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公开(公告)号：KR100377184B1
公开(公告)日：2003-03-28
申请号：KR1019990030379
申请日：1999-07-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: PURPOSE: A gain-coupled type of single mode semiconductor laser is provided to minimize an optic loss and simplify the manufacturing process. CONSTITUTION: In a method of making a semiconductor laser having a diffracting grating, a silicon nitride film or a silicon oxide film is formed as the diffracting grating on the first epitaxial layer. The second epitaxial layer is developed on the whole surface on which the silicon nitride film or the silicon oxide film was formed. In a gain-coupled type of single mode semiconductor laser, an active layer(22) and the first clad layer(23) are applied sequently on the substrate(21). a diffracting grating (24) of a silicon nitride or a silicon oxide is formed on the first clad layer. The second clad layer(25) and a resistive electrode contact layer(26) are applied sequently over the diffracting grating layer.
Abstract translation: 目的：提供增益耦合型单模半导体激光器，以最大限度地减少光损耗并简化制造工艺。 构成：在制造具有衍射光栅的半导体激光器的方法中，在第一外延层上形成氮化硅膜或氧化硅膜作为衍射光栅。 第二外延层在其上形成氮化硅膜或氧化硅膜的整个表面上显影。 在增益耦合型单模半导体激光器中，依次将有源层（22）和第一覆盖层（23）施加在衬底（21）上。 在第一覆盖层上形成氮化硅或氧化硅的衍射光栅（24）。 依次在衍射光栅层上施加第二覆盖层（25）和电阻电极接触层（26）。
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公开(公告)号：KR1020010056977A
公开(公告)日：2001-07-04
申请号：KR1019990058691
申请日：1999-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A method of making a semiconductor laser is provided to be capable of substituting dry and wet etch processes of a mesa side with a reproduction process. CONSTITUTION: A nitride film is deposited on an n+-InP substrate(11) having a crystal face of (0, -1, 1), and a laser resonator direction is determined in a direction perpendicular to the (0, -1, 1) crystal face. The mask nitride film is patterned using lithography and etch processes. An n+-InP buffer layer(13), an active layer(14), and a p-InP clad layer(15) are grown on the exposed n+-InP substrate(11) using a selective area growth technique. After removing the mask nitride film, an epi-wafer having a semiconductor laser structure of a buried type is formed by forming a p-InP current interrupting layer(16), an n-InP current interrupting layer(17), a p-InP clad layer(18), and a p+- InGaAs ohmic contact layer(19).
Abstract translation: 目的：提供制造半导体激光器的方法，以便能够用再生处理代替台面的干法和湿法蚀刻工艺。 构成：在具有（0，-1,1）晶面的n + -InP衬底（11）上沉积氮化物膜，并且在垂直于（0，-1,1）的方向上确定激光谐振器方向 ）水晶面。 使用光刻和蚀刻工艺对掩模氮化物膜进行图案化。 使用选择性区域生长技术在曝光的n + -InP衬底（11）上生长n + -InP缓冲层（13），有源层（14）和p-InP包层（15）。 在去除掩模氮化物膜之后，通过形成p-InP电流中断层（16），n-InP电流中断层（17），p-InP（17）形成具有掩埋型半导体激光器结构的外延晶片 包层（18）和p + -InGaAs欧姆接触层（19）。
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103.发明公开다중 양자우물 구조의 수동 광도파로가 집적된 초고속 광변조기및 그 제조 방법과 그를 이용한 광변조 방법 失效与多量子阱结构的无源光波导集成的高速光调制器，其制造方法以及使用其的光调制方法
公开(公告)号：KR1019990084633A
公开(公告)日：1999-12-06
申请号：KR1019980016539
申请日：1998-05-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/02
Abstract: 본 발명은 전계흡수 광변조기 중 재성장 공정 없이 수동형 광도파로를 형성할 수 있는, 다중양자우물 구조의 수동 광도파로가 집적된 광변조기에 관한 것으로, 광 흡수 영역과 수동형 광도파로 영역으로 분할되는 다중 양자우물 구조의 반도체층 한층을 구비하고, 광 흡수 영역에 역방향 전압을, 수동형 광도파로 영역에 순방향 전압을 각각 인가하여 광변조를 얻을 수 있는 광변조기를 제공한다. 이에 의해 저정전용량이면서도 충분한 길이를 갖는 광변조기를 제조할 수 있어 그 양단에 무반사 박막을 보다 용이하게 증착할 수 있으며 와이어 본딩 등 패키징 공정을 수월하게 실시할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100161064B1
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019940035489
申请日：1994-12-21
IPC: H01S5/227
Abstract: 누설전류 및 고속변조 특성이 개선된 반도체 레이저의 제조방법을 개시한다.
비평면 수직메사 구조위에 저압유기금속 화학증착을 이용해 밴드갭이 큰 In
1-x Ga
x P(0≤x≤0.84)/AlSb 초격자구조의 디지탈 알로이(7)를 100㎚정도의 두께로 성장시키고, 전류차단층(8)을 상기 SiN
x 마스크(6) 위치까지 성장시키고, 계속해서 p형 클래드층(5)으로 부터의 정공주입을 막기위해 n-InP층으로 이루어지는 정공주입방지층(9)을 약0.5㎛ 정도의 두께로 성장시킨 후, SiN
x 마스크(6)를 식각해내고, p-InP클래드층(10)과 p
+ -InGaAs 저항성 접촉층(11)을 재성장시킨다.
이로써, p형 광도파층 바로위의 p-InP 클래드층의 도판트인 Zn과 반절연 InP의 도판트인 Fe과의 상호 확산도 효과적으로 방지하게 되므로 광출력 특성 또한 선형적으로 증가하게 되어 고출력 특성을 가지게 된다.-
公开(公告)号：KR1019980050913A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069761
申请日：1996-12-21
IPC: H01S5/12
Abstract: 본 발명은 초고속 장거리 광통신의 광원으로서 기존의 굴절률 결합형에 이득 결합을 추가한 복소 결합형 분포 궤환형 반도체 레이저에 있어서 이득 결합의 분율을 증가시키기 위하여 광 흡수와 전류 차단의 이중효과가 있는 반절연 인듐갈륨비소를 회절격자로 사용하므로써 레이저의 광 특성을 증대시키는 것이다. 발명의 구성은 단일 모드 광원용 분포 궤환형 반도체 레이저에 있어서 반절연 인듐갈륨비소를 회절격자로 사용하는 것과 이 회절격자를 n형 인듐인 기판 사용시 n형 인듐인 버퍼층에 삽입시키므로써 본 회절격자가 p형 반도체와 접할시 야기될 수 있는 정공 주입효과를 배제 시키는 방법, 그리고 회절격자 두께의 자유로운 조절을 위하여, p형 인듐인 기판 사용시 공정상의 제한을 가지지 않도록 활성층 윗쪽에 본 회절격자를 위치시키는 소자 설계 등을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970051978A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950048740
申请日：1995-12-12
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 이중 산화방식의 유독가스 스크러버에 관한 것이다.
본 발명의 유독가스 스크러버는 스크러버 캐비넷 내에, 공기, 질소 및 수소의 가스 압력을 조절하기 위한 복수개의 가스압력 조절기와 유량조절을 위한 복수개의 유량조절기 및 밸브로 이루어진 가스압력 및 유량 조절수단과, 반도체 제조공정에서 배출되어 공정가스 라인을 통해 유입된 유독성 공정가스를 흡착제거시키고, 상기한 가스 압력 및 유량조절수단에 의행 유량이 조절되어 유입된 공기 및 질소를 사용하여 탈착이 이루어지는 활성탄 저장용기로 구성되어 유독성 가스를 1차 산화시키기 위한 제1산화수단과, 일단은 상기한 제1산화수단과 직렬로 연결되고 타단은 열 배기관과 연결되며, 상기한 가스 압력 및 유량조절수단에 의해 유량이 조절되어 유입된 공기 및 수소를 사용하여 점화연소시키는 연소기로 구성되어 상기한 제1산화수단을 거쳐 배출된 유독성 가스를 2차 산화시키기 위한 제2산화수단이 포함되어 구성된다.-
公开(公告)号：KR1019970011524B1
公开(公告)日：1997-07-11
申请号：KR1019930027625
申请日：1993-12-14
IPC: G02B6/26
Abstract: A manufacturing method for the photo switch of the inner total reflection using the trench, comprising the steps of; generating the trench according to the growing and etching process of the ephi, generating the ohmic layer according to the re-growing process, and depositing the electrode.
Abstract translation: 一种使用沟槽进行内部全反射的光开关的制造方法，包括以下步骤： 根据ephi的生长和蚀刻工艺生成沟槽，根据再生长过程产生欧姆层，并沉积电极。
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公开(公告)号：KR1019970030872A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950040297
申请日：1995-11-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/40
Abstract: 반절연막의 재성장 방법을 이용하여 반도체 소자를 격리(isolation) 시킴으로써 소자의 격리 특성을 향상시킬 수 있는 격리방법이 개시되어 있다.
본 발명은 화합물 반도체 기판상에 버퍼층, 채널층, 스페이서층, 쇼트키층 및 오믹층을 순차적으로 성장시키는 공정과, 상기 결과물상에 활성영역을 정의하기 위한 마스크 패턴을 이용하여 상기 기판의 소정부위까지 각 층들을 차례로 식각하여 수직한 식각단면을 얻는 공정과, 상기 정의된 격리영역과 활성영역과의 단차를 평탄화시킴과 아울러 식각된 활성영역 측면부위의 누설전류 경로를 차단시킬 수 있도록 상기 식각된 격리영역에 반절연막을 선택적으로 재성장시키는 공정과, 상기 마스크 패턴을 제거한 후 소스 및 드레인 영역에 오믹 금속층을 형성하는 공정과, 상기 활성영역의 쇼트키층의 일부를 노출시킨 후 노출된 쇼트키층과의 접속을 위한 게이트 전극과 상기 오믹 금속 층과의 접속을 위한 소스 및 드레인 전극을 형성하는 공정으로 구 된다.-
公开(公告)号：KR1019960027103A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940036366
申请日：1994-12-23
IPC: H01S5/12
Abstract: 레이저 다이오드는 n
+ -InP 기판(17) 위에 얇게 성장되는 반절연 InP 층(18)을 가지며, 기존의 광간섭을 이용한 방식에서와 같은 구조를 갖는다.
반절연 InP 층(18)이 n
+ -InP 층에 비해 상대적으로 높은 저항을 가짐으로 인해 전류의 흐름을 줄여 주는데, 본 발명에서는 이를 이용한다.
회절격자로서 반절연 InP와 n
+ -InP가 주기적으로 반복되므로, 회절격자로부터 100㎚ 정도 위에 형성되어 있는 활성층(21)에서도 빛을 발생시키기 위한 이득의 차가 주기적으로 유발되어서 활성층(21)의 이득이 회절격자를 통하여 결합(coupling)되는 효과를 가질 수 있다. -
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