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    다공질 실리콘을 이용한 MMIC기판의 제조방법
    101.
    发明公开
    다공질 실리콘을 이용한 MMIC기판의 제조방법 失效
    用多孔硅制造MMIC衬底的方法

    公开(公告)号：KR1019960015942A

    公开(公告)日：1996-05-22

    申请号：KR1019940026395

    申请日：1994-10-14

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 강성원 ,  강원구 ,  김여환 ,  유종선

    IPC: H01L29/30

    Abstract: 본 발명은 초고주파 회로(MMIC) 기판의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 다공질 실리콘(Porous Silicon Layer) 또는 산화 다공질 실리콘층(Oxidized PSL)을 이용하여 제작단가가 저렴하면서도 절연특성이 우수한 MMlC 기판을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.
    소정의 실리콘 기판에 소정 도전형의 불순물을 주입하여 활성영역을 형성한 후, 활성영역의 적보호를 위하여 활성영역 상부에 보호막을 형성하는 단계; 상기 활성영역을 구비한 실리콘 기판을 불산(HF)의 수용액에서 양극반응시켜 상기 활성영역이 완전 고립되고 충분히 전기적 절연이 확보될 수 있을 정도의 두께를 갖는 다공질 실리콘층(Porous Silicon Layer)을 형성하는 단계; 상기 보호막 제거한 후 상기 다공질 실리콘층의 전면에 절연충을 형성하고, 절연층 상부에 비활성 소자 및 전송선을 형성하는 단계; 및 상기 다공질 실리콘층으로 변형되지 않은 실리콘 기판을 제거한 후, 다공질 실리콘층의 후면에 전극을 형성하는 단계로 구성된다.

    엘디디 엔채널 모스 트랜지스터의 제조방법
    103.
    发明公开
    엘디디 엔채널 모스 트랜지스터의 제조방법 失效

    公开(公告)号：KR1019940016906A

    公开(公告)日：1994-07-25

    申请号：KR1019920025337

    申请日：1992-12-24

    Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

    Inventor： 유종선 ,  백종태 ,  남기수

    IPC: H01L29/78

    Abstract: 본 발명은 엘디디 엔채널 모스 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 소오스와 드레인의 두 엘디디영역(39)은 게이트와의 중첩이 완전히 대칭적이며 펀치드루우 전압을 높이기 위한 P
    - 영역(38)은 소오스와 드레인의 채널쪽부분에만 좁게 형성되어 있되, 엘디디영역(39)과 P
    - 영역(38)이 각각 PSG로부터 확산되는 인(P)과 BSG로부터 확산되는 붕소(B)에 의해 형성되는 것이 특징이다.

    다이나믹 랜덤 액세스 메모리 세포 및 그 제조방법
    108.
    发明授权
    다이나믹 랜덤 액세스 메모리 세포 및 그 제조방법 失效
    DRAM单元及其制造方法

    公开(公告)号：KR1019920001915B1

    公开(公告)日：1992-03-06

    申请号：KR1019890010528

    申请日：1989-07-25

    Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

    Inventor： 유종선 ,  강상원

    IPC: H01L27/108

    Abstract: The dynamic random access memory has trench type storage capacitors using silicon on insulation structure (SIO). A source of translation trnsistor and an electrode of storage capacitor are connected without contact to improve the arrangement efficiency. The method comprises: (A) forming an activated region on surface silicon layer of the SOI wafer; (B) vaporizing silicon oxicide (43), silicon nitride (49) and silicon oxcide (50) to form a mask; (C) forming a trench by etching the vaporized surface using reactive ion etching method and vaporizing multicrystal silicon and silicon nitride; (D) doping the trench by Boron through the mask; and (E) connecting bit lines to connect channel electrode (59) and source (71).

    Abstract translation: 动态随机存取存储器具有使用硅绝缘结构（SIO）的沟槽型存储电容器。 翻译电容的源头和存储电容器的电极没有接触地连接，以提高布置效率。 该方法包括：（A）在SOI晶片的表面硅层上形成激活区; （B）蒸发硅氧烷（43），氮化硅（49）和氧化硅（50）以形成掩模; （C）通过使用反应离子蚀刻方法蚀刻蒸发表面并蒸发多晶硅和氮化硅来形成沟槽; （D）通过硼掩模使硼掺杂沟槽; 和（E）连接位线以连接通道电极（59）和源极（71）。

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