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公开(公告)号：KR1019970013204A
公开(公告)日：1997-03-29
申请号：KR1019950028484
申请日：1995-08-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박문한
IPC: H01L21/76
Abstract: 스페이서를 이용한 트렌치 형성방법에 대해 개재되어 있다. 이는, 반도체기판 상에 패드산화막 및 제1 마스크층을 차례로 적충하는 제1 공정, 제1 마스크층 및 패드산화막을 부분적으로 식각하여 비활성영역의 반도체기판을 노출시키는 제2공정, 결과물 사에, 트렌치를 형성하기 위한 소정의 식각공정에 대해 반도체기판과 같은 식각율을 갖는 물질을 도포하여 제2 마스크층을 형성하는 제3 공정 및 제2 마스크층 및 반도체기판에 대해 동시에 이방성식각을 실시함으로써 상단이 라운드된 트렌치를 형성하는 제4 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 간단한 공정으로 상단이 라운드된 트렌치를 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019950025879A
公开(公告)日：1995-09-18
申请号：KR1019940003979
申请日：1994-02-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: F이 함유된 텅스텐 실리사이드막에서 F을 제거할 수 있는 반도체장치의 제조방법이 개시된다. 반도체 기판상의 임의의 하부구조상에 WF
6 가스를 텅스텐의 소스 가스로 사용하여 CVD방법에 의해 텅스텐 실리사이드층을 형성하고, 상기 결과물을 열처리하여 텅스텐 실리사이드층에 함유된 F를 텅스텐 실리사이드층이 자유표면으로 아웃디퓨젼시킨다. 여기서, 상기 열처리 단게는 고진공 비산화 분위기에서 수행되는 것이 바람직하며, 600℃-1100℃의 온도 범위에서 수행되는 것이 바람직하고, 분위기 가스로는 Ar과 같은 불활성 가스나 반응성이 적은 N
2 가스를 사용한다. 상기 텅스텐 실리사이드층의 형성단계 이후 상기 열처리 단계 전에, 텅스텐 실리사이드층의 표면에 형성되어 F의 아웃 디퓨젼을 방해하는 오염물질들을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 여기서 오염물질들의 제거 단계는 습식 또는 건식으로 수행될 수도 있고, 고진공(High Vacuum)에서 700℃-1000℃의 온도범위에서 열처리하여 수행될 수도 있으며 두 단계가 연속적으로 실시될 수도 있다. CVD방법에 의해 텅스텐 실리사이드막을 형성하고 그 표면의 오염물질들을 제거한 후, 열처리를 실시하여, 텅스텐 실리사이드막에 함유된 F을 텅스텐 실리사이드막의 자유표면으로 아웃디퓨전시켜 제저함으로써 후속공정에서의 F의 확산으로 인한 문제점들을 해결하여 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.-
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公开(公告)号：KR1019940009135B1
公开(公告)日：1994-10-01
申请号：KR1019920001044
申请日：1992-01-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
Abstract: The LCD improves a brightness characteristics of display unit,and reduces a minimization pattern of TFT (Thin Film Transistor). The LCD display unit includes the pixel electrode which is constantly placed on a isulated board, a thin film transistror which drives the pixel electrode, a metal wiring which has the gate and source wiring. The LCD unit includes a transparent insulation board (31), a pixel electrode (32). The TFT includes a gate electrode (34), a gate insulation layer (35), a semiconductor layer (36), a source elctrode (37), a drain electrode (37). The gate (34), the source (35), and a drain electrode (38) have conduction materials; Al, Cr, W and Ta. BPSG (Boro-Phospho-Silicate Glass), PSG (Phospho-Silicate-Glass), and USG(Undoped-Silicate Glass) are placed on the TFT and insulation board (31). An optic protection layer(40) is formed on the protected layer of the semiconductor layer (36).
Abstract translation: LCD改善了显示单元的亮度特性，并且减小了TFT（薄膜晶体管）的最小化图案。 LCD显示单元包括恒定地放置在等电路板上的像素电极，驱动像素电极的薄膜透镜，具有栅极和源极布线的金属布线。 LCD单元包括透明绝缘板（31），像素电极（32）。 TFT包括栅电极（34），栅绝缘层（35），半导体层（36），源极（37），漏电极（37）。 栅极（34），源极（35）和漏极电极（38）具有导电材料; Al，Cr，W和Ta。 将BPSG（Boro-Phospho-Silicate Glass），PSG（Phospho-Silicate-Glass）和USG（Undoped-Silicate Glass）放置在TFT和绝缘板31上。 在半导体层（36）的被保护层上形成光保护层（40）。
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