-
公开(公告)号：KR1020080087364A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：KR1020070029467
申请日：2007-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사 , 퍼듀 리서치 파운데이션
CPC classification number: H04B7/0645 , H04B7/0452 , H04B7/0632 , H04B17/24 , H04B17/336 , H04B17/382 , H04B7/0417
Abstract: A method for controlling feedback information in a multiuser communication method is provided to use radio resources efficiently and enable a base station to make a decision based on feedback information easily by reducing the volume of feedback information. A base station having M numbers of Tx antennas transmits M numbers of beamformed pilot signals to mobile terminals through the Tx antennas(410). Receiving the pilot signals beamformed through M numbers of beams, each mobile terminal measures a downlink channel state for each pilot signal(420). Then each mobile terminal transmits measured results to the base station through M numbers of uplink slots(430). The base station analyzes the downlink channel states fed back from the mobile terminals, and selects M numbers of mobile terminals having the best downlink channel states for M numbers of beams respectively(440). Then the base station transmits the ESNs(Electronic Serial Numbers) or IMEIs(International Mobile Equipment Identities) of the selected mobile terminals through M numbers of downlink slots(450).
Abstract translation: 提供了一种用于在多用户通信方法中控制反馈信息的方法，以有效地使用无线电资源，并且使得基站能够通过减少反馈信息的量容易地基于反馈信息进行判定。 具有M个Tx天线的基站通过Tx天线向移动终端发送M个波束形成的导频信号（410）。 接收通过M个波束形成的导频信号，每个移动终端测量每个导频信号的下行链路信道状态（420）。 然后每个移动终端通过M个上行链路时隙将测量结果发送到基站（430）。 基站分析从移动终端反馈的下行链路信道状态，并分别选择M个具有M个波束的最佳下行链路信道状态的M个移动终端（440）。 然后基站通过M个下行链路时隙（450）发送所选移动终端的ESN（电子序列号）或IMEI（国际移动设备标识）。
-
公开(公告)号：KR1020060130356A
公开(公告)日：2006-12-19
申请号：KR1020050050987
申请日：2005-06-14
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H04W52/0216 , H04W48/08 , H04W56/00 , H04W68/00 , H04W88/08 , Y02D70/142 , Y02D70/23
Abstract: A power saving method of a portable communication device is provided to allow a terminal to wake up at a proper time by using an estimated timing offset value of beacon frames, thereby reducing power consumption caused by premature wakeup. A wireless communication system includes an access point transmitting beacon frames and paging frames, and a terminal compensating timing offsets with the access point using beacon frames and detecting a position thereof using the paging frames. The terminal is operated in an active mode in which data transmission/reception is actually performed and a power saving mode in which power consumption is reduced when there is no transmission/reception data. A paging timing offset generated for a reception interval of the paging frame is calculated by using a beacon frame of the beacon frames. A paging frame of the paging frames is received after a lapse of a time corresponding to a paging timing offset in the power saving mode.
Abstract translation: 提供了一种便携式通信设备的省电方法，以允许终端通过使用估计的信标帧的定时偏移值在适当的时间唤醒，从而降低由过早唤醒引起的功耗。 无线通信系统包括发送信标帧和寻呼帧的接入点，以及使用信标帧对接入点进行补偿定时的终端，并使用寻呼帧检测其位置。 终端以实际执行数据发送/接收的活动模式和当没有发送/接收数据时功耗降低的省电模式操作。 通过使用信标帧的信标帧来计算针对寻呼帧的接收间隔生成的寻呼定时偏移。 在节电模式中经过与寻呼定时偏移相对应的时间之后，接收寻呼帧的寻呼帧。
-
公开(公告)号：KR1020060066602A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：KR1020050049565
申请日：2005-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/318
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/45527 , H01L21/28202 , H01L21/324
Abstract: 금속 화합물 증착 방법 및 장치에 있어서, 금속 및 할로겐 원소를 포함하는 제1 소스 가스와, 상기 금속과 결합 가능한 물질과 상기 할로겐 원소와 결합 가능한 물질을 포함하는 제2 소스 가스를 표면 반응에 의한 증착율이 물질 전달에 의한 증착율보다 큰 제1 유량비로 공급하여 반도체 기판 상에 제1 금속 화합물을 증착한다. 이어서, 상기 제1 소스 가스와 제2 소스 가스를 상기 제1 유량비와 다른 제2 유량비로 공급하여 상기 제1 금속 화합물 상에 제2 금속 화합물을 증착함과 동시에 상기 제1 금속 화합물 및 상기 제2 금속 화합물로부터 원치 않는 물질(unwanted material)을 제거한다. 따라서 상기 원치 않는 물질에 의한 비저항 증가 및 하부막의 특성 열화를 방지할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020060020194A
公开(公告)日：2006-03-06
申请号：KR1020040068978
申请日：2004-08-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45544
Abstract: ALD(Atomic Layer Deposition) 박막 증착 장치가 제공된다. 상기 ALD 박막 증착 장치는 적어도 하나의 기판이 놓여지는 기판 블록, 다수 개의 가스가 분사되며 상기 기판 블록과 소정 거리 이격된 확산판을 포함하는 반응 용기, 제1 반응 가스 공급부와 커플링되고 상기 제1 반응 가스 공급부로부터 상기 반응 용기로 상기 제1 반응 가스의 흐름이 일어나도록 하는 제1 반응 가스 공급 라인, 제2 반응 가스 공급부와 커플링되고, 상기 제2 반응 가스 공급부로부터 상기 반응 용기로 상기 제1 반응 가스와 배타적으로 제2 반응 가스의 흐름이 일어나도록 하는 제2 반응 가스 공급 라인, 퍼지 가스 공급부와 커플링되고, 상기 퍼지 가스 공급부로부터 상기 반응 용기로 퍼지 단계에만 퍼지 가스의 흐름이 일어나도록 하는 퍼지 가스 공급 라인, 상기 반응 용기의 가스를 외부로 배출하는 배기 라인을 포함한다.
ALD 박막 증착 장치, ALD 박막 증착 방법, 퍼지 가스-
公开(公告)号：KR1020060010313A
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：KR1020040058969
申请日：2004-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4401 , H01L21/67109 , H01L21/67748
Abstract: 본 발명은 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로서, 즉 본 발명은 프로세스 챔버의 내부에서 하부에는 웨이퍼가 안치되는 히터를 구비하고, 상기 히터의 상부에는 반응 가스 분사용 샤워헤드를 구비한 화학 기상 증착 장치에 있어서, 상기 프로세스 챔버(10)의 일측에서 외측으로 구비되는 셔터 챔버(20)와; 상기 셔터 챔버(20)의 내부에 구비되어 구동 수단(32)에 의해서 선단부측 블레이드(31)를 상기 프로세스 챔버(10)측으로 직선 왕복이동시키는 이송 로봇(30)과; 상기 이송 로봇(30)의 블레이드(31)에 안치되어 상기 이송 로봇(30)에 의해 상기 프로세스 챔버(10)의 히터(12)에 안치되면서 상기 히터(12)측 복사열이 상기 샤워헤드(13)로 전달되지 않도록 하는 셔터 디스크(40)를 포함하는 구성으로 이루어지도록 하는 것인 바 반응실(11)의 아이들 또는 러닝 상태로의 상호 전환 시 반응실(11)내를 항상 러닝 분위기로 유지한 상태에서 러닝 타임을 보다 연장시키는 동시에 파티클 생성을 보다 억제시키면서 생산성을 대폭적으로 향상시키게 되는 특징이 있다.
화학 기상 증착, 히터, 샤워헤드, 파티클-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060010031A
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：KR1020040058591
申请日：2004-07-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/34 , C23C16/452 , C23C16/45544
Abstract: 원자층 증착법(ALD)을 이용하여 TiN 박막을 형성하기 위한 방법과 그에 따른 박막 형성 장치를 개시한다. 원자층 증착법(ALD)으로 TiN 박막을 형성하는 방법은 TiCl
4 를 열분해 시키는 제 1단계와, TiCl
4 분해 생성물을 반응 챔버 내로 유입하는 제 2단계와, 상기 챔버 내로 제 1퍼지가스를 공급하는 제 3단계와, 상기 챔버 내에 반응가스를 공급하여 TiN 박막을 형성하는 제 4단계와, 상기 챔버 내로 제 2퍼지가스를 공급하는 제 5단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. TiN 박막 형성 장치는, 소스 가스 즉 TiCl
4 를 유입시키는 가스 인입관과, 상기 TiCl
4 를 미리 열분해 하여 제 2차적 소스 가스를 만들기 위해 상기 가스 인입관의 주변에 설치된 히터와, 상기 가스 인입관에 연결되며 제 2차적 소스 가스와 반응가스인 NH
3 와의 반응에 의하여 TiN 박막이 형성되도록 하기 위한 반응실을 갖는 챔버를 적어도 포함함을 특징으로 한다. 따라서 TiN 박막의 성장률을 개선시킬 수 있는 TiN 박막 형성방법과 그에 따른 박막 형성 장치를 제공할 수 있게 된다.
원자층 증착법, ALD, TiN, 박막 성장률, TiCl4-
公开(公告)号：KR100483918B1
公开(公告)日：2005-04-19
申请号：KR1020020056089
申请日：2002-09-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 서정훈
IPC: F24F1/00
Abstract: 공기정화용 팬이 내장되고 별도의 공기 정화유로를 가진 공기청정기가 설치되어 냉기생성용 팬을 작동시키지 않고도 실내공기를 정화시킬 수 있는 공기조화기가 개시된다. 캐비닛의 하부와 상부에는 각각 실내공기를 흡입하기 위한 공기 흡입구와 냉기를 토출하기 위한 냉기 토출구가 배치되고, 공기 흡입구와 냉기 토출구 사이에는 실내공기를 정화시키기 위한 공기청정기가 설치된다. 공기청정기의 하부에는 공기 흡입구와 연통되도록 하향으로 배치된 공기 유입구가 마련되어 있으며, 공기청정기의 상부에는 캐비닛의 전방을 향해 배치된 정화공기 토출구가 마련되어 있다. 공기청정기의 내부에는 공기 유입구를 통해 공기청정기 내부로 공기를 흡입시켜서 토출시키기 위한 공기정화용 팬과, 공기정화용 팬에 의해 흡입된 공기를 정화시키기 위한 공기 정화수단이 설치된다.
-
公开(公告)号：KR100480632B1
公开(公告)日：2005-03-31
申请号：KR1020020071387
申请日：2002-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28556 , H01L21/2855 , H01L21/32051 , H01L21/7684 , H01L21/76877
Abstract: 열적 부담을 줄이기 위하여 약 400℃ 이하의 비교적 저온에서 금속 배선을 형성하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에서는 반도체 기판상에 리세스 영역을 구비하는 절연막 패턴을 형성한다. 상기 리세스 영역의 내벽 및 상기 절연막 패턴의 상부에 장벽 금속막을 형성한다. 상기 장벽 금속막 위에 상기 리세스 영역을 채우는 금속 플러그를 형성한다. 상기 금속 플러그 및 상기 절연막 패턴의 상부에 90 ∼ 400℃의 온도에서 CVD (chemical vapor deposition) 방법으로 Al막을 형성한다. 상기 Al막 위에 -20 ∼ 400℃의 온도에서 PVD (physical vapor deposition) 방법으로 금속막을 형성한다.
-
公开(公告)号：KR100476939B1
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：KR1020030036438
申请日：2003-06-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L21/76889 , H01L21/76877 , H01L28/60
Abstract: 본 발명은 캐패시터의 특성 열화를 수반하지 않으면서도 안정적인 저항 소자의 콘택을 형성할 수 있는 반도체 저항 소자의 콘택 형성방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 주변회로 영역과 셀 어레이 영역을 포함하는 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 반도체 기판상에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 주변회로 영역의 제1절연막상에 폴리실리콘막을 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘막에 국부 실리사이드 영역을 형성한 다음, 상기 셀 어레이 영역의 제1절연막상에 캐패시터를 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘막과 캐패시터가 형성된 제1절연막상에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막을 관통하여 상기 국부 실리사이드 영역을 개방시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀 내면에 배리어막을 형성하는 단계; 상기 콘택홀 내면을 매립하는 플러그와 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 저항 소자 형성시 캐패시터 형성 이전에 미리 오믹 콘택을 위한 고온의 실리사이드를 형성할 수 있게 되어 실리사이드 공정을 위한 고온 열처리시 캐피시터의 유전막 파괴와 같은 특성 열화를 유발하지 않게 되는 효과가 있게 된다.
-
公开(公告)号：KR1020040105149A
公开(公告)日：2004-12-14
申请号：KR1020030036438
申请日：2003-06-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L21/76889 , H01L21/76877 , H01L28/60
Abstract: PURPOSE: A method for forming a contact of a semiconductor resistor device is provided to reduce the device contact resistance without deterioration of capacitance by using a silicidation process. CONSTITUTION: A cell array region(C) and a peripheral region(P) are designated in a substrate(110). A polysilicon layer(120) is formed on the substrate and then a metal pattern is formed on the polysilicon layer. A silicidation process is performed to form a local silicide region(130b) in the polysilicon layer by annealing. An insulating layer(140) is formed on the resultant substrate. A contact hole for exposing the local silicide region is formed and then a plug(180) is formed in the contact hole. A metal pattern(190) connected to the plug is formed. Herein, the silicidation process is performed before the process for forming a capacitor of the cell array region.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体电阻器件的接触的方法，以通过使用硅化处理来降低器件接触电阻而不会使电容变差。 构成：在衬底（110）中指定电池阵列区域（C）和外围区域（P）。 在衬底上形成多晶硅层（120），然后在多晶硅层上形成金属图案。 进行硅化处理以通过退火在多晶硅层中形成局部硅化物区域（130b）。 在所得基板上形成绝缘层（140）。 形成用于暴露局部硅化物区域的接触孔，然后在接触孔中形成插塞（180）。 形成连接到插头的金属图案（190）。 这里，在形成电池阵列区域的电容器的处理之前进行硅化处理。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
232
records
(took 0.051 seconds)
