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公开(公告)号：KR1019990025518A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970047183
申请日：1997-09-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
Abstract: 본 발명은 표면 방출 레이저에 관한 것으로서, 특히 갈륨 비소(GaAs) 등의 화합물 반도체 물질이 갖고 있는 전광(electro-optic) 효과를 이용하여 표면 방출 레이저의 화합물 반도체 거울층의 굴절률을 전기장을 이용하여 편광에 따라 다르게 변화시킴으로써 레이저 공진 파장이 편광에 의존하도록 하는 편광 조절 기능을 갖는 편광 스위칭 표면 방출 레이저 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래 표면 방출 레이저는 구조상 빛의 방출 면에서 대칭적인 구조를 갖고 있으므로 편광 특성을 보이지 않아야 하지만, 공정 상에서 발생되는 비대칭성, 응력 효과 및 전류 주입을 위한 전기장 효과 등에 의하여 편광 특성을 보이고 있다. 그러나 이와 같은 효과들은 인위적이지 않고 일정한 특성을 보이지 않아, 소자별 및 출력별로 편광의 변화가 나타나는 문제점이 도출되었다.
따라서 본 발명은 상부 및 하부 거울중 한쪽 거울에 전기장을 가해주어 편광에 따라 반사율과 반사파의 위상을 변화시킴으로서, 발진 빔의 편광을 인위적이고 능동적으로 스위칭할 수 있는 편광 스위칭 표면 방출 레이저 및 그 제조 방법을 제시한다.-
公开(公告)号：KR1019990024757A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970046097
申请日：1997-09-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/40
Abstract: 본 발명은 여러 입력과 출력의 파장 채널로 광 신호의 경로차 없고 작은 손실의 초고속 광신호의 파장 분할 광 다중/역다중기에 관한 것이다. 종래 파장 분할 광 다중 /역다중기에서 광도파로 격자간의 경로차에 의한 광도파로의 굴곡등에서 벌생되는 빛의 손실을 막기 위한 본 발명은 광 다중역/다중기는 두 개의 동일한 구조의 광커플러가 광도파로 격자에 의해 연결되어 있고, 광도파로 격자는 중심 파장에서의 광의 진행 길이가 같아 서로 경로차가 없는 여러 개의 광도파로로 구성된다. 상기 각 광도파로는 파장에 따른 분산 특성이 다른 물질로 구성된 두 개의 광도파로의 결합으로 이루어 진다. 따라서, 본 발명의 광 다중/역다중기는 광도파로의 길이 차이를 이용하지 않고 광도파로의 분산 특성을 이용하므로 광도파로간의 경로차 없이 초고속 광 다중/역다중이 가능한 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100146712B1
公开(公告)日：1998-11-02
申请号：KR1019940025172
申请日：1994-09-30
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 수직공진형 표면방출 레이저의 제작에서 식각표면의 비활성화 처리에 관한 발명으로서, 식각된 활성층과 거울층의 표면보호를 위해, 100∼300℃의 저온에서 비정질 갈륨비소를 증착시켜 식각표면을 전기적으로 비활성화 시킨 것을 특징으로 하는 표면방출 레이저 소자의 제작방법이다.
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公开(公告)号：KR100138854B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019940028975
申请日：1994-11-05
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 이득유도 수지공진형 표면방출 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 수소이온 확산에 의한 수소화 처리로 거울층과 활성층을 전기적으로 비활성화 시키는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 소정의 마스크 패턴을 이용하여 수소 플라즈마 분위기에서 수소이온을 확산시켜 마스크 패턴 하부의 거울층과 활성층(또는 전류주입 영역)을 전기적으로 비활성화 시키고, 평탄화시킴과 아울러 전류주입 영역 및 소자간을 격리시킬 수 있는 수소이온의 확산에 의한 비활성화 영역의 형성 방법이다.-
公开(公告)号：KR1019970054979A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950051481
申请日：1995-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/183
Abstract: 본 발명은 광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저에 관한 것으로서, 제1도전형의 화합물 반도체 기판과; 상기 반도체 기판의 상부에 제1도전형의 불순물이 도핑되고 굴절률이 서로 다른 화합물 반도체가 교대로 성장되어 15~35주기의 DBR(Distributed Bragg reflector)구조로 형성된 제1거울층과; 상기 제1거울층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 화합물 반도체로 형성되어 주입되는 전자와 종공을 재결합시켜 광을 발생시키는 활성층과; 상기 활성층의 상부에 제2도전형의 불순물이 도핑되고 굴절률이 서로 다른 화합물 반도체가 교대로 성장되어 1~4주기의 DBR 구조로 이루어진 하부 접축층과, 3~6개 정도의 양자우물과 이 양자 우물 사이에 장벽으로 이루어진 양자 우물층과, 제1도전형의 불순물이 도핑되고 굴절률이 서로 다른 화합물 반도체가 교대로 성장되어 10~35주기의 DBR 구조로 이루어진 상부 접축층이 순차적으로 적층되고, 상기 양자 우물층과 상부 접축층이 하부 접촉층의 상부의 소정 부분에 원통형을 이루도록 형성된 제2거울층과; 상기 반도체 기판의 하부표면, 상기 하부 접촉층과 상기 상부 접촉층에 각각 형성된 제1, 제2및 제3전극을 구비하며 상기 제1및 제2전극 사이에 발진 전류를 가하고 상기 제2 및 제3전극에 변조 전압을 인가한다.
따라서, 제1및 제2전극 사이에 활성층의 광을 발진시키는 전류의 주입과 독립적으로 제2및 제3전극에 인가되는 전압에 의한 전기장에 의해 양자 우물층의 광흡수를 조절시키므로 캐리어의 이동 속도와 높은 저항에 무관하게 광 출력이 변조되어 광변조 속도 및 변조 특성을 향상할 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960019880A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940030098
申请日：1994-11-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 수직공진형 표면방출 레이저의 제조방법에 관한 것으로서, AlAs/GaAs거울층에 Zn확산으로 AlGaAs 조성 혼합 영역이 형성되는 특징을 이용하여 식각된 거울층의 측면에 Zn을 확산시켜 고농도의 Zn 도핑영역과 조성 혼합 영역을 형성시킨다.
따라서 거울층의 측면을 따라 고농도의 p형 도핑영역이 형성되어 직렬저항이 감소되어 문턱전류와 문턱전압을 낮출 수 있으며, AlGaAs 조성혼합 영역의 굴절율이 AlAs보다 낮아 광학적 국한이 강화됨으로써 문턱전류를 낮게 할 수 있고 출력을 높게 할 수 있다.-
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公开(公告)号：KR1019950021905A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027633
申请日：1993-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 반도체 레이저 소자 제조에 있어서 다공질 규소를 이용한 광 펌핑 수직공진형 표면방출 반도체 레이저 소자에 관한 것으로서, 다양한 파장영역에서 발광특성을 갖는 다공질 규소를 유전체의 브레그 반사판(4,5), 금속 거울층(6) 등을 이용하여 다공질 규소인 이득층(1)과 집적시키고, 난 반사를 막는 무 난반사층(2)으로 구성되어 가시광선을 포함하는 다양한 파장영역에서 레이저 발진특성을 제공함으로써 디스플레이 및 광 메모리등에 사용될 수 있는 핵심소자로서의 사용이 가능하다.
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