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公开(公告)号：KR1020130038790A
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：KR1020120073193
申请日：2012-07-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04S3/008 , G10L19/008 , H04S2420/11
Abstract: PURPOSE: A method for representing a three-dimensional sound field and an apparatus thereof are provided to generate a speaker signal using an acoustic particle velocity, thereby preventing the speaker signal from yielding a problem of excessive output energy depending on the number of acoustic particles or the incidence angle of a sound field. CONSTITUTION: A method for representing a three-dimensional sound field comprises as follows. A transfer function generator generates a transfer function in a matrix form by using inner radial direction components and sound source values among velocity vector components of acoustic particles(S610). A cost function generator generates a cost function using a target velocity vector and a represented velocity vector(S620). A speaker signal generator generates a speaker signal which minimizes the cost using the transfer function and the cost function(S630). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S610) Generating a transfer function using a velocity vector and sound source values; (S620) Generating a cost function using a target velocity vector and a represented velocity vector; (S630) Generating a speaker signal using the transfer function and the cost function;
Abstract translation: 目的：提供一种用于表示三维声场的方法及其装置，以使用声粒子速度产生扬声器信号，从而防止扬声器信号根据声学粒子的数量产生过大的输出能量的问题， 声场的入射角。 构成：用于表示三维声场的方法包括如下。 传递函数发生器通过使用声粒子的速度矢量分量中的内径向分量和声源值，以矩阵形式生成传递函数（S610）。 成本函数发生器使用目标速度向量和表示的速度向量生成成本函数（S620）。 扬声器信号发生器产生使用传递函数和成本函数使成本最小化的扬声器信号（S630）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S610）使用速度矢量和声源值生成传递函数; （S620）使用目标速度矢量和表示的速度矢量生成成本函数; （S630）使用传递函数和成本函数生成扬声器信号;
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公开(公告)号：KR101159734B1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：KR1020080131660
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04R17/00 , H04R1/06 , H04R31/006 , H04R2499/11
Abstract: 본 발명은 압전형 스피커 및 이의 제작 방법에 관한 것으로, 특히 압전박막을 이용하여 높은 음압을 얻기 위한 압전형 스피커 및 이의 제작방법을 제공한다.
이를 위하여, 본 발명에 따른 압전형 스피커는, 압전 박막과, 상기 압전 박막의 상부에 형성되거나 상하부에 형성되는 전극과, 상기 압전 박막 하부에 형성되는 댐핑물질층과, 상기 압전 박막 및 상기 댐핑물질층중 적어도 하나의 측면을 둘러싸는 형태로 접착물질에 의해 부착되는 프레임을 포함한다.
압전박막, 댐핑물질층, 진동판, 프레임-
公开(公告)号：KR101152224B1
公开(公告)日：2012-06-08
申请号：KR1020090028233
申请日：2009-04-01
Abstract: 본발명은각 음원의음향방사효율을최대화하면서청취공간과비청취공간사이의음향에너지차이를최대화하여청취공간에서만음향을들을수 있도록한 것을특징으로한다. 따라서, 본발명에따르면, 타인에게청각적방해를주지않으면서도청취자에게현장감있는음향을제공할수 있으며, 최소의제어만으로도최대의음향효과를얻을수 있다.
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公开(公告)号：KR1020100073075A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080131660
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04R17/00 , H04R1/06 , H04R31/006 , H04R2499/11
Abstract: PURPOSE: A piezoelectric speaker and a manufacturing method thereof are provided to reduce the distortion of a sound in a thin vibration plate by coating a damping material layer on the vibration plate. CONSTITUTION: A piezoelectric speaker comprises a planar piezoelectric thin film(400) and a first electrode(401) formed on the upper side of the piezoelectric thin film. The piezoelectric speaker comprises a frame(409) attached to the piezoelectric thin film through adhesive materials(408) to surround the side of the piezoelectric thin film and the second electrode formed on the lower side of the piezoelectric thin film. The piezoelectric speaker comprises a signal line(407) which is formed on the fixed area of the frame and applies a voltage to the first electrode. The piezoelectric speaker comprises the first electrode and a connection unit(404) connected to the signal line. The connection unit transfers the applied voltage from the signal line to the first electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种压电扬声器及其制造方法，通过在振动板上涂覆阻尼材料层来减少薄振动板中的声音的变形。 构成：压电扬声器包括平面压电薄膜（400）和形成在压电薄膜的上侧的第一电极（401）。 压电扬声器包括通过粘合材料（408）附接到压电薄膜的框架（409），以围绕压电薄膜的侧面和形成在压电薄膜的下侧的第二电极。 压电扬声器包括形成在框架的固定区域上并向第一电极施加电压的信号线（407）。 压电扬声器包括第一电极和连接到信号线的连接单元（404）。 连接单元将施加的电压从信号线传送到第一电极。
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公开(公告)号：KR1020100055313A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：KR1020090030182
申请日：2009-04-08
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A force acoustic dipole and force acoustic multi pole array using the same controls the phase and sound pressure of the input signal. The acoustic lobe direction is steered to the particular direction. The disturbance is not given to the others. In the desired range, acoustic can be in come. CONSTITUTION: Phase and sound pressure control circuit control phase and sound pressure of the input signal. The first sound source(110) and the second sound source(120) are respectively input the input signal in which phase and sound pressure are controlled through phase and sound pressure control circuit. The first acoustic signal and the second acoustic signal of the audio frequency are outputted.
Abstract translation: 目的：使用声压偶极和力声多极阵列控制输入信号的相位和声压。 声波方向转向特定的方向。 骚扰不是给别人的。 在所需的范围内，声音可以来临。 构成：相位和声压控制电路控制输入信号的相位和声压。 第一声源（110）和第二声源（120）分别通过相位和声压控制电路输入相位和声压被控制的输入信号。 音频的第一声信号和第二声信号被输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100250460B1
公开(公告)日：2000-04-01
申请号：KR1019970047170
申请日：1997-09-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/318
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a silicon quantum wire is provided to observe a quantum phenomenon in a high temperature by forming a quantum wire surrounded with a silicon oxide layer and a silicon nitride layer. CONSTITUTION: A silicon nitride layer(4) is formed on an upper portion of a SIMOX(Separation by IMplanted Oxygen) substrate laminated with a silicon substrate(1), the first silicon oxide layer(2), and a silicon layer(3). A selected region of the silicon nitride layer(4) is removed. A part of the silicon layer(3) is removed by using the remaining silicon nitride layer(4) as a shielding layer. The second silicon oxide layer(6) is grown on a side face of the silicon layer(3).
Abstract translation: 目的：提供一种制造硅量子线的方法，通过形成由氧化硅层和氮化硅层包围的量子线来观察高温下的量子现象。 构成：在层叠有硅衬底（1），第一氧化硅层（2）和硅层（3）的SIMOX（通过掺入氧分离）衬底的上部形成氮化硅层（4） 。 去除氮化硅层（4）的选定区域。 通过使用剩余的氮化硅层（4）作为屏蔽层来去除硅层（3）的一部分。 在硅层（3）的侧面上生长第二氧化硅层（6）。
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公开(公告)号：KR100223024B1
公开(公告)日：1999-10-01
申请号：KR1019970041696
申请日：1997-08-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01H17/00
Abstract: 본 발명은 고효율 마이크로파 및 밀리미터파의 검출기와 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 전자의 측면 양자 구속에 의한 에너지 양자화 효과를 이용한 고효율 마이크로파 및 밀리미터파의 검출기와 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체에서 전자의 운동 방향이 어느 한 방향으로 상기 전자의 드브로이파장 정도의 길이에 구속되면 그 방향에 해당되는 전자의 에너지는 양자화 된다. 따라서 상기 양자화된 에너지 준위는 구속 길이와 직접적인 관계가 있으므로 상기 구속길이를 변화시켜 양자화된 에너지 준위의 간격을 조절한다. 조절된 에너지 준위를 마이크로파 및 밀리미터파에 해당되는 에너지와 일치시키므로써 마이크로파 및 밀리미터파의 흡수를 유도하고 이에 따르는 광전효과로 마이크로파 및 밀리미터파를 검출한다.
본 발명은 마이크로파 및 밀리미터파의 에너지 양을 검출하거나, 초고주파 대역의 무선이동통신 시그널의 고효율 수신 및 필터링에 이용된다.-
公开(公告)号：KR1019990042174A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970062897
申请日：1997-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/00
Abstract: 본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 금속 망 게이트 구조를 갖는 발광 다이오드와 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체의 PN 접합 부분을 발광 영역으로 이용하는 본 발명에 따른 발광 다이오드는, 발광 영역의 상부에 금속의 그물 망 게이트를 형성하고 이 게이트에 음전압을 인가함으로써, 게이트 밑 부분의 발광을 제한하여 PN 접합의 발광 영역의 크기를 극한적으로 구속한다. 이러한 발광 영역의 극한적 구속에 따른 양자 구속 효과에 의하여, 반도체의 밴드갭이 증가하게 되어 PN 접합에서 발광하는 빛의 에너지가 변화하게 된다. 즉, 한 개의 발광 다이오드로 게이트의 전압에 의하여 발광하는 빛의 파장을 변화하는 발광 다이오드에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR1019990030559A
公开(公告)日：1999-05-06
申请号：KR1019970050803
申请日：1997-10-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/737
Abstract: 본 발명은 전자빔의 2차 전자의 근접효과를 이용한 묘화 및 실리콘 산화를 이용한 단전자 트랜지스터 제작방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판위에 전자빔 레지스트를 입히는 제 1 공정과, 전자빔 묘화에 의해 게이트, 소스, 양자점 및 드레인 영역을 노광하되, 소스와 양자점 및 양자점과 드레인 사이에 소정폭의 공백을 두고 전자빔 묘화를 행하여 전자빔의 2차 전자의 근접효과에 의해 소스와 양자점 및 양자점과 드레인 사이에 각각 소스와 드레인의 선폭보다 좁은폭의 가는 세선이 노광되게하는 제 2 공정과, 묘화된 부분에 실리콘 산화막을 입히고 이 산화막을 마스크로 사용하여 실리콘을 에칭하는 제 3 공정과, 실리콘 열적 산화를 수행하여 상기 가는 허리모양의 가는 세선을 절연하여 소스와 양자점 및 양자점과 드레인간에 전기적으로 절연된 터널 링 접합이 이루어지게하는 제 4 공정을 포함하여, 단전자 트랜지스터의 구조에서 가장 중요한 터널 접합을 전자빔의 2차 전자의 근접효과를 이용한 묘화와 실리콘 산화 공정을 이용하여 제작할 수 있다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR1019990025505A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970047170
申请日：1997-09-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/318
Abstract: 본 발명은 양자세선(quantum wire)의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 실리콘산화층과 실리콘질화층으로 둘러싸인 실리콘 양자세선 제조 방법에 관한 것이다.
기존의 전자빔 리소그라피 방법에 의해 제조된 양자세선은 선폭이 수십 ㎚ 이하의 초미세 구조일 경우 직선성이 우수한 양자세선을 재현성 있게 제조하는 것이 쉽지 않았고, 또한 기존의 양자세선 구조에서는 주로 정전기장을 이용하여 전자를 1 차원 구조로 구속하여 전자 이동에 관한 양자 현상을 연구해 왔으나 정전기장에 의한 전자 구속은 전자가 점유할 수 있는 에너지 준위의 간격이 좁아서 양자 현상을 관측하기 위해 극저온에서 측정이 요구되었다.
본 발명은 SIMOX 기판의 실리콘층 상부의 선택된 영역에 실리콘질화층을 형성하여 상기 실리콘층의 측면으로 제 2 실리콘산화층 성장시 실리콘 양자세선의 산화 확산을 막고 실리콘층의 측면으로 제 2 실리콘산화층을 성장시켜 양자세선의 폭을 조절하므로써 두께와 폭이 작은 양자세선을 재현성있게 제조할 수 있어 높은 온도에서도 양자 현상 관측이 가능하다.
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