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公开(公告)号：WO2010098646A2
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：PCT/KR2010/001294
申请日：2010-03-02
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 이영희 , 유우종 , 허채정
Abstract: 본 발명은 한쪽 또는 양쪽이 반도체 층으로 코팅된 캐소드 및 애노드 전극; 및 전자전달체를 포함하는 전해질 용액으로 구성된 열분자 전지 및 이의 제조방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 전극의 한쪽 또는 양쪽의 내벽에 반도체층을 코팅하고, 상기 두 전극 사이에 전자전달체를 포함하는 전해질 용액을 첨가하여 전력을 발생시키는 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은1종 이상의 전극의 한쪽 또는 양쪽의 내벽에 코팅된 반도체층; 상기 전극 사이에 전자전달체를 포함하는 전해질 용액을 구비한 전력 발생 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다. 본 발명으로 제조된 열분자 전지는 장치의 구조가 간단하여 저가로 제조가 용이하고, 외부의 입력연료없이 상온에서도 자기 스스로 전기를 발생시키고 배출물이 없는 친 환경적이고 반 영구적인 장점을 지닌다.
Abstract translation: 防止发明提供：其一面或两面涂覆有半导体层的阴极和阳极电极; 由包含电子载体的电解液组成的热分子电池; 及其制造方法。 此外，本发明提供一种通过用半导体层涂覆电极的一侧或两侧的内壁并在两电极之间加入包含电子载体的电解液来发电的方法。 此外，本发明提供：涂覆在一个或多个电极的一侧或两侧的内壁上的半导体层; 具有电解液的发电装置，该电解液在电极之间包括电子载体; 及其制造方法。 本发明制造的热分子电池通过简化装置的结构容易地以低成本制造，并且在室温下具有自发电的环境和半永久性优点，而没有从外部输入的燃料并产生 排放。
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公开(公告)号：WO2023277499A1
公开(公告)日：2023-01-05
申请号：PCT/KR2022/009178
申请日：2022-06-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/0352
Abstract: 본 발명은, 전이금속 디칼코게나이드 박막 및 상기 전이금속 디칼코게나이드 박막 상부에 적층되어 상기 전이금속 디칼코게나이드 박막과 이종접합을 형성하는 그래핀층을 구비하는 채널층; 상기 그래핀층 상부에 위치하는 금속 나노입자; 및 상기 그래핀층과 접촉하는 제1 전극 및 상기 전이금속 디칼코게나이드 박막과 접촉하는 제2 전극을 포함하는, 적외선 감지 소자를 개시한다. 본 발명의 적외선 감지 소자는, 금속 나노입자의 플라즈몬 공명 현상 및 그래핀/TMD 이종접합 구조에 의한 쇼트키 장벽 가변 효과가 발생하여, 높은 감도 및 낮은 소모전력을 가질 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020100094192A
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：KR1020090013504
申请日：2009-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L27/11
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C11/412 , G11C13/0033 , H01L27/1104 , H01L27/283 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: PURPOSE: A static random access memory(SRAM) using a carbon nanotube thin film is provided to maintain the characteristic uniformity of an SRAM by including a transistor in which channels are composed of carbon nanotube thin films. CONSTITUTION: A first SRAM includes a first transistor to a sixth transistor(Q1 to Q6). The first transistor and the second transistor form a first inverter(40). The third transistor and the forth transistor form a second inverter(42). The first inverter and the second inverter form a flip-flop circuit. The gate of the fifth transistor is connected with a word-line(W). One end of the sixth transistor is connected with a second bit-line(B2).
Abstract translation: 目的：提供使用碳纳米管薄膜的静态随机存取存储器（SRAM），以通过包括其中通道由碳纳米管薄膜组成的晶体管来保持SRAM的特性均匀性。 构成：第一SRAM包括第一晶体管至第六晶体管（Q1至Q6）。 第一晶体管和第二晶体管形成第一反相器（40）。 第三晶体管和第四晶体管形成第二反相器（42）。 第一反相器和第二反相器形成触发器电路。 第五晶体管的栅极与字线（W）连接。 第六晶体管的一端与第二位线（B2）连接。
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公开(公告)号：KR101410933B1
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：KR1020080033882
申请日：2008-04-11
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/768
CPC classification number: H01L51/002 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , H01L51/0008 , H01L51/0048 , H01L51/0545
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브를 구비한 트랜지스터의 도핑방법 및 도핑 이온의 위치 제어방법에 관하여 개시된다. 개시된 탄소나노튜브를 구비한 트랜지스터의 도핑방법은, 소스 및 드레인과, 이들 사이의 채널인 탄소나노튜브와, 게이트를 구비한 전계효과 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트에 제1전압을 인가하는 단계; 및 상기 탄소나노튜브의 표면 상에 이온을 흡착시키는 단계;를 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020090113035A
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：KR1020080038897
申请日：2008-04-25
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H03K19/173 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L27/283 , H01L51/0048 , H01L51/0545
Abstract: PURPOSE: A convertible logic circuit comprising a carbon nano-tube transistor having an ambipolar characteristic is provided to allow a nano-tube transistor to be converted into an n type transistor and a p type transistor by using ambipolar characteristic of carbon nano-tube transistor. CONSTITUTION: In a convertible logic circuit comprising a carbon nano-tube transistor having an ambipolar characteristic, a field effect transistor is composed of a carbon nanotube(30) between a source and a drain and a gate insulating layer(40), a gate electrode(50). A logic circuit includes a first transistor and a second transistor and a input power is connected with the gate of the first transistor and the second transistor. A first electrode of the first transistor is connected with power voltage and the second electrode of the second transistor is ground.
Abstract translation: 目的：提供一种包含具有双极特性的碳纳米管晶体管的可转换逻辑电路，以通过使用碳纳米管晶体管的双极特性，使纳米管晶体管转换为n型晶体管和p型晶体管。 构成：在具有双极特性的碳纳米管晶体管的可转换逻辑电路中，场效应晶体管由源极和漏极之间的碳纳米管（30）和栅极绝缘层（40）构成，栅电极 （50）。 逻辑电路包括第一晶体管和第二晶体管，并且输入功率与第一晶体管和第二晶体管的栅极连接。 第一晶体管的第一电极与电源电压连接，第二晶体管的第二电极被研磨。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170021560A
公开(公告)日：2017-02-28
申请号：KR1020150116103
申请日：2015-08-18
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/16 , H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/02527 , H01L21/02565 , H01L21/042 , H01L29/1606 , H01L29/247 , H01L29/267 , H01L29/66045 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/78693
Abstract: 그래핀아일랜드들을포함하는채널층을구비한그래핀전자소자및 그제조방법이개시된다. 개시된그래핀전자소자는도전성기판상의게이트절연층; 상기게이트절연층상의채널층; 상기채널층의양단에각각배치된소스전극과드레인전극;을구비한다. 상기채널층은반도체층과상기반도체층에직접접촉하며서로이격된복수의그래핀아일랜드를포함하는그래핀층을포함한다.
Abstract translation: 公开了具有包括石墨烯岛的沟道层的石墨烯电子器件及其制造方法。 所公开的石墨烯电子器件包括在导电衬底上的栅极绝缘层; 栅极绝缘层上的沟道层; 以及分别设置在沟道层两端的源电极和漏电极。 沟道层包括半导体层和包括多个石墨烯岛的石墨烯层，石墨烯岛与半导体层直接接触并且彼此间隔开。
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公开(公告)号：KR101432037B1
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：KR1020080038897
申请日：2008-04-25
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H03K19/173 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L27/283 , H01L51/0048 , H01L51/0545
Abstract: 본 발명은 앰비폴라 특성을 가진 탄소나노튜브 트랜지스터를 구비한 전환가능한 논리회로에 관하여 개시된다. 앰비폴라 특성을 가진 탄소나노튜브 트랜지스터를 구비한 전환가능한 논리회로는: 복수의 트랜지스터를 구비하며, 상기 트랜지스터는, 소스 및 드레인과, 이들 사이의 채널인 탄소나노튜브와, 상기 탄소나노튜브 상의 게이트 절연층 및 게이트 전극을 구비한 전계효과 트랜지스터이며, 전원전압의 전압에 따라서 상기 트랜지스터는 p형 또는 n형으로 변환된다.
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公开(公告)号：KR1020090108459A
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：KR1020080033882
申请日：2008-04-11
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/768
CPC classification number: H01L51/002 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , H01L51/0008 , H01L51/0048 , H01L51/0545
Abstract: PURPOSE: A doping method of a transistor comprising carbon nano tube is provided to easily manufacture a p-type transistor and an n-type transistor according to needs. CONSTITUTION: A field effect transistor(200) includes a source, a drain, a carbon nano tube, and a gate. The carbon nano tube is a channel of the source and the drain. A first voltage is applied to the gate. An ion is absorbed on a surface of the carbon nano tube(20). In the absorbing step, nitronium hexafluoro antimonate solution is contacted on the surface of the carbon nano tube. The solution which is not absorbed on the surface of the carbon nano tube is removed. The ion is absorbed on the surface of the carbon nano tube by drying the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种包含碳纳米管的晶体管的掺杂方法，以便根据需要容易制造p型晶体管和n型晶体管。 构成：场效应晶体管（200）包括源极，漏极，碳纳米管和栅极。 碳纳米管是源极和漏极的通道。 第一电压施加到栅极。 在碳纳米管（20）的表面上吸收离子。 在吸收步骤中，六氟铱硝酸铌溶液在碳纳米管的表面上接触。 去除不被碳纳米管表面吸收的溶液。 通过干燥基底将离子吸收在碳纳米管的表面上。
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公开(公告)号：KR102111526B1
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：KR1020180125043
申请日：2018-10-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11524 , H01L45/00
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公开(公告)号：KR101120723B1
公开(公告)日：2012-03-23
申请号：KR1020090017180
申请日：2009-02-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 한쪽 또는 양쪽이 반도체 층으로 코팅된 캐소드 및 애노드 전극; 및 전자전달체를 포함하는 전해질 용액으로 구성된 열분자 전지 및 이의 제조방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 전극의 한쪽 또는 양쪽의 내벽에 반도체층을 코팅하고, 상기 두 전극 사이에 전자전달체를 포함하는 전해질 용액을 첨가하여 전력을 발생시키는 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은1종 이상의 전극의 한쪽 또는 양쪽의 내벽에 코팅된 반도체층; 상기 전극 사이에 전자전달체를 포함하는 전해질 용액을 구비한 전력 발생 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다. 본 발명으로 제조된 열분자 전지는 장치의 구조가 간단하여 저가로 제조가 용이하고, 외부의 입력연료없이 상온에서도 자기 스스로 전기를 발생시키고 배출물이 없는 친 환경적이고 반 영구적인 장점을 지닌다.
열분자, 전지 산화환원, 가역반응, 탄소나노튜브, NADH, 니코틴아마이드
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