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公开(公告)号:CN116344715A
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202310419422.1
申请日:2023-04-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种高转换效率量子点色转换层的制备方法,其是对硬质透明衬底的表面进行图案化,得到分立间隔排布的凸起结构阵列,并于图案化的表面上沉积量子点单元得到量子点色转换层,其图案化的表面可以帮助器件内部光子纵向传播,从而提高光提取效率;用于Micro‑LED全彩显示,显示效果好,且制作工艺简单,避免巨量转移,成本低,可以作为显示器的封装层,更易于批量化生产。
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公开(公告)号:CN115763518A
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202211444320.7
申请日:2022-11-18
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微流控技术的高品质Micro‑LED全彩显示器件及制备方法,于透明基底上形成图案化金属层,图案化金属层具有阵列排布的透光开口,利用阵列化透光的金属层作为量子点沉积区域,并通过微流控芯片技术对不同的阵列填充红色和绿色量子点,作为红色和绿色子像素色转换层,再与蓝光Micro‑LED键合制备Micro‑LED全彩显示器件,子像素点之间的金属层为不透光材质,子像素点之间的红、绿、蓝光只能从预设的阵列区域透射出来,降低相同颜色和不同颜色子像素点发射的光之间的窜扰,提升Micro‑LED器件的光品质。
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公开(公告)号:CN114927600A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202210574620.0
申请日:2022-05-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微流控技术的MicroLED全彩化显示器件结构与制备方法,是将减薄后的MicroLED芯片阵列的衬底作为基板,在衬底上蚀刻出与MicroLED单元一一对应的凹坑,将微流控盖板与衬底相压合直接在衬底上完成了微流控芯片的制备,然后注入量子点溶液在衬底的凹坑中形成色转换层,省去了微流控芯片基板,省去了量子点色转换层与MicroLED芯片阵列进行键合等步骤。本发明简化了制备工艺、节省了原料,同时提高了色转换的效率。
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公开(公告)号:CN114597302A
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN202210169794.9
申请日:2022-02-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/50 , H01L25/075 , G09F9/33
Abstract: 本发明公开了一种量子点色转换层的制备方法,通过制作微流控芯片,在微流控芯片的微通道内引入了凹槽和疏水性物质,解决了制备颜色转换层中易出现的量子点层厚度及形状不可控、混色等现象。同时,通过对封装层的设计使颜色转换层激发光的品质得到有效提升,防止光串扰的发生。本发明还公开了通过上述制备方法得到的量子点色转换层及其在MicroLED显示器件中的应用。
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公开(公告)号:CN114597302B
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202210169794.9
申请日:2022-02-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/50 , H01L25/075 , G09F9/33
Abstract: 本发明公开了一种量子点色转换层的制备方法,通过制作微流控芯片,在微流控芯片的微通道内引入了凹槽和疏水性物质,解决了制备颜色转换层中易出现的量子点层厚度及形状不可控、混色等现象。同时,通过对封装层的设计使颜色转换层激发光的品质得到有效提升,防止光串扰的发生。本发明还公开了通过上述制备方法得到的量子点色转换层及其在MicroLED显示器件中的应用。
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公开(公告)号:CN116825933A
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN202310783420.0
申请日:2023-06-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了基于开放式微流控技术的Micro‑LED全彩化显示器件制备方法,其量子点色转换层的制备中,是将具有凹槽阵列的基板进行疏液处理,然后采用具有镂空的微通道的基板与具有凹槽阵列的基板键合形成微通道通路,量子点注入微通道通路,溶剂挥发后自发浓缩于凹槽阵列中;将量子点色转换层与Micro‑LED发光芯片阵列和滤光片封装层键合,其中滤光片封装层的滤光片阵列之间设置遮蔽层。本发明可以快速沉积不同厚度且不同颜色的量子点,同时有效防止光窜扰、提高色彩纯度。
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公开(公告)号:CN116741897A
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN202310717239.X
申请日:2023-06-16
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电泳沉积量子点制备全彩器件色转换层的方法,于透明基板上形成透明电极层,透明电极包括电极总条和若干间隔排列的电极指条,电极指条的末端与电极总条相连;于透明电极层上形成图案化绝缘层来于电极指条形成分隔的量子点待沉积区域,在量子点待沉积区域之间形成不透光导电金属层,然后通过电泳工艺使带电量子点选择性沉积于量子点待沉积区域中。本发明可实现快速大面积量子点的均匀选择性沉积,且通过电极连接吸附相反电性量子点沉积到预设图案化阵列区域,避免了表面残留,量子点图案可控,可靠性高,显示性能更佳。
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公开(公告)号:CN116314544A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310188414.0
申请日:2023-03-02
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/50
Abstract: 本发明公开了一种用于量子点无损光刻图案化的方法及其荧光色转换层和Micro‑LED全彩化器件。本发明方法利用原子层沉积技术,在量子点发光层表面沉积抗蚀保护层,可有效提高量子点发光层的光电性能和环境稳定性,避免后序因光刻技术和刻蚀技术对量子点发光层造成不必要的损伤。利用本发明方法制备的高性能荧光色转换层,与Micro‑LED发光芯片阵列相结合,实现性能优异的Micro‑LED全彩化器件。该技术方案要求简单、技术难度低、制备速度快、基底选择多样性,且有利于大规模生产与制造。此外,所制备的荧光色转换层对外界环境变化(光照、湿度、温度等)具有优异的稳定性,可大大提高器件的使用寿命。
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公开(公告)号:CN115986036A
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN202211441087.7
申请日:2022-11-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微流控技术和量子点配体工程光刻技术的Micro‑LED全彩化显示器件结构与制备方法,是通过将量子点溶液在衬底上的微通道中通入并沉积后,通过光刻技术实现基于量子点配体工程的色转换层的阵列化,再将其与下面的Micro‑LED芯片阵列,Micro‑LED驱动层和上面相应的彩色滤光片阵列一一对应,实现Micro‑LED全彩化发光器件的制备,突破了传统量子点光刻技术制备色转换层方法造成的原料利用率低和成本高、基于微流控技术的色转换层图案化设计方案中的制备过程复杂等问题。本发明制备工艺简单、原材料利用率高,提高色转换效率的同时保留了传统光刻技术高分辨率的特点。
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公开(公告)号:CN115464511A
公开(公告)日:2022-12-13
申请号:CN202211135546.9
申请日:2022-09-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种集多通道孔径检测及纳米孔制备于一体的装置及其使用方法,所述的装置,含有夹持器、直线轴承、导电探头、载盘、滚珠轴承、电机、支撑架、主机外壳、人机交互界面和电路。其中,夹持器、直线轴承、载盘、滚珠轴承和电机构成打磨部分;导电探头、人机交互界面和电路构成检测控制部分;将夹持器、直线轴承、导电探头、载盘、滚珠轴承、电机、人机交互界面和电路同时置入主机外壳构成集纳米孔制备及纳米孔孔径检测于一体的装置。本发明实现了多通道孔径实时检测及纳米孔的可控制备,对于在纳米尺度下通道中的科学问题研究中具有广泛的应用前景。
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