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    방열-열전 핀, 이를 포함하는 열전모듈 및 열전장치
    106.
    发明公开
    방열-열전 핀, 이를 포함하는 열전모듈 및 열전장치 审中-实审
    热辐射热电偶，热电模块和包含其的热电装置

    公开(公告)号：KR1020140031757A

    公开(公告)日：2014-03-13

    申请号：KR1020120098478

    申请日：2012-09-05

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

    Inventor： 최재영 ,  백승현 ,  홍승현 ,  김원영

    IPC: H01L35/02

    CPC classification number: F25B21/02 ,  H01L35/16 ,  H01L35/24 ,  H01L35/32

    Abstract: According to an embodiment of the present invention, a heat radiation-thermoelectric fin which has an outstanding thermal conversion efficiency, is capable of implementing heat radiation and thermal development at the same time, and includes a composite laminate of graphene and thermal minerals can be provided. A thermoelectric module and a thermoelectric apparatus comprising the heat radiation-thermoelectric fin can be valuably used for cogeneration and thermal nuclear power for military aerospace.

    Abstract translation: 根据本发明的实施例，具有突出的热转换效率的散热热电翅片能够同时实现热辐射和热显影，并且可以提供石墨烯和热矿物质的复合层叠体 。 包括散热热电翅片的热电模块和热电装置可以用于军用航空航天的热电联产和热核能。

    육방정계 질화붕소 시트, 그의 제조방법 및 이를 구비하는 전기소자
    107.
    发明公开
    육방정계 질화붕소 시트, 그의 제조방법 및 이를 구비하는 전기소자 审中-实审
    六角碱性硝酸盐片，用于制备片材的方法和包含片材的电子器件

    公开(公告)号：KR1020130063410A

    公开(公告)日：2013-06-14

    申请号：KR1020110129913

    申请日：2011-12-06

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

    Inventor： 김상우 ,  신현진 ,  최재영

    IPC: C01B35/08

    CPC classification number: C01B21/064 ,  C01B21/0646 ,  C01P2004/24 ,  C01P2004/60 ,  C30B25/165 ,  C30B29/40 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/267 ,  H01L29/518 ,  H01L29/778

    Abstract: PURPOSE: A hexagonal boron nitride sheet, a manufacturing method thereof, a laminated structure including the same, and an electrical device including the same are provided to be able to manufacture hexagonal boron nitride with a high definition and a large area. CONSTITUTION: A hexagonal boron nitride sheet is a two-dimensional planar structure in which a B-N bond is a sp^2 covalent bond, and the interlayer bond is a Van der Waals bond. The hexagonal boron nitride sheet has a root mean square surface roughness of about 2.00nm or less, the length of the transverse or longitudinal direction of 1mm or more. A manufacturing method of the hexagonal boron nitride sheet comprises the following steps: a step of obtaining a metallic catalyst having a sheet form with an increased grain size by a first heat treatment within a chamber; and a step of producing hexagonal boron nitride in a sheet form by a second heat treatment while supplying a nitrogen source and a boron source in a gas phase to a chamber.

    Abstract translation: 目的：提供六方氮化硼片，其制造方法，包括该六方氮化硼片的叠层结构和包含该六方氮化硼的层状结构，能够制造具有高清晰度和大面积的六方氮化硼。 构成：六方氮化硼片是二维平面结构，其中B-N键是sp 2共价键，并且层间键是范德华键。 六方氮化硼片具有约2.00nm以下的均方根粗糙度，横向或纵向的长度为1mm以上。 六方氮化硼片的制造方法包括以下步骤：在室内通过第一热处理获得具有增加的晶粒尺寸的片状金属催化剂的步骤; 以及通过第二次热处理以氮气源和硼源将气态相对于室供给的方式制造片状的六方氮化硼的工序。

    3차원 그래핀 구조체, 그의 제조방법 및 전사방법
    108.
    发明公开
    3차원 그래핀 구조체, 그의 제조방법 및 전사방법 审中-实审
    三维石墨结构及其制备和转移的方法

    公开(公告)号：KR1020120111400A

    公开(公告)日：2012-10-10

    申请号：KR1020110029848

    申请日：2011-03-31

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

    Inventor： 신현진 ,  최재영 ,  박지훈 ,  안종렬

    IPC: C01B31/02 ,  G03F7/00

    CPC classification number: H01L21/02587 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/188 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1606

    Abstract: PURPOSE: A three-dimensional graphene structure, a manufacturing method of the same, and a transferring method of the same are provided to stably implement a transferring operation and to improve the performance of graphene-based elements. CONSTITUTION: A three-dimensional graphene structure includes periodically repeated three-dimensional shapes. The three-dimensional shapes are hollow hemispherical, cylindrical, or bowl-shaped concave parts or convex parts. The sizes of the three-dimensional shapes are in a range between about 0.1 and 100 um, and the intervals of the three-dimensional shapes are in a range between about 0.1 and 100um. The heights or the depths of the three-dimensional shapes are in a range between about 10nm and about 10um.

    Abstract translation: 目的：提供三维石墨烯结构及其制造方法及其转印方法，以稳定地实施转印操作并提高石墨烯元件的性能。 构成：三维石墨烯结构包括周期性重复的三维形状。 三维形状是中空半球形，圆柱形或碗形凹部或凸部。 三维形状的尺寸在约0.1和100μm之间的范围内，并且三维形状的间隔在约0.1和100um之间的范围内。 三维形状的高度或深度在约10nm至约10μm之间的范围内。

    그라펜 에지의 화학적 변형 방법 및 이에 의하여 얻어진 그라펜
    109.
    发明公开
    그라펜 에지의 화학적 변형 방법 및 이에 의하여 얻어진 그라펜 有权
    用于修饰石墨边和石墨的方法

    公开(公告)号：KR1020100083954A

    公开(公告)日：2010-07-23

    申请号：KR1020090003302

    申请日：2009-01-15

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

    Inventor： 최원묵 ,  홍병희 ,  최재영

    IPC: C01B31/04 ,  B01J19/00

    CPC classification number: C01B32/194 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B32/23 ,  C01B2204/04 ,  C01B2204/32 ,  C07C31/125 ,  C07C31/20 ,  C07C47/02 ,  C07C49/12 ,  C07C53/128 ,  C07C69/22 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/30 ,  C07C47/20

    Abstract: PURPOSE: A chemical modifying method of graphene edge and the graphene manufactured thereby are provided to manufacture the graphene of which electrical property is changed and to improve applicability of the graphene in different transistors. CONSTITUTION: A chemical modifying method of graphene edge includes a step for dry-etching an edge part of grapheme(10) and a step for injecting the etched graphene to a functional group(12). The etched graphene is contacted with liquid offering hydroxide ions. The liquid is water or alcohol. The chemical modifying method of graphene edge includes the following steps: covering graphene with an etching mask; removing the etching masks after dry-etching the graphene; and a step for contacting the graphene with water or alcohol.

    Abstract translation: 目的：提供石墨烯边缘的化学改性方法和由此制造的石墨烯，以制造其电性能改变的石墨烯，并改善石墨烯在不同晶体管中的适用性。 构成：石墨烯边缘的化学修饰方法包括用于干法蚀刻图形的边缘部分（10）的步骤和将蚀刻的石墨烯注入官能团（12）的步骤。 蚀刻的石墨烯与提供氢氧根离子的液体接触。 液体是水或酒精。 石墨烯边缘的化学修饰方法包括以下步骤：用蚀刻掩模覆盖石墨烯; 在干蚀刻石墨烯之后去除蚀刻掩模; 以及使石墨烯与水或酒精接触的步骤。

    전자를 받을 수 있는 작용기를 가진 화학물질로 처리한탄소 나노 튜브 박막 및 그 제조방법
    110.
    发明授权
    전자를 받을 수 있는 작용기를 가진 화학물질로 처리한탄소 나노 튜브 박막 및 그 제조방법 有权
    用具有吸电子基团的化学品处理的碳纳米管碳纳米管薄膜及其制造方法

    公开(公告)号：KR100907025B1

    公开(公告)日：2009-07-10

    申请号：KR1020070075211

    申请日：2007-07-26

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

    Inventor： 신현진 ,  윤선미 ,  최재영 ,  이영희 ,  최성재 ,  김수민

    IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

    CPC classification number: H01L31/022466 ,  B82Y20/00 ,  G02B2207/101

    Abstract: 전자를 받을 수 있는(electron withdrawing) 작용기를 가진 화학물질로 처리한 탄소 나노 튜브 (CNT) 박막 및 그 제조방법이 개시된다. 구체적으로 CNT 박막은, 플라스틱 기판상에 도포되는 CNT 조성물을 포함하는 것으로서, 이러한 CNT 조성물은, CNT, 및 상기 CNT와 결합하며 전자를 받을 수 있는 작용기를 가진 화학물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 구성을 갖는다. 또한, CNT 박막의 제조 방법에 있어서, CNT를 준비하는 단계, 상기 CNT를 전자를 받을 수 있는 작용기를 가진 화학물질로 처리하는 단계, 화학물질로 처리된 CNT를 분산제 또는 분산 용매와 혼합하여 CNT 분산액을 준비하는 단계, 및 CNT 분산액을 이용하여 CNT 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구성을 갖는다. 한편, 또 다른 CNT 박막의 제조 방법에 있어서, CNT를 분산제 또는 분산 용매와 혼합하여 CNT 분산액을 준비하는 단계, CNT 분산액을 이용하여 CNT 박막을 형성하는 단계, CNT 박막 표면에 대하여 전자를 받을 수 있는 작용기를 가진 화학물질로 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구성을 갖는다. 이와 같은 구성에 따른 CNT 박막 및 그 제조방법에 따르면, 전극의 저항을 감소시켜서 전극의 전기 전도도를 향상시킬 수 있다.
    CNT, 방향족 화합물, 지방족 화합물, RBM, BWF, XPS, 플라스몬

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