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公开(公告)号：CN115763518A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211444320.7
申请日：2022-11-18
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微流控技术的高品质Micro‑LED全彩显示器件及制备方法，于透明基底上形成图案化金属层，图案化金属层具有阵列排布的透光开口，利用阵列化透光的金属层作为量子点沉积区域，并通过微流控芯片技术对不同的阵列填充红色和绿色量子点，作为红色和绿色子像素色转换层，再与蓝光Micro‑LED键合制备Micro‑LED全彩显示器件，子像素点之间的金属层为不透光材质，子像素点之间的红、绿、蓝光只能从预设的阵列区域透射出来，降低相同颜色和不同颜色子像素点发射的光之间的窜扰，提升Micro‑LED器件的光品质。
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公开(公告)号：CN116825933A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310783420.0
申请日：2023-06-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了基于开放式微流控技术的Micro‑LED全彩化显示器件制备方法，其量子点色转换层的制备中，是将具有凹槽阵列的基板进行疏液处理，然后采用具有镂空的微通道的基板与具有凹槽阵列的基板键合形成微通道通路，量子点注入微通道通路，溶剂挥发后自发浓缩于凹槽阵列中；将量子点色转换层与Micro‑LED发光芯片阵列和滤光片封装层键合，其中滤光片封装层的滤光片阵列之间设置遮蔽层。本发明可以快速沉积不同厚度且不同颜色的量子点，同时有效防止光窜扰、提高色彩纯度。
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公开(公告)号：CN115986036A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211441087.7
申请日：2022-11-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微流控技术和量子点配体工程光刻技术的Micro‑LED全彩化显示器件结构与制备方法，是通过将量子点溶液在衬底上的微通道中通入并沉积后，通过光刻技术实现基于量子点配体工程的色转换层的阵列化，再将其与下面的Micro‑LED芯片阵列，Micro‑LED驱动层和上面相应的彩色滤光片阵列一一对应，实现Micro‑LED全彩化发光器件的制备，突破了传统量子点光刻技术制备色转换层方法造成的原料利用率低和成本高、基于微流控技术的色转换层图案化设计方案中的制备过程复杂等问题。本发明制备工艺简单、原材料利用率高，提高色转换效率的同时保留了传统光刻技术高分辨率的特点。
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公开(公告)号：CN119677264A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411786628.9
申请日：2024-12-06
Applicant: 厦门大学
IPC: H10H20/851 , H10H20/01
Abstract: 本发明公开了一种基于微流控和抛光技术的量子点色转换层制备方法，其于透明衬底表面形成具有凹槽阵列的遮蔽层，通过微流控技术构建不同的微通道，将不同颜色的可固化量子点溶液通入不同微通道中，使量子点溶液充满微通道和对应的凹槽，量子点溶液固化形成量子点层，再通过抛光技术去除凹槽之外的量子点层，得到位于凹槽阵列内的量子点阵列。本发明还公开了其在Micro‑LED全彩化显示器件的应用。本发明可以一次性制备足够厚度的多色量子点色转换层，且量子点的厚度可以通过抛光除去的量子点膜厚度来进行精确调控，无需多次沉积量子点，极大地简化了工艺流程。
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公开(公告)号：CN117210907A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311157655.5
申请日：2023-09-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种制备全彩化Micro‑LED显示器件的多色量子点电泳沉积系统，包括溶液池，量子点溶液存储单元、气压控制单元、干燥气体单元、废液收集单元、电压集成分配控制单元和清洗喷淋单元；量子点溶液存储单元包括多个量子点溶液存储装置，电压集成分配控制单元包括位于正负电极之间的若干控制开关，各控制开关分别连接不同的待沉积区域线路，并通过控制开关切换待沉积区域线路的正负电压连接关系实现不同待沉积区域的量子点沉积。本发明还公开了基于上述多色量子点电泳沉积系统的全彩化Micro‑LED显示器件制备方法，颜色转换效率高、制备速度快、可实现大面积的量子点的沉积同时节约了时间成本，适合于大规模工业化生产，加快全彩化显示的进程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119529602A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411736950.0
申请日：2024-11-29
Applicant: 厦门大学
IPC: C09D11/38 , C09K11/06 , C09K11/02 , C09K11/66 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09D11/50 , H10H20/851 , H10H29/851
Abstract: 本发明公开了一种可光交联钙钛矿纳米晶墨水，其包括分散于溶剂中的钙钛矿纳米晶，钙钛矿纳米晶表面包覆有保护层，其中部分钙钛矿纳米晶的保护层表面修饰有第一光敏分子，另外部分钙钛矿纳米晶的保护层表面修饰有第二光敏分子，第一光敏分子带有C＝C基团，第二光敏分子带有C＝O基团，第一光敏分子和第二光敏分子可发生光交联反应。本发明还公开了其制备方法和图案化应用，其图案化过程无需使用光刻胶及其专用显影液，有效保护量子点的发光性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN116504883A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310363346.7
申请日：2023-04-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微透镜的量子点色转换层的制备方法，且是通过倒模的方式制作具有凹透镜槽阵列的PDMS基底，于相邻凹透镜槽间形成挡光层，并于凹透镜槽阵列中沉积量子点形成微透镜结构的子像素单元阵列，键合柔性封装层形成柔性的量子点色转换层。并将柔性的量子点色转换层与Micro‑LED芯片阵列键合实现全彩化显示应用。本发明的微透镜结构可以增加量子点色转换层的垂直出光度，降低相邻像素点之间的光串扰，进而增加整体器件的有效亮度，降低整体器件的颜色串扰，提升最终制备的柔性Micro‑LED器件的显示性能。
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公开(公告)号：CN115663094A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211258999.0
申请日：2022-10-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种粗糙表面量子点图案沉积方法，是对色转换层基板的表面进行研磨抛光处理后利用光刻胶掩膜在预沉积量子点溶液的区域进行粗糙化处理，以增加量子点预沉积区域的粗糙度，然后通过微流控技术沉积量子点溶液于图形化粗糙区域并吹扫多余量子点溶液，再形成色转换层图案之间的遮光层以及表面沉积保护层。本发明可减少激发光在折射率不同的两种材料表面发生全反射，增强色转换层中量子点溶液对激发光源的吸收，有利于提高激发光源的光提取效率，降低能耗；并可进一步提高量子点光转化效率，提高光的品质，使得全彩化显示光亮度更好，适合于更大规模的全彩化显示应用。
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公开(公告)号：CN117613170A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311599605.2
申请日：2023-11-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于立体微腔阵列的量子点Micro‑LED色转换层的制作方法，在透明衬底上形成凹槽阵列，并在其上键合微流控盖板时，使得微流控通道和凹槽阵列错开一定比例对准键合实现了立体微腔阵列的构筑，通过微流体行为调控实现可控的量子点微液滴阵列，进一步制造不同量子点的独立阵列化沉积形成量子点色转换层，最终制备Micro‑LED全彩显示器件。本发明利用微通道内的立体微腔来捕获量子点溶液，使其在用非互溶流体吹出时较开口的微结构能够更稳定地保留更大体积的微液滴，待量子点溶剂挥发即可在立体微腔阵列结构内形成的量子点色转换层的阵列图案。本发明的方法可以适用于多种不同类型量子点的沉积，具有低成本、高通量、普适性的特点。
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公开(公告)号：CN116364834A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310332573.3
申请日：2023-03-31
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种厚度可控的量子点色转换层及Micro‑LED全彩化显示器件与制备方法，通过微流控芯片与带有阵列形貌结构的基底相结合，在微流控芯片的微通道内引入量子点溶液并沉积在微结构中后，去除沉积在阵列结构外部的多余量子点从而实现RGB量子点色转换层的制备，进而与Micro‑LED芯片键合后实现Micro‑LED全彩化显示器件的制备。本发明解决了当前微流控工艺制备量子点色转换层中易出现的气体油相等吹出量子点不可控现象且操作简单，成本低廉。改善了目前关于微流控制备量子点色转换层方法中相同浓度下沉积厚度有限的问题，在相同条件下有效增加了量子点沉积厚度，可以提高对光源的吸收，增加了色纯度，增强了转化效率，提升了Micro‑LED全彩显示器件的性能。
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