguide planarity, the layer thicknesses being between approximately 1 nm and approximately 5 nm. In accordance with another embodiment of the present disclosure, planarization can be enhanced by ensuring that the N-side and P-side GaN-based waveguiding layers are grown at a growth rate that exceeds approximately 0.09 nm/s, regardless of whether the N-side and P-side GaN-based waveguiding layers are provided as a GalnN/GaN or GalnN/GalnN SL or as bulk waveguiding layers. In still further embodiments, planarization can be enhanced by selecting optimal SL layer thicknesses and growth rates. Additional embodiments are disclosed and claimed.

    Abstract translation: 提供GaN边缘发射激光器，其包括半极性GaN衬底，有源区，N侧波导层，P侧波导层，N型覆层和P型覆层。 GaN衬底限定了2021晶体生长平面和滑动平面。 N侧和P侧波导层包括GalnN / GaN或GalnN / GalnN超晶格（SL）波导层。 N侧和P侧SL波导层的超晶格层限定针对波导平面度优化的各层厚度，层厚度在约1nm至约5nm之间。 根据本公开的另一实施例，可以通过确保以超过约0.09nm / s的生长速率生长N侧和P侧GaN基波导层来增强平坦化，而不管N- 作为GalnN / GaN或GalnN / GalnN SL或作为体波导层提供侧面和P侧GaN基波导层。 在另外的实施例中，可以通过选择最佳SL层厚度和生长速率来增强平坦化。 公开并要求保护附加实施例。

    光半導体装置
    97.
    发明申请
    光半導体装置 审中-公开
    光学半导体器件

    公开(公告)号：WO2008142755A1

    公开(公告)日：2008-11-27

    申请号：PCT/JP2007/060224

    申请日：2007-05-18

    Applicant: 三菱電機株式会社 ,  島田 尚往 ,  小野 健一 ,  花巻 吉彦

    Inventor： 島田 尚往 ,  小野 健一 ,  花巻 吉彦

    IPC: H01S5/343 ,  H01S5/022

    CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/3201 ,  H01S2304/02

    Abstract: 　本発明に係る光半導体装置は、歪量子井戸構造の活性層を含む半導体層を半導体基板上にエピタキシャル成長した半導体発光素子と、半導体発光素子が搭載されたサブマウントとを備える。半導体発光素子をサブマントに搭載した後に活性層が有する歪量は、エピタキシャル成長時に活性層が有する歪量よりも大きい。エピタキシャル成長時に活性層が有する歪量は、半導体層の表面が鏡面になる値である。半導体発光素子をサブマントに搭載した後に活性層が有する歪量は、エピタキシャル成長時にその歪量を得ようとすると半導体層の表面が鏡面にならない値である。

    Abstract translation: 光学半导体器件包括半导体发光元件，其中包括应变量子阱结构的有源层的半导体层在半导体衬底上外延生长，并且其上安装有半导体发光元件的子座。 在将半导体发光元件安装在子座上之后，有源层具有的应变量大于在外延生长时有源层具有的应变量。 活性层在外延生长时具有的应变量是当半导体层的顶表面成为镜面时发现的值。 在将半导体发光元件安装在副底座上之后，活性层的应变量是当半导体层的顶表面不会变成镜面时发现的值，如果试图在 外延生长的时间。

    GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
    99.
    发明申请
    GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE 审中-公开
    III类氮化物半导体发光器件

    公开(公告)号：WO2006054673A1

    公开(公告)日：2006-05-26

    申请号：PCT/JP2005/021190

    申请日：2005-11-14

    Applicant: SHOWA DENKO K.K. ,  SAKAI, Hiromitsu

    Inventor： SAKAI, Hiromitsu

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00

    Abstract: An object of the present invention is to provide a Group III nitride semiconductor light-emitting device with high emission efficiency. The inventive Group III nitride semiconductor light-emitting device has an n-type layer, a light-emitting layer and a p-type layer composed of a Group III nitride semiconductor on a substrate, with the light-emitting layer sandwiched between the n-type layer and p-type layer, wherein the range for Δa as the ratio of the difference between the a-axis lattice constant of the layer between the light-emitting layer and substrate (or in the case of multiple layers with different compositions between the light-emitting layer and substrate, where each layer is grouped according to composition, the a-axis lattice constant of the group having the maximum thickness considering all of the layers belonging to the group) a1 and the a-axis lattice constant of the light-emitting layer (or if the light-emitting layer has a multiple quantum well structure, the a-axis lattice constant determined from the zero-order peak representing the average composition of the well layers and barrier layers) a2, represented by the following formula (I), is -0.05 ≤ Δa ≤ 0.05 (unit: %).Δa = 100(a 1 -a 2 )/a 1 (I)

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种发光效率高的III族氮化物半导体发光元件。 本发明的III族氮化物半导体发光器件在衬底上具有n型层，发光层和由III族氮化物半导体构成的p型层，其中发光层夹在n型层之间， 型层和p型层，其中λa的范围作为发光层和衬底之间的层的a轴晶格常数之间的差的比率（或者在具有不同组成的多层之间的差异之间的比率 发光层和基板，其中每个层根据组成分组，考虑属于该组的所有层的具有最大厚度的组的a轴晶格常数a1和a轴晶格常数 发光层（或者如果发光层具有多重量子阱结构，则从表示阱层和阻挡层的平均组成的零级峰值确定的a轴晶格常数a2，repr 由下式（I）表示，为-0.05 =αa = 0.05（单位：％）.a a = 100（a 1 -a 2）/ a （I）

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