-
公开(公告)号：CN117121152A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280025831.7
申请日：2022-03-08
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/09
Abstract: 公开了通过减少多射束装置中的次级带电粒子检测器的检测元件之间的串扰来增强成像分辨率的系统和方法。多射束装置可以包括电光系统，该电光系统包括射束限制孔径板，该射束限制孔径板具有基本垂直于光轴的表面，该射束限制孔径板包括相对于射束限制孔径板的表面处于第一距离处的第一孔径以及相对于射束限制孔径板的表面处于第二距离处的第二孔径，第二距离与第一距离不同。第一孔径可以是射束限制孔径板的在第一距离处的第一孔径集合的一部分，并且第二孔径可以是射束限制孔径板的在第二距离处的第二孔径集合的部分。
-
公开(公告)号：CN116897408A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202280015412.5
申请日：2022-01-17
Applicant: ICT半导体集成电路测试有限公司
Inventor： P·阿达麦茨
IPC: H01J37/09
Abstract: 描述了一种带电粒子束设备(100)。带电粒子束设备包括：第一真空区域(121)，其中布置有用于沿光轴(A)发射带电粒子束(102)的带电粒子束发射器(105)；第二真空区域(122)，第二真空区域在第一真空区域下游并且通过具有第一差分泵送孔(131)的第一气体分隔壁(132)与第一真空区域隔开，其中第一差分泵送孔(131)被配置为用于带电粒子束(102)的第一射束限制孔；以及第三真空区域(123)，第三真空区域在第二真空区域下游并且通过具有第二差分泵送孔(133)的第二气体分隔壁(134)与第二真空区域隔开，其中第二差分泵送孔(133)被配置为用于带电粒子束(102)的第二射束限制孔。进一步描述的是扫描电子显微镜和操作带电粒子束设备的方法。
-
公开(公告)号：CN111971774B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201880091659.9
申请日：2018-03-29
Applicant: 株式会社日立高新技术 , 一般财团法人日本精细陶瓷中心
IPC: H01J37/09 , H01J37/147
Abstract: 带电粒子束装置中，在使用具有圆环形状的带电粒子束光圈的情况下，带电粒子束中的电流密度最高的光轴上的带电粒子束被遮挡，因此难以将带电粒子束光圈配置到最优的搭载位置。因此，与圆环形状的带电粒子束光圈(120)分别地具备圆孔形状的带电粒子束光圈(119)，能够切换将圆环形状的带电粒子束光圈配置在带电粒子束的光轴上的情况和将圆孔形状的带电粒子束光圈配置在带电粒子束的光轴上的情况。
-
公开(公告)号：CN116798841A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310873845.0
申请日：2023-07-14
Applicant: 无锡亘芯悦科技有限公司
IPC: H01J37/28 , H01J37/09 , H01J37/14 , H01J37/141 , H01J37/12
Abstract: 本发明公开了一种束张角可调的扫描电子束成像系统及电子束控制方法，属于扫描电子束成像技术领域。所述系统通过合理设置多级透镜与可移动孔径光阑的位置，一方面实现电子束束流调节以及束张角高度优化控制，使得高斯像，球差，色差，衍射等像差得到优化，从而得到电子束成像系统的最佳分辨率；另一方面各级透镜以及可移动孔径光阑结构和功能相对独立，工程易实现。本申请提供的扫描电子束成像系统，能够在保证低能扫描电子束高分辨成像的同时能够满足高能电子束不受浸没式复合物镜工作距离限制，实现最优高分辨成像；而且既可以针对磁性样品进行扫描成像，又可以对非磁性样品进行扫描成像。
-
公开(公告)号：CN116235272A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202180063679.7
申请日：2021-09-16
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: H01J37/09
Abstract: 提出一种装置(100)，其用以使用粒子束(110)来分析和/或处理样品(10)，包含：提供单元(106)，用于提供粒子束(110)；屏蔽元件(202)，用于屏蔽由在样品(10)上累积的电荷(Q)所产生的电场(E)，其中屏蔽元件(202)具有通孔(206)，供粒子束(110)穿过并朝向样品(10)；侦测单元(112)，配置为侦测屏蔽元件(202)的实际位置；以及调整单元(600)，用于将屏蔽元件(202)从实际位置调整到目标位置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111341634B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201911308786.2
申请日：2019-12-18
Applicant: ICT集成电路测试股份有限公司
IPC: H01J37/26 , H01J37/09 , H01J37/147 , H01J37/15
Abstract: 一种带电粒子束装置，所述带电粒子束装置包括：带电粒子源，所述带电粒子源被配置为发射带电粒子束；可移动台，所述可移动台包括具有至少第一孔径阵列和第二孔径阵列的孔径阵列组件，所述可移动台被配置为使所述孔径阵列组件与所述带电粒子束对准，并且至少一个孔径阵列包括屏蔽管，所述屏蔽管耦接到所述可移动台。
-
公开(公告)号：CN115938894A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310023859.3
申请日：2023-01-09
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
IPC: H01J37/09 , H01J37/317 , G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种成形光阑阵列板、成形光阑阵列组件和电子束分束模块，其中，成形光阑阵列板包括基底，基底上阵列排布有N×M个第一光阑孔，其中，N和M均为整数且N≥1，M≥1；和自基底的表面向外隆起的至少一条隆起棱，隆起棱位于第一光阑孔的外侧。由此，使得该成形光阑阵列板因表面积增大而增强了其热辐射散热效果的同时，也加强了其自身的机械强度，从而使得当该成形光阑阵列板使用至电子束分束模块中时，即使电子枪发射的大部分电子束照射在该成形光阑阵列板上时，该成形光阑阵列板和其上的第一光阑孔也能保持较小的变形量，从而避免照射到掩模版或硅片上的电子束图形畸变，保证了多电子束源所产生的束斑的精度、稳定性和一致性。
-
公开(公告)号：CN114975050A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210566572.0
申请日：2022-05-23
Applicant: 清华大学
IPC: H01J37/295 , H01J37/09 , H01J37/153 , H01J37/21
Abstract: 本公开涉及一种基于多弯消色散的超快电子衍射系统，包括：电子源，用于产生第一电子束；第一聚焦组件，用于捕获所述第一电子束，并使所述第一电子束聚焦，获得第二电子束；多弯消色散组件，用于使第二电子束中具有不同能量的电子按照不同运动路径运动，并在压缩束长后获得第三电子束，第三电子束的脉宽在预设位置处最小。根据本公开的实施例的基于多弯消色散的超快电子衍射系统，可针对宽能谱电子源的特性，使用与电子源性能匹配的多弯消色散组件，从而对电子束的束长进行压缩，获得能量高，能散低，时间分辨率高的电子束，以满足超快电子衍射的应用研究需求。
-
公开(公告)号：CN114600221A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080054443.2
申请日：2020-07-29
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/26 , H01J37/09 , H01J37/10 , H01J37/12 , H01J37/147 , H01J37/28 , H01J37/302 , H01J37/317
Abstract: 公开了一种在不同操作点处操作多粒子束系统的方法。对于每个工作点，可以设定数值孔径，以使多粒子束系统的分辨率最佳。在此过程中，待扫描样品上相邻个体粒子束之间的束间距的边界条件保持恒定。出于改变数值孔径的目的，不会对系统做出机械变换。
-
公开(公告)号：CN114203503A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111468462.2
申请日：2021-12-03
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种用于超快扫描二次电子成像的E‑T探测器，该探测器包括承载本体、光电倍增管、光导管、闪烁体、栅网和滤光片；所述承载本体内依次设置有光电倍增管、光导管和闪烁体；位于所述闪烁体前方的所述承载本体前端设置所述栅网；所述光电倍增管和所述光导管之间设置有至少一个滤光片。本发明通过增加滤光片以及增镀铝膜，实现降低泵浦光与杂散光源对超快扫描成像的干扰，提升图像的信噪比，获得高质量的超快电子扫描图像。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
4280
records
(took 0.035 seconds)
