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公开(公告)号：KR1019990057679A
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019970077745
申请日：1997-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: 반도체 소자의 층간절연막 형성방법 및 이 방법에 의한 반도체 소자의 층간절연막을 개시한다. 이 방법에 따르면, 하부 금속배선이 형성된 반도체 기판을 준비하고, 상기 반도체 기판 상에 저유전물질로 이루어지는 하부 절연막을 스핀 코팅 방식으로 형성하고, 상기 하부 절연막 상에 저유전물질로 이루어지는 상부 절연막을 고밀도 플라즈마 화학기상증착법으로 형성한다. 상부 절연막은 평탄화를 위하여 CMP 공정을 진행한다.
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公开(公告)号：KR1019990030836A
公开(公告)日：1999-05-06
申请号：KR1019970051271
申请日：1997-10-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 자기정렬 콘택홀을 형성하는 방법이 개시되어 있다. 이 방법은 반도체기판 상에 게이트 산화막을 형성하고, 게이트 산화막의 소정영역 상에 캐핑 절연막 패턴 및 스페이서로 둘러싸여진 도전막 패턴을 형성한다. 그리고, 게이트 패턴들 사이의 반도체기판 표면에 질소가 함유된 가스를 사용하는 플라즈마 처리 공정 또는 암모니아 가스 분위기에서 실시하는 열처리 공정을 이용하여 질화막(nitride layer)을 형성하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 질화막이 형성된 결과물 전면에 균일한 두께를 갖는 식각저지막을 형성할 수 있음은 물론, 식각저지막 상에 고밀도 플라즈마 CVD 산화막을 형성할 때 식각저지막이 들뜨는 현상을 억제시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100155857B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950021393
申请日：1995-07-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768
Abstract: 다층배선을 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법에 관하여 게시한다. 반도체 기판 또는 다층구조의 도전층 상에 형성된 절연막 상에 하부도전층을 형성하고, 그 도전층 양 측벽에 티타늄막을 형성한다. 이어서, SiOF 를 함유하는 층간 절연막을 형성하고, 상부 도전층과 하부 도전층을 연결하기 위한 비아 콘택홀을 형성한 다음, 티타늄막을 형성하고 그 위에 알루미늄을 포함한 금속막을 형성하여 상부 도전층을 형성한다. 본 발명에 의하면, 후 속의 열처리 과정에서 발생하는 SiOF막의 장력으로 인해 도전층에 나타나는 스트레스 마이그레이션을 완전히 방지할 수 있어서, 그로 인해 발생하는 배선저항의 증가 및 단선을 줄일 수 있으며, 또한 반도체 장치의 수율 및 신뢰성을 높일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980068059A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970004491
申请日：1997-02-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 콘택 플러그 패턴 형성방법이 개시되어 있다. 이 방법은 메인 칩 영역 및 스크라이브 레인 영역으로 구성된 반도체기판에 콘택 플러그 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 상기 메인 칩 영역 상에 하부배선을 형성하는 단계와, 상기 하부배선이 형성된 결과물 전면에 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 층간절연막을 패터닝함으로써, 상기 메인 칩 영역에 상기 하부배선의 소정영역을 노출시키는 콘택홀 및 상기 스크라이브 레인 영역에 상기 콘택홀의 폭보다 넓은 폭의 요부를 갖는 정렬관련된 키 패턴을 형성하는 단계와, 상기 결과물 전면에 상기 콘택홀을 채우는 데 필요한 최소한의 두께로 포토레지스트막을 형성하는 단계와, 상기 스크라이브 레인 영역의 포토레지스트막을 완전히 제거하면서 상기 콘택홀 내에 포토레지스트 패턴이 잔존하도록 상기 포토레지스트막을 전면식각하는 단계와, 상� �� 요부의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 상기 콘택홀을 채우는 플러그 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970018374A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950031064
申请日：1995-09-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: 트렌치를 이용한 소자분리 방법에 있어서, 트렌치의 엣지를 라운드하게 형성함으로써 소자의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 장치의 소자분리 방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 반도체기판 상에 패드산화막 및 제1마스크층을 차례로 적층하는 공정, 제1마스크층 및 패드산화막을 부분적으로 식각하여 비활성영역의 반도체기판을 노출시키는 공정, 결과물 상에, 트렌치를 식각율을 갖는 물질을 도포한 후, 에치백하여 제1마스크층의 측벽에 스페이서형의 제2마스크층을 형성하는 공정, 제2마스크층 및 반도체기판에 대해, 제2마스크층이 완전히 소모될 때까지 습식식각을 실시하는 공정 및 제1마스크층을 식각 마스크로 하여, 반도체기판을 이방성 식각함으로써 엣지가 라운드된 트렌치를 형성하는 공정을 포함한다. 따라서, 날카로운 엣지에 의한 누설전류를 방지할 수 있으므로, 소자의 전기적 특성을 안정화할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019960026348A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940033353
申请日：1994-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: 액상증가방법(Liquid Phase Deposition:LPD 방법)을 이용하여 금속배선 패턴 사이의 절연막을 형성하는 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 의한 금속배선 배턴 사이의 절연막 형성방법은 기판상에 금속막을 형성하는 단계와, 상기 금속막상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 금속막을 식각하여 금속막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 금속막 패턴 및 포토레지스트 패턴의 양측벽에 스페이서 절연막을 형성하는 단계와, 상기 스페이서 절연막 및 포토레지스트 패턴을 산화방지막으로 하여 상기 금속막 패턴 사이에 액상증착법으로 절연막을 형성하는 당계와, 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 금속배선 패턴이 드러난 기판위에 바로 LPD 방법을 진행하여 금속배선 패턴 사이에 절연막을 형성함으로써, 보다 간단하게 반도체 장치의 금속배선 패턴간을 절연시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019930011541B1
公开(公告)日：1993-12-10
申请号：KR1019910013221
申请日：1991-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: The semiconductor device is reflowed by forming an insulating film (12) on a substrate (10) and forming 1st metal wiring films (15,15') of Al system alloy, Mo or W on the film (12); forming insulating interlayer (13) of silicon oxide or nitride film; forming a reflowing material (19) of SOG or photoresist, etch-backing to expose the upper part of metal wiring films (15,15') and repeat the same process as above at least twice to form a metal wiring film of any desired thickness on the exposed 1st metal wiring film.
Abstract translation: 通过在基板（10）上形成绝缘膜（12）并在膜（12）上形成Al系合金，Mo或W的第一金属布线膜（15,15'）来回流半导体器件; 形成氧化硅或氮化物膜的绝缘中间层（13）; 形成SOG或光致抗蚀剂的回流材料（19），蚀刻背衬以暴露金属布线膜（15,15'）的上部并重复与上述相同的工艺至少两次以形成任何所需厚度的金属布线膜 在暴露的第一金属布线膜上。
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