-
公开(公告)号：KR1020170099144A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：KR1020160021146
申请日：2016-02-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06F3/044
Abstract: 터치패널은감지영역및 주변영역을포함하는투명기판; 및상기투명기판상의상기감지영역에배치되는복수의감지전극들을포함한다. 상기감지전극들은매트릭스형태로배열되고서로이격된복수의제1 영역들; 및서로인접하는제1 영역들사이에배치되는제2 영역을포함할수 있다. 상기제1 영역들의저항은상기제2 영역의저항과다를수 있다.
Abstract translation: 触摸面板包括：包括感测区域和周边区域的透明基板; 并且多个感测电极设置在透明基板上的感测区域中。 感测电极包括以矩阵布置且彼此间隔开的多个第一区域; 并且第二区域设置在相邻的第一区域之间。 第一区域的电阻可能不同于第二区域的电阻。
-
公开(公告)号：KR1019990050451A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970069570
申请日：1997-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: A47B23/00
Abstract: 본 발명은 일반 필기도구를 사용하여 도서의 주요 내용을 요약하거나 정리하는 학습이나 일반 사무 업무를 바른 자세로 원활하게 수행하기 위한 경사 필기판에 관한 것으로 경사 필기판은 일반 가정에서는 물론 사무실에서도 간단히 설치하여 쓸수 있으며 컴퓨터 원고대나 독서대 또는 그림 화판 받침으로도 쓸 수 있도록 한 착탈식 이동형 독서 겸용 경사 필기판에 관한 것이다.
종래와 같은 수평면으로된 책상에서 수행하는 일반 업무작업시 신체에 여러 가지 무리를 주어 장시간 동안 작업시 신체에 상당한 문제점이 발생된다.
이와 같은 문제점을 해소하기 위한 본 발명에서는 수평상태인 책상면 위에 별도의 구조물로서 평면체의 형상에 소정의 높이로 돌출 설치된 주받침대(121)와, 상기 주받침대(121)의 상측에 부분적으로 설치되며 착탈이 가능하도록 한 보조 받침대(122)와, 상기 주받침대(121)의 상측으로 소정의 높이에 탄성을 갖는 고무줄의 양단을 고정하여서된 책고정줄(123)과, 메모지 등을 쉽게 고정하도록 하는 집게(124)를 구비한 경사판(120)과;
상기 경사판(120)의 각도를 유지하며 후측을 지지되도록 하는 뒷받침기둥(130)과;
책상(110)면의 양측에 고정설치되며, 상기 경사판(120) 및 뒷받침기둥(130)의 하단부를 지지하여 고정 하도록 전단부와 후단부에 각각 톱니형 각도조절톱니(141)를 갖는 각도조절대(140)로 구성되며 상기 책상(110)면의 양측에 고정설치되는 각도조절대(140)는 저면이 부착, 이탈이 용이하도록 하는 벨크로 화이버 파스너(142)로 고정하므로서 위치조절이나 설치변경이 용이하도록 하여 작업자가 임의로 조절할 수 있도록 하므로서 작업자의 자세를 바르게 가질 수 있도록 한 것임.-
公开(公告)号：KR1019960004080B1
公开(公告)日：1996-03-26
申请号：KR1019920025003
申请日：1992-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: The method for forming wiring layers of at least two layers on a wiring(5) formed on a substrate(1), comprises the steps of: (i) forming a first insulation film(2-1') and a first light exposure film(3') which are twice or more of the wiring(5) in thickness, and baking the light exposure film(3'); (ii) forming a pattern of the light exposure film(3'), forming a preliminary contact window(13') by etching about half of the insulation film(2-1'), and removing the light exposure film(3'); (iii) forming a second insulation film(2-1") and a second light exposure film(3"), baking the light exposure film(3'), forming a pattern of the light exposure film(3"), and simultaneously forming the wiring seat(14) and the contact window(16) by reactive ion etching process; (iv) forming other wiring(7) by depositing a metal, and removing the light exposure film(3"); and (v) repeating the steps of (i)-(iv) for two or more times.
Abstract translation: 在形成在基板（1）上的布线（5）上形成至少两层的布线层的方法包括以下步骤：（i）形成第一绝缘膜（2-1'）和第一曝光膜 （3'）的厚度为布线（5）的2倍以上，并烘烤曝光膜（3'）。 （ii）形成曝光膜（3'）的图案，通过蚀刻绝缘膜（2-1'）的一半来形成预接触窗（13'），并除去曝光膜（3'） ; （iii）形成第二绝缘膜（2-1“）和第二曝光膜（3”），烘烤曝光膜（3'），同时形成曝光膜（3“）的图案，同时 通过反应离子蚀刻工艺形成接线座（14）和接触窗（16）;（iv）通过沉积金属形成其它布线（7），并去除曝光膜（3“）; 和（v）重复步骤（i） - （iv）两次或更多次。
-
公开(公告)号：KR1019950021158A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930029349
申请日：1993-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/30
Abstract: 본 발명은 금속 반도체 전계효과 트랜지스터소자의 제조방법에 관한 것으로특히 패턴전사과정에서 광학적스탭퍼를 이용하여 포토레지스트막을 2중 노광하여 미세한 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 반절연GaAs기판(1)상에 포지티브 포토레지스트막(2)을 도포하고 열처리를 한 후, 마스크(3)상의 패턴크기로부터 일정배율 축소하여 광학적 스텝퍼로 1차 노광시키는 공정과, 상기 광학적 스텝퍼의 스테이지를 횡방향으로 일정거리 이동시켜 상기 포토레지스트막(2)에 2차 노광시켜 미세한 패턴의 크기를 형성하는 공정과, 상기 포토레지스트막(2)을 현상시키는 공정을 거쳐 완성된다. 따라서 본 발명은 금속 반도체 전계효과 트랜지스터의 게이트를 형성하는데 적용되며, 또한 미세한 선폭의 배선과 HEMT의 제작과 다른 미세한 패턴을 필요로 하는 소자의 제작에 이용된다.
-
公开(公告)号：KR1019940016738A
公开(公告)日：1994-07-25
申请号：KR1019920025003
申请日：1992-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: GaAs 등 화합물 반도체 위에 건식각으로 식각하기 어려운 순금 등으로 다층배선을 형성할때, 기판위에 절연막을 증착, 노광, 식각 공정을 하여 배선금속을 입히고, 그위에 다시 절연막을 증착, 노광, 식각 공정을 하여 배선금속을 입히는 단위 접촉창-배선 공정을 반복하여 다층배선을 실시하는 공정에서 절연막을 두껍게 1회 증착, 노광, 반식각하고 다시 노광, 반식각하여 배선금속과 접촉창 금속을 동시에 1회 입히는 단축된 접촉창-배선공정을 반복하여 다층배선을 실시하는 것을 특징으로 하는 다층 배선 형성방법.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019920004961B1
公开(公告)日：1992-06-22
申请号：KR1019880017987
申请日：1988-12-30
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H05G2/003 , G03F7/70033
Abstract: The X-ray generation system for an ultra fine lithography includes a center electrode having an adjusting member, a peripheral electrode having gas flow holes and a metal disc having gas flow holes for generating the X-ray from a plasma. A large capacitor, a transparent cylinder, a discharge member, discharge and observing windows, a cylindrical insulator, exhaust holes, a metal container, large electric power spatial gap switches, a current returning wire are also provided. An exhaust pump, and gas feeding members continuously operate increasing stability, controlling, and discharging the quentity.
Abstract translation: 用于超细光刻的X射线产生系统包括具有调节构件的中心电极，具有气体流通孔的外围电极和具有用于从等离子体产生X射线的气体流通孔的金属盘。 还提供了大电容器，透明圆筒，放电构件，放电观察窗，圆柱形绝缘体，排气孔，金属容器，大电力空间间隙开关，回流电线。 排气泵和气体供给构件连续运行增加的稳定性，控制和排出量。
-
公开(公告)号：KR1019920001912B1
公开(公告)日：1992-03-06
申请号：KR1019890011893
申请日：1989-08-21
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A method for manufacturing a semiconductor using an oxide film and a polyimide comprises (A) depositing and coating a first oxide film and a first polyimide layer on the first metal layer formed on the semiconductor substrate, (B) forming a metal layer joining hole into hollow space, (C) depositing a metal layer on the first oxid film nd polyimide layer, (D) depositing and coating a second oxide film and a second polyimide layer on the surfaces of metal layers, and (E) etching back up to the metal layer of the metal layer joining hole to form a second metal layer by filling up the joining hole with the etched metal layer.
Abstract translation: 使用氧化膜和聚酰亚胺制造半导体的方法包括：（A）在形成在半导体衬底上的第一金属层上沉积和涂覆第一氧化膜和第一聚酰亚胺层，（B）形成金属层接合孔 （C）在第一氧化膜nd聚酰亚胺层上沉积金属层，（D）在金属层的表面上沉积和涂覆第二氧化物膜和第二聚酰亚胺层，（E）回蚀刻到 金属层接合孔的金属层，以通过用蚀刻的金属层填充接合孔来形成第二金属层。
-
-
-
公开(公告)号：KR1020170106093A
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020160029790
申请日：2016-03-11
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 투명전극은제1 그래핀층; 상기제1 그래핀상에배치된투명도전층; 및상기투명도전층상에배치된제2 그래핀층을포함할수 있다. 상기제1 및제2 그래핀층은단층그래핀및 다층그래핀중 적어도하나를포함할수 있다. 상기투명도전층은복수의도전성나노와이어들을포함하는도전성나노와이어네트워크를포함하며, 하나의도전성나노와이어의적어도일 지점은다른도전성나노와이어와전기적으로연결될수 있다.
Abstract translation: 透明电极包括第一石墨烯层; 设置在第一石墨烯上的透明导电层; 以及设置在透明导电层上的第二石墨烯层。 第一和第二石墨烯层可以包括单层石墨烯和多层石墨烯中的至少一种。 透明导电层包括包含多个导电纳米线的导电纳米线网络，并且一个导电纳米线的至少一个点可以电连接到另一导电纳米线。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
47
records
(took 0.027 seconds)
