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公开(公告)号：KR100947748B1
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：KR1020070117170
申请日：2007-11-16
IPC: H01L21/20
Abstract: P형의 전기적 특성을 갖는 아연산화물 반도체 제조방법은 기판에 버퍼층을 형성하는 단계와, 버퍼층의 상부에 도판트를 첨가한 아연산화물 박막을 형성하는 단계 및 아연산화물 박막에 엑시머 레이저 처리하는 단계를 포함한다. 따라서, 절연체의 전기적 특성 또는 n형의 전기적 특성을 가지는 아연산화물 박막을 엑시머 레이저(excimer laser)를 이용하여 표면을 처리함으로써 수소의 농도를 감소시키고, p형의 전기적 특성을 가지는 아연산화물 박막으로 용이하게 전환시킬 수 있다.
아연산화물 반도체, 엑시머 레이저, p형 반도체-
公开(公告)号：KR100141254B1
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019930029090
申请日：1993-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/34
Abstract: 본 발명은 반도체레이저장치에 있어서 화합물반도체기판상에 GaAs 버퍼층을 성장시킬 때 생성되는 V자의 홈을 이용하여 GaAs/AlGaAs 양자우물과 양자점을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 그 방법은 GaAs기판(10)상에 소정의 온도에서 GaAs버퍼층(20)을 성장하여 상기 버퍼층(20)의 표면에 결정방향이 (111)의 면을 갖는 V자형상의 사각형 홈(21)을 형성하는 공정과, 상기 버퍼층(20)상에 상기 소정 온도보다 상대적으로 낮은 온도에서 AlGaAs장벽층(30)을 형성하는 공정과, 상기 장벽층(30)상에 GaAs활성층(40)을 형성하되, 상기 GaAs활성층은 결정방향이 (100)의 면에서보다 (111)의 면에서 빠른 속도로 형성되어 양자우물(41)과 양자점(42)이 동시에 형성되게 하는 공정과, 상기 활성층(40)상에 AlGaAs장벽층(50)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR100139723B1
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019940032652
申请日：1994-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/304 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 칼륨비소(GaAs)를 실리콘(Si)과 같이 초고집적도를 갖는 소자의 제작에 응용할 수 있도록 하기 위한 중요한 요소인 표면 경면처리를 행함에 있어 용액을 사용하여 평평한 표면을 유지할 수 있는 방법에 대한 것이다. 식각과 유황에 의한 표면처리를 거치는 동안 물과 표면의 화학반응, 유황처리 시간들을 최적화 함으로써 표면이 나노미터급(nanometer-scale)의 평평도를 갖도록 하는 방법을 제안하였다.
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公开(公告)号：KR1019960026307A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940032652
申请日：1994-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/304 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 칼륨비소(GaAs)를 실리콘(Si)과 같이 초고집적도를 갖는 소자의 제작에 응용할 수 있도록 하기 위한 중요한 요소인 표면 경면처리를 행함에 있어 용액을 사용하여 평평한 표면을 유지할 수 있는 방법에 대한 것이다. 식각과 유황에의한 표면처리를 거치는 동안 물과 표면의 화학반응, 유황처리 시간들을 최적화 함으로써 표면이 나노미터급(nanometer-scale)의 평평도를 갖도록 하는 방법을 제안하였다.
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公开(公告)号：KR1019960019328A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940030899
申请日：1994-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 시료의 표면 개스처리장치에 관한 것으로 특히 초고진공내에서 수소분자를 뜨거워진 노즐에 충돌시켜 수소원자로 분리한 다음, 반도체나 금속의 표면에 높은 효율로 흡착시키는 효율을 극대화한 노즐을 이용한 수소원자의 표면흡착장치에 관한 것으로 전자빔 가속 방식을 직접적인 전기저항방식으로 바꾸어 구조를 단순화 하였고, 수소분자를 통과시켜 수소원자상태로 분리시켜 주는 노즐의 형태를 단순원통형에서 굴곡형상으로 개량하여 충돌율을 극대화 하였고, 노즐앞에 탄탈륨 카바를 부착하여 줌으로써 시료표면이 뜨거운 노즐의 방사열 때문에 가열되는 것을 방지하도록 한 것으로 수소분자가 흘러 들어와서 뜨거워진 노즐을 통해 수소원자로 분리되어 반도체나 금속으로 방출되도록 하는 수소원자방출부와 핵심부분인 노즐을 가열 하기 위한 전기적인 가열장치부와 상기 노즐로 부터의 방사열을 차단하기 위해 설치되는 탄탈륨 카바로 이루어진 것을 특징으로 하는 것이다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019950020987A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930029092
申请日：1993-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 반도체기판(10)상에 에피택셜층을 형성하는 방법에 있어서, 그 방법은 상기 반도체기판(10)상에 규소원자로서의 제1원자와 제2원자를 포함하는 분자층(20)을 형성하는 공정과, 상기 분자층(20)을 전자빔에 의해서 상기 제1원자와 제2원자로 분해하는공정과, 상기 분해된 상기 제2원자는 제거하고 상기 제1원자만이 상기 기판의 표면에 흡착되게 하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하여, 그 선폭을 하나의 원자직경까지 할수있고 그 두께는 하나의 원자층의 두께까지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019940011744B1
公开(公告)日：1994-12-23
申请号：KR1019910008667
申请日：1991-05-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/68
Abstract: This invent is about the sample holder for CBE/ALE systems which is able easily to heat samples, to move toward all directions, and to rorate by 360 degree. The suggested sample holder is composed of a long manipulator (1) moving by 100 cm, a sample carrier holder (3), a sample fixing board (2), a heating plate (9), a reflecting plate (10), a fixed screws(11), a bearing (12), and a bevel gears (13) as shown in the figure, and is designed to increase the temperature of the sample fixing board to 200 through 1100 deg.C. This sample holder is useful especially when the compound semiconductor is grown epitaxially by CBE/ALE systems.
Abstract translation: 本发明涉及用于CBE / ALE系统的样品架，其能够容易地加热样品，向各个方向移动，并且360度旋转。 建议的样品架由100cm移动的长操纵器（1），样品载体保持架（3），样品固定板（2），加热板（9），反射板（10），固定 螺钉（11），轴承（12）和锥齿轮（13），并且被设计成将样品固定板的温度提高到200至1100℃。 当化合物半导体由CBE / ALE系统外延生长时，该样品保持器是有用的。
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