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公开(公告)号：KR1019950021135A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930032283
申请日：1993-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 반도체 장치 및 그의 제조방법, 특히 콘택홀(Contact hole)이나 비아홀(Via hole)과 같은 개구부 매몰하는 배선 구조 및 그의 형성 방법이 개시된다. 반도체 기판에 불순물 확산영역을 형성하고, 상기 반도체 기판상에 절연층을 형성한 후, 상기 절연층에, 상기 불순물 확산영역을 노출시키는 개구부를 형성한다. 이어서, 상기 개구부 내부 및 상기 절연층 상에, H
2 플라스마를 사용한 PECVD방법에 의하여 텅스텐을 증착하여 텅스텐층을 형성한다. H
2 플라스마를 사용한 PECVD방법에 의하여 텅스텐을 증착하여 산화막과의 부착 특성을 개선함으로써, 텅스텐으로 이루어진 단일층 만으로 콘택홀을 매몰할 수 있어서 공정이 간단할 뿐만 아니라, 특히 높은 어스펙트 비를 갖는 작은 콘택홀의 매몰시에 단차도포성 등의 콘택 같은성을 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019940003067A
公开(公告)日：1994-02-19
申请号：KR1019920013346
申请日：1992-07-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/40
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 콘택플러그형성방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 선택적 텅스텐을 이용하여 비아콘택 플러그를 형성하는 반도체장치의 콘택플러그형성방법에 있어서, 제1절연막이 형성된 반도체기판상에 도전층패턴을 형성하는 공정과, 상기 도전층패턴이 형성된 반도체기판상에 제2절연막을 형성한 후 사진식각공정을 통해 상기 도전층패턴상의 제2절연막에 비아콘택을 형성하는 공정, 상기 결과물을 순수에 희석된 HF로 습식처리를 행하는 공정, 상기 비아콘택을 선택적 화학기상 텅스텐에 의해 매립하여 비아곤택플러그를 형성하는 공정으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치 의 콘택플러그 형성방법이 제공된다.
이에 따라 콘택저항이 개선된 신뢰성 높은 반도체장치의 실현이 가능하게 된다.-
公开(公告)号：KR1019940003065A
公开(公告)日：1994-02-19
申请号：KR1019920013528
申请日：1992-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 미세접촉구를 갖는 반도체장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 반도체기간과, 상기 반도체기판상에 형성된 제1차 접촉구를 갖는 제1절연막, 상기 제1절연 막상에 형성되며 상기 제1차 접촉구상부에 제2차 접촉구를 갖는 제2절연막, 상기 제1차 접촉구를 매립하는 콘택 플러그, 및 상기 제2절연막상에 형성되며 상기 제2차 접촉구를 통해 상기 콘택플러그에 접속되는 도전층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치가 제공된다.
이에따라 본 발명에 의하면, 미세 금속배선에서의 접촉구형 성시의 미스얼 라인 방지를 위한 마진확보가 가능하고, 접속구보다 금속배선의 선폭을 작게 형성할 수 있으므로 집적도 향상이 가능하며, 또한 동일한 선폭에서는 상대적으로 접촉구부위의 폭이 증대되므로 접촉저항이 개선되는 효과가 있다.
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