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公开(公告)号：KR1019990024762A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970046102
申请日：1997-09-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/00
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 다중 채널 교환 소자에 관한 것으로, 특히 인접한 게이트 전압에 대해 주기적인 전기 전도도 특성을 보이는 전자섬 또는 양자섬을 통한 단전자 터널링 현상을 이용한 다중 채널 교환 소자에 관한 것이다.
단전자 터널링 효과는 전자의 양자화 성질과 터널링 현상, 그리고 쿨롱 법칙에 의한 전자기력을 바탕으로 한 현상으로써, 공간적으로 잘 고립되어 있으며 터널링에 의해서만 전자의 출입이 가능한 전자섬을 대상으로 나타난다.
본 발명에서는 입력되는 전압을 선형으로 배열된 전자섬에 분배시켜 그 중 특정한 전자섬만이 전도도가 높아지도록 하고 그 결과 그 전자섬을 통과하는 채널만이 열리도록 하는 성질을 이용한다.-
公开(公告)号：KR100175466B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019950052307
申请日：1995-12-20
IPC: H04L12/46 , H04L12/933 , H04L7/00
Abstract: 본 발명은 비동기 전달모드 교환 시스템에서 공중전기통신망 가입자 정합장치 및 호처리 방법에 관한 것으로, 상기 PSTN 가입자 정합장치(3) 내의 타임스위치부(10)와의 서브하이웨이 인터페이스를 제공하고 ATM 적응계층 형태 1의 셀 조립/분해 기능을 제공하는 셀조립/분해부(14), 상기 셀조립/분해부(14)로부터의 사용자 셀과 미설명된 연동제어부(16)로부터의 프로세서간 메시지 셀을 수신하여 다중화한 후 ATM 스위치 인터페이스로 전송하고, 반대로 ATM 스위치 인터페이스로부터 수신된 셀을 역다중화하여 상기 셀조립/분해부(14) 또는 연동제어부(16)로 분해하여 전송하는 ATM스위치인터페이스부(15), 공통버스 인터페이스를 통해 상기 PSTN 가입자 정합장치(3) 내의 PSTN 제어부(12)와의 통신 기능을 담당하고, VME 버스를 통해 상기 셀조립분해부(14) 및 ATM 스위치 � ��터페이스부(15)를 제어하며, 상기 PSTN 가입자 정합장치(3) 내의 PSTN 제어부(12)와의 통신 기능을 담당하고 VME 버스를 통해 상기 셀조립분해부(14) 및 ATM 스위치인터페이스부(15)를 제어하며, 상기 PSTN 가입자 정합장치(3) 내의 PSTN 제어부(12)와 상기 ATM 가입자 정합장치(1) 내의 ATM 제어부(6) 사이의 메시지 정합기능을 제공하는 연동제어부(16), 및 상기 ATM 가입자 정합장치(1)로부터의 ATM 시스템클럭으로 PSTN 정합을 위해 요구되는 PSTN 시스템클럭을 발생하여 상기 타임스위치부(10)로 공급하는 클럭발생부(17)를 구비하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR100176237B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019950047863
申请日：1995-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L41/107
CPC classification number: H01L29/7849 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/84
Abstract: 본 발명은 초 박막의 Mo - C로 된 압 저항체위에 압전막이 형성되고 이 압전막 위에 게이트전극이 형성되어 있는 구조를 갖는 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 박막 트랜지스터는 게이트전극에 인가되는 전압의 세기에 대응하여 발생하는 전기장에 의해 압전막에 발생하는 힘을 이용하여 압 저항체에 압력이 가해져 압 저항체의 저항이 변화되도록 함으로써 트랜지스터의 소오드단자로부터 게이트단자로 흐르는 전류량을 제어하도록 동작한다.
본 발명의 트랜지스터는 종래의 트랜지스터의 제조방법에서와 채널, 소오스 및 드레인영역을 형성하기 위한 마스킹용 패턴 형성공정 및 불순물주입공정 등이 불필요하므로 제조공정이 간단하고 또한 채널에 해당하는 압 저항체를 평면상에 형성할 수 있으므로 3 차원 구조를 갖는 박막 트랜지스터를 제조할 수 있으며 종래의 박막 트랜지스터를 대체할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100170188B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950047861
申请日：1995-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/70
Abstract: 본 발명은 평면 공명관통 다이오드에 관한 것으로서, 반절연성 GaAs의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부에 형성된 불순물이 도핑되지 않은 GaAs의 버퍼층과, 상기 버퍼층의 상부에 형성된 불순물이 도핑되지 않은 AlGaAs의 스페이서층, 상기 스페이서층의 상부에 형성된 N형 불순물이 도핑된 AlGaAs의 도핑층과, 상기 도핑층 상부의 소정 부분에 채널 영역에 의해 소정 거리 이격되어 형성된 N형 불순물이 도핑된 GaAs의 캡층과, 상기 캡층의 상부에 형성된 오믹 전극과, 상기 오믹전극의 하부 캡층에서 상기 버퍼층 까지 상기 오믹전극과 합금되어 형성된 오믹 접촉 영역과, 상기 버퍼층 상부의 상기 오믹 접촉 영역 사이에 형성된 2차원 전자 기체층과, 상기 도핑층의 채널 영역 상부에 채널의 폭 방향으로 길게 형성된 제1, 제2 및 제3 게이트 전극을 포함한� ��. 따라서, 공명관통 전류를 극대화하므로 높은 음미분저항을 얻을 수 있고, 다수의 게이트 전압을 조절할 수 있으므로 공명 관통 전류를 조절할 수 있으며, 또한, 다른 특성을 갖는 반도체 소자와의 집적화가 가능하다.
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公开(公告)号：KR1019980085633A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019970021771
申请日：1997-05-29
IPC: H04L12/433 , H04L12/46
Abstract: 본 발명은 공중교환전화망(PSTN) 정합장치의 프로세서 로딩방법에 관한 것으로서, PSTN 가입자 정합장치는, 아날로그 가입자 인터페이스 기능, 타임슬롯 교환기능, 집선기능, ATM 정합부와의 정합기능을 수행하는 타임스위치 정합기능, 가입자 선로에 호출신호 공급, 회의 통화기능, 음성 녹음안내 서비스, 공통버스 정합기능을 수행하는 PSTN 정합부와, 사용자 정보에 대한 ATM 적응계층 및 내부 프로세서 통신 메시지에 대한 내부 ATM 적응계층 기능을 수행하는 ATM 정합부를 구비하여, ATM 정합부에서 가입자 프로세서와 연동 프로세서의 동작을 수행하기 위해 ATM 스위치의 시스템 제어부로부터 시스템로딩을 수행하며, ATM 교환기의 PSTN 정합장치에서 프로세서로딩을 제어하는 방법을 제공함으로써, 협대역 종합정보통신망(ISDN) 가입자 프로세서 및 중계선 프로� ��서 시스템로딩에도 직접 적용하여 ATM 교환기가 다른 가입자 연동장치를 경유하지 않고 직접 시스템로딩을 수용함으로 인해 ATM 교환기의 융통성과 확장성을 기술적으로 높일 수 있는 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100153935B1
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019950052306
申请日：1995-12-20
IPC: H04L12/911 , H04L12/933 , H04L12/46 , H04L12/70
Abstract: 본 발명은 비동기 전달모드(ATM) 교환기에서 아날로그가입자를 수용하기위한 아날로그가입자간 호처리 제어방법에 관한 것으로, 발신가입자의 후크오프에 대하여 착신 가입자 점유 요구후 종료하는 제1단계; 착신가입자에 대한 점유응답에 대하여 링 접속 요구 및 발 착신 가입자 해제처리 후 종료하는 제2단계; 착신가입자에 대한 응답통보에 대하여 발신가입자 해제 응답/처리하는 제3단계를 구비하여 발신제어 과정을 수행하고, 착신가입자의 점유요구를 처리하는 제4단계; 타임슬롯대 VPI/VCI 변경요구를 처리하는 제5단계; 링접속을 요구하여 링 및 링백톤을 연결하고 종료하는 제6단계; 및 착신가입자에 대하여 후크오프처리 후 타임 스위치를 절단하고 종료하는 제7단계를 구비하여 착신 제어 과정을 수행하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR100155302B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019940032100
申请日：1994-11-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L29/78
Abstract: 본 발명은 전계효과 트랜지스터의 전자 통로의 재료로서 Mo-C 초박막을 사용한 금속 전계효과 트랜지스터에 관한 것이다.
Mo-C는 전기적으로 연속적인 초박막의 형태로 쉽게 만들어진다.
또한, Mo-C는 높은 용융점 및 강도 등의 재질 뿐 아니라, 초박막 구조의 안정성 때문에 손쉽게 상온에서 초박막으로 만들 수 있는 성질들을 가지고 있기 때문에 초박막 금속 전계효과 트랜지스터의 금속재료로서 아주 적합하다.-
公开(公告)号：KR1019980044985A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960063142
申请日：1996-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335
Abstract: 본 발명은 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 포화 드레인 전류의 량을 증가시키기 위하여 드레인측의 부도체층을 소오스측보다 얇게 형성하므로써 일정한 게이트 전압 조건하에서의 포화 드레인 전압이 증가될 수 있도록 한 금속-부도체-반도체 전계효과 트랜지스터(Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor)의 구조와 그 제조 공정에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR100147139B1
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019950044392
申请日：1995-11-28
IPC: H04L12/861 , H04L12/933 , H04L12/70
Abstract: 본 발명은 비동기 전달 모드(ATM)망에서의 회선모드 베어러 서비스 연동을 위한 셀 분해 장치 및 그 방법에 관한 것으로서, ATM 접속부로 부터 입력되는 ATM 셀을 임시로 저장되는 FIFO 수단(21); 상기 FIFO 수단(21)으로부터 ATM 셀 데이타를 읽어 가상 연결 식별자(VPI/VCI)를 이용해 연결별로 구분하여 출력하는 CLD(Cell Disassembler) ATM 접속 수단(22); 상기 CLD ATM 접속 수단(22)의 출력을 저장하는 셀 분해 버퍼링 수단(23); 상기 셀 분해 버퍼링 수단(23)의 연결별로 저장된 ATM 데이타를 채널과 링크 ID(IDentification)를 이용하여 타임 슬롯에 맞게 읽어 출력하는 CLD타임 스위치 접속 수단(24); 및 상기 CLD 타임 스위치 접속 수단(24)의 병렬 데이타를 타임 스위치 접속에 맞게 직렬로 변환하여 타임 스위치 접속부에 출력하는 다중화 수단(25)을 구비하여 하나의 타임 슬롯 시간을 ATM 접속부의 동작과 타임 스위치 접속부의 동작에 대해 별도의 상태로 구분하여 다양한 동작을 수행하며, 셀 분해 장치(CLD : Cell Disassembler) ATM 접속부 기능이나 타임 스위치 접속부 기능에 있어서 분해 참조 번호 데이타와 분해 참조표 데이타를 사용하여 복수의 채널을 사용해야 하는 다중 비트율 서비스를 제공할 수 있으며, 1셀 크기 미만의 데이타 서비스시에 불필요한 데이타가 타임 스위치로 전송되지 않도록 유효 데이타의 수를 나타낼 수 있으며, 타임 스위치로의 서비스가 셀 지연 변이에 영향받지 않도록 버퍼 데이타의 읽기 제어가 가능한 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019980035677A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960054090
申请日：1996-11-14
IPC: H04L12/56
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
공중전화교환망 연동용 비동기전송모드 셀 역다중화회로.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
ATM 스위치로 부터 수신된 ATM 셀의 종류에 따라 역다중화 하도록 하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
링크정합부로 부터 수신되는 ATM 셀의 종류를 판단하는 셀식별기(26), 사용자 셀인 경우 셀조립분해장치 포트를 결정하기 위한 참조 데이타를 저장하는 메모리(34), 메모리에서 참조 데이타를 읽기 위한 어드레스를 결정하는데 필요한 데이타 레지스터와 가상경로 및 가상채널 식별 레지스터(30,31,32), 메모리를 구동하기 위한 메모리 신호 발생기(33), 셀조립분해장치로 사용자 셀을 전송하거나 IPC 셀 처리장치로 IPC 셀을 전송하는 쓰기클럭 발생기(35), 링크정합부로 부터 수신된 데이타의 전송 오류를 검사하기 위한 기수패리티 비트 검사기(27), 링크정합부로 부터 수신된 ATM 셀의 크기를 변환하는 쓰기클럭 금지기(90), 상기 가상채널 및 가상경로 식별 레지스터와 메모리 신호 발생기, 셀식별기, 쓰기클럭 금지기가 동작하는 데 필요한 타이밍을 제공하는 클� ��계수기(36)를 구비함.
4. 발명의 중요한 용도
ATM 스위치에서 역다중화장치에 이용됨.
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