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公开(公告)号：KR102237826B1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：KR1020140091314A
申请日：2014-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 그래핀 소자와 그 제조 및 동작방법과 그래핀 소자를 포함하는 전자장치에 관해 개시되어 있다. 개시된 그래핀 소자는 다기능 소자(multifunction device)일 수 있다. 상기 그래핀 소자는 그래핀층과 이와 접하는 기능성 물질층을 포함할 수 있다. 상기 그래핀 소자는 스위칭소자/전자소자의 구조 내에 메모리소자, 압전소자 및 광전소자의 기능 중 적어도 하나를 가질 수 있다. 상기 기능성 물질층은 저항변화 물질, 상변화 물질, 강유전성 물질, 다중강성(multiferroic) 물질, 다중안정성 분자(multistable molecule), 압전 물질, 발광 물질 및 광활성 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
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2.发明专利
公开(公告)号：KR102232755B1
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020150049075A
申请日：2015-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/772 , H01L27/04 , H01L29/78681 , C01B19/04 , H01L21/467 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/0665 , H01L29/1029 , H01L29/1033 , H01L29/1606 , H01L29/24 , H01L29/66409 , H01L29/66477 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/78684 , H01L29/78687 , H01L29/78696
Abstract: 2차원 물질을 이용한 전자소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 전자소자는 밴드갭을 갖는 2차원 물질층을 포함할 수 있다. 여기서, 2차원 물질층은 2개의 다층 2차원 물질 영역과 그 사이에 배치된 채널 영역을 포함할 수 있다. 전자소자의 전극은 다층 2차원 물질 영역에 전기적으로 접촉할 수 있다.
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公开(公告)号：KR20210027102A
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020200103484A
申请日：2020-08-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L51/00 , H01L21/66 , H01L27/146 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0031 , H01L51/441 , H01L22/00 , H01L27/146 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/4253
Abstract: 제1 전극과 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 활성층, 그리고 상기 제1 전극과 상기 활성층 사이에 위치하는 복수의 보조층을 포함하고, 상기 복수의 보조층은 상기 활성층에 가장 가깝게 위치하는 제1 보조층, 그리고 상기 제1 전극에 가장 가깝게 위치하는 제2 보조층을 포함하며, 상기 활성층의 에너지 준위, 상기 제1 보조층의 에너지 준위, 상기 제2 보조층의 에너지 준위 및 상기 제1 전극의 일 함수는 차례로 깊어지거나 차례로 얕아지고, 상기 활성층, 상기 제1 보조층, 상기 제2 보조층 및 상기 제1 전극의 에너지 다이아그램은 하기 관계식 1을 만족하는 소자, 이를 포함하는 센서 및 전자 장치에 관한 것이다.
[관계식 1]
|ΔΦ
1 -ΔΦ
2 | ≤ 0.1 eV
상기 관계식 1에서, ΔΦ
1 및 ΔΦ
2 는 명세서에서 정의한 바와 같다.-
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公开(公告)号：KR102046100B1
公开(公告)日：2019-11-18
申请号：KR1020130016595
申请日：2013-02-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101919425B1
公开(公告)日：2018-11-19
申请号：KR1020120112087
申请日：2012-10-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/16 , B82Y99/00 , H01L29/0895 , H01L29/1606 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 그래핀채널을포함한터널링전계효과트랜지스터가개시된다. 개시된터널링전계효과트랜지스터는, 기판상의제1전극, 상기제1전극상의반도체층, 상기반도체층상에서상기제1전극과이격된제1영역으로연장된그래핀채널, 상기제1영역상에서상기그래핀채널상의제2전극, 상기그래핀채널을덮는게이트절연층, 상기게이트절연층상의게이트전극을구비한다. 상기제1전극및 상기그래핀채널은제2영역에서상기반도체층을마주보고배치된다.
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公开(公告)号：KR101878737B1
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：KR1020110083054
申请日：2011-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/786
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L21/2007 , Y10T156/10 , Y10T428/2457 , Y10T428/24612
Abstract: 트렌치를이용한그래핀전사방법및 그래핀전사대상기판이개시된다. 개시된트렌치를이용한그래핀전사방법은, 기판을패터닝하여기판의상면에트렌치를형성하는단계와, 상기기판상으로점착액을적신그래핀층을배치하는단계와, 상기그래핀층을상기기판상으로가압하는단계와, 상기기판을건조하여상기점착액을제거하는단계를구비한다.
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公开(公告)号：KR101813181B1
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020110085818
申请日：2011-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , B82Y10/00 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/66045 , H01L29/78684
Abstract: 튜너블배리어를포함하는그래핀전계효과트랜지스터를구비한인버터논리소자가개시된다. 개시된인버터논리소자는백게이트기판상의게이트옥사이드와, 상기게이트옥사이드상에서서로이격된제1 그래핀층및 제2 그래핀층과, 상기제1 그래핀층상에서이격된제1전극및 제1 반도체층와, 상기제2 그래핀층상에서이격된제2전극및 제2 반도체층과, 상기제1 반도체층및 상기제2 반도체층에연결되며상기제1 그래핀층및 상기제2 그래핀층과마주보는출력전극을구비한다. 상기제1 반도체층및 상기제2 반도체층은각각 n형불순물및 p형불순물중 서로다른불순물로도핑된다.
Abstract translation: 公开了一种具有包括可调栅栏的石墨烯场效应晶体管的逆变器逻辑器件。 公开的逆变器逻辑元件返回到栅基片上的栅氧化层，所述彼此隔开的栅极氧化物，第一是被钉扎层和第二是被钉扎层和第一电极和第一是被钉扎层上间隔开的第一半导体cheungwa，其中 2所以所述第二电极和所述被钉扎层和所述第一半导体层上分隔开并连接到所述第二半导体层具有钉扎层和面对钉扎第二是一个输出电极的第二半导体层和所述第一是。 第一半导体层和第二半导体层分别掺杂有n型杂质和p型杂质的不同杂质。
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