公开(公告)号：KR1019960009061A

公开(公告)日：1996-03-22

申请号：KR1019940019490

申请日：1994-08-08

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 최성우 ,  박성호 ,  박문평

IPC: H01L21/328

Abstract: 고 전류이득을 요구하는 광 수신기와 광전 집적회로 등의 입력버퍼, 및 고집적 회로의 출력단에 매우 유용하게 적용될 수 있는 본 발명은 에미터 주입효율을 극대화 할 수 있는 큰 에너지 갭의 GaInP를 n형 에미터로 하고, 높은 소수 운반자 농도, 낮은 표면 재결합 전류, 작은 접촉저항 및 작은 에너지 갭의 Ge을 p형 베이스로 하며, GaAs를 n형 콜렉터로 조합하여 베이스에서 에미터로의 역 정공주입을 억제시키고, 고 전류이득(super current gain)을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR100095262B1

公开(公告)日：1996-02-05

申请号：KR1019920025005

申请日：1992-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최성우 ,  조경익

IPC: H01L29/812

公开(公告)号：KR1019940016688A

公开(公告)日：1994-07-23

申请号：KR1019920024316

申请日：1992-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최영규 ,  양전욱 ,  조낙희 ,  최성우

IPC: H01L21/768

Abstract: 본 발명은 화합물 반도체 장치의 금속배선을 형성하는 방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 절연막과 노광막을 순차로 도포한 후 초벌구이에 의해 노광막을 건조시키고, 노광 및 현상에 의해 노광막의 패턴을 형성한 후 이를 마스크로서 사용하여 절연막에 홈을 형성하고, 금속을 증착하여 금속선을 형성하는 금속배선 형성방법에 있어서, 금속선 두께의 적어도 2배 이상의 두께로 노광막을 도포하는 것을 특징으로 한다.