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公开(公告)号：CN119688065A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411759561.X
申请日：2024-12-03
Applicant: 厦门大学
IPC: G01J3/28 , G01J3/02 , G06F18/2411 , G06F18/214 , G06F18/15 , G06N3/0499
Abstract: 本申请提供一种LED阵列光谱数据批量采集系统及方法，该系统包括电流源、激光源、显微镜、AOTF高光谱成像仪、相机以及用于批量采集的处理器；所述显微镜包含若干个物镜以及机械载物台；所述处理器用于执行：调整AOTF高光谱成像仪的驱动频率，进行不同波长下的图像采集，并输出LED阵列完整光谱；所述处理器包括模型训练模块和批量采集模块，所述模型训练模块用于构建SVM模型，所述批量采集模块用于采集部分波长下的LED阵列光谱，并将该LED阵列光谱输入SVM模型得到LED阵列完整光谱。本申请批量采集LED芯片的少量波长的单色光谱数据，输入SVM模型，即可映射出高精度LED阵列全光谱数据，具有很好的实用性。
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公开(公告)号：CN119646612A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411711516.7
申请日：2024-11-27
Applicant: 厦门大学
IPC: G06F18/241 , G06F18/213 , G06F3/01
Abstract: 本发明提出一种基于脑机接口的SSVEP信号处理与筛选的方法和装置，包括：数据导入与参数设置；数据去噪，对多通道采集的SSVEP信号进行时域均值计算以去除生理伪迹；循环处理各数据块，包括数据预处理和频谱数据筛选步骤，对每个数据块进行去基线漂移、陷波滤波、带通滤波和快速傅里叶变换；结果显示，根据筛选条件输出相应信息。数据预处理通过时域与频域滤波器处理，简单有效去除SSVEP信号生理伪迹，提升原始SSVEP信号的质量；频率筛选步骤则克服以往人工筛选费时费力的缺点，根据SSVEP信号特性以及基波谐波特性和个体差异进行函数参数调整，快速筛选保留有效的SSVEP信号，为后续任务如高质量数据集提供有力支持。
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公开(公告)号：CN119593051A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411775203.8
申请日：2024-12-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明属于半导体光电器件技术领域，具体公开了一种基于位阻控制实现生长超低缺陷钙钛矿单晶的制备方法，包括如下步骤：制备钙钛矿单晶前躯体溶液：将钙钛矿单晶前驱体溶于具有配位能力的同质溶剂中配制成前驱体溶液；生成钙钛矿单晶晶种：将制得的钙钛矿单晶前躯体溶液加热到出现微晶后，挑选形成良好的晶体，干燥后作为晶种储存以备将来使用；生长钙钛矿单晶：将生成的钙钛矿单晶晶种置于钙钛矿单晶前驱体溶液中加热，生长得到钙钛矿单晶。本发明通过逆温结晶法将前驱体溶解在具有配位能力的同质溶剂中，调节温度进行单晶生长；依据位阻理论，通过调控溶剂比例选择生长温度，得到具有超低缺陷密度的钙钛矿单晶。
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公开(公告)号：CN119529602A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411736950.0
申请日：2024-11-29
Applicant: 厦门大学
IPC: C09D11/38 , C09K11/06 , C09K11/02 , C09K11/66 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09D11/50 , H10H20/851 , H10H29/851
Abstract: 本发明公开了一种可光交联钙钛矿纳米晶墨水，其包括分散于溶剂中的钙钛矿纳米晶，钙钛矿纳米晶表面包覆有保护层，其中部分钙钛矿纳米晶的保护层表面修饰有第一光敏分子，另外部分钙钛矿纳米晶的保护层表面修饰有第二光敏分子，第一光敏分子带有C＝C基团，第二光敏分子带有C＝O基团，第一光敏分子和第二光敏分子可发生光交联反应。本发明还公开了其制备方法和图案化应用，其图案化过程无需使用光刻胶及其专用显影液，有效保护量子点的发光性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN119356520A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411284800.0
申请日：2024-09-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本申请提供了一种基于边缘TPU芯片模型加速的眼动控制系统及方法，包括PC、Docker、眼动眼镜和搭载TPU芯片，通过眼动眼镜获取外场景图像和眼部运动图像；通过PC修改和训练YOLOv5s模型，通过Docker格式转换和部署，以将YOLOv5s模型转换为Bmodel模型格式以兼容TPU芯片，基于SAIL库重构代码架构并配置在TPU芯片中，实现TPU芯片与眼动控制器的兼容，通过Bmodel模型识别外场景图像中的目标位置坐标，在TPU芯片中配置双层CNN卷积模型识别眼部运动图像中的瞳孔中心，并映射至外场景获取注视点坐标，根据坐标重叠判断生成控制指令。解决TPU芯片与现有眼动控制器的兼容性和集成问题，可以快速而准确地处理用户的眼球运动数据，同时还提升数据处理的精度，实现更流畅、更自然的用户交互体验。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119304890A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411758805.2
申请日：2024-12-03
Applicant: 厦门大学
IPC: B25J9/16 , B25J5/02 , H05B47/10 , H05B47/105 , H05B47/11 , H05B47/12 , H05B47/125 , H05B47/165 , H05B47/19
Abstract: 本发明涉及一种桌面照明机器人控制系统，包括：集成了摄像头、语音模块、信息处理模块、姿态传感模块、运动控制模块和光谱检测与光源控制模块；通过摄像头采集用户图像，语音模块捕获用户语音信号，信息处理模块解算用户脸部位置和手势控制指令，姿态传感模块获取用户头部姿态信息和视觉点距离信息；运动控制模块依据上述信息生成控制指令，驱动机器人调整位置以及调整光源；光谱检测与光源控制模块利用深度学习技术预测还原环境光谱信息，智能调节光源，以适应不同场景需求。本发明通过姿态解算和光谱预测技术，实现智能跟随与调光，提供舒适稳定的照明环境。
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公开(公告)号：CN114664785B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202210251886.1
申请日：2022-03-15
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/498 , H10H20/857 , H10H29/20 , H10D86/60 , H01L21/60 , G09F9/33
Abstract: 本申请提出了一种基于Fan‑out的Mirco‑LED显示屏及其制造工艺，包括：基板；包含多个LED芯片的LED芯片阵列和包含多个TFT的TFT阵列，分别通过所述基板上下两侧的焊点键合在所述基板的上下两侧；所述基板的上侧和/或下侧布置有至少一根金属走线，所述基板上开设有供所述金属走线上下穿设的过孔，所述金属走线的一端连接所述基板上侧的焊点，且另一端水平地往外侧延伸到超出所述LED芯片阵列的边缘并连接所述基板下侧的焊点，从而实现所述LED芯片阵列和所述TFT阵列之间的电导通。本申请的Mirco‑LED显示屏制造工序简便，且成本较低。
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公开(公告)号：CN114744100B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202210295814.7
申请日：2022-03-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面预处理的量子点图案制备方法，是在预处理后的基板表面形成由亲水性物质组成的第一图案和由疏水性物质组成的第二图案，第二图案设于第一图案外围并与第一图案的边缘相配合，量子点溶液沉积于第一图案上；图案通过模板采用压印工艺制得。本发明通过利用亲、疏水物质的相关特性并对待沉积量子点溶液的区域进行图案化处理，可使沉积的量子点颜色转换层的形状更加规则、高度更加可控，不易出现因量子点溶液的流动而导致的颜色转换层图案的形变。量子点颜色转换层图案的规则、整齐化有利于窄半高宽、高色品质出光的实现。
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公开(公告)号：CN118725649A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410817516.9
申请日：2024-06-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种用于电流体动力学喷墨打印的量子点油墨的制备方法，采用两种或两种以上配体对钙钛矿量子点进行钝化，钝化后的量子点混合于两种或两种以上溶剂中，得到量子点油墨。多配体系统通过提供多重钝化机制、优化配体覆盖以及改善光学性能，增强纳米颗粒的稳定性和分散性，多溶剂系统可以提高溶解能力，优化溶液的粘度和表面张力，改善稳定性，两者协同作用显著提升电流体动力学喷墨打印技术墨水的性能和应用前景，进而实现高质量的全彩Micro‑LED显示。
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公开(公告)号：CN114967316B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202210513754.1
申请日：2022-05-12
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种制备半导体垂直剖面结构的光刻方法的制备方法，根据光刻图形设计分隔构件，所述分隔构件包括罩板，罩板具有遮蔽区和镂空区，镂空区周缘垂直向下延伸形成隔板；在半导体基板表面涂覆光刻胶后放置分隔构件，并使隔板嵌入光刻胶中将光刻胶对应遮蔽区和对应镂空区的部分物理隔开，然后进行曝光、显影以及后续的蚀刻工艺。通过分隔构件物理隔离需曝光部分的光刻胶，可实现九十度的垂直剖面，实现了低成本，高精度的光刻工艺。
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