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公开(公告)号：TW201732160A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106100677
申请日：2017-01-10
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 優莫林 艾瑞克 亨瑞庫司 艾居迪司 卡薩瑞納 , EUMMELEN, ERIK HENRICUS EGIDIUS CATHARINA , 加多比吉歐 吉凡尼 路卡 , GATTOBIGIO, GIOVANNI LUCA , 麥爾曼 喬漢斯 康納歷斯 波勒斯 , MELMAN, JOHANNES CORNELIS PAULUS , 廉碧司 韓 亨利克斯 亞德恭達 , LEMPENS, HAN HENRICUS ALDEGONDA , 于淼 , YU, MIAO , 羅伯茲 康納利 馬利亞 , ROPS, CORNELIUS MARIA , 歐利史萊吉斯 羅德 , OLIESLAGERS, RUUD , 優路肯 亞頓克 , ULUCAN, ARTUNC , 波列特 喜爾多爾斯 威爾赫瑪斯 , POLET, THEODORUS WILHELMUS , 斯布坦堡 派翠克 喬韓妮絲 威爾海莫斯 , SPRUYTENBURG, PATRICK JOHANNES WILHELMUS
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 本發明係關於一種包含一流體處置結構之微影浸潤裝置及一種器件製造方法。在實施例中，流體處置結構經組態以將浸潤流體侷限於區且包含氣刀系統，該氣刀系統包含各自具有退出口之通道，該等通道包含具有複數個對應第一退出口之複數個第一通道及具有複數個對應第二退出口之複數個第二通道，其中至少一個第一通道及至少一個第二通道經組態以使得退出第一退出口之氣體的停滯壓力大於退出第二退出口之氣體的停滯壓力，其中複數個第一通道及複數個第二通道交纏且以直線配置，使得第一退出口及第二退出口形成平面圖中之形狀的一側。在實施例中，流體處置結構經組態以將浸潤流體侷限於區且在使用中包含氣刀，流體處置結構包含至少一個退出口，其中至少一個退出口經配置以使得氣刀形成平面圖中之形狀的一側，且至少一個退出口具有經組態以允許浸潤流體之小滴自氣刀之徑向外部的位置移動至氣刀之徑向內部的位置且經組態以約束浸潤流體之小滴自氣刀之徑向內部的位置移動至氣刀之徑向外部的位置之幾何形狀。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种包含一流体处置结构之微影浸润设备及一种器件制造方法。在实施例中，流体处置结构经组态以将浸润流体局限于区且包含气刀系统，该气刀系统包含各自具有退出口之信道，该等信道包含具有复数个对应第一退出口之复数个第一信道及具有复数个对应第二退出口之复数个第二信道，其中至少一个第一信道及至少一个第二信道经组态以使得退出第一退出口之气体的停滞压力大于退出第二退出口之气体的停滞压力，其中复数个第一信道及复数个第二信道交缠且以直线配置，使得第一退出口及第二退出口形成平面图中之形状的一侧。在实施例中，流体处置结构经组态以将浸润流体局限于区且在使用中包含气刀，流体处置结构包含至少一个退出口，其中至少一个退出口经配置以使得气刀形成平面图中之形状的一侧，且至少一个退出口具有经组态以允许浸润流体之小滴自气刀之径向外部的位置移动至气刀之径向内部的位置且经组态以约束浸润流体之小滴自气刀之径向内部的位置移动至气刀之径向外部的位置之几何形状。
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公开(公告)号：TW201731186A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105142405
申请日：2016-12-21
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 史莫倫伯格 比特斯 威爾赫瑪斯 , SMORENBURG, PETRUS WILHELMUS , 亞克曼司 喬漢那斯 安東尼司 傑瑞德思 , AKKERMANS, JOHANNES ANTONIUS GERARDUS
CPC classification number: H01S3/0903 , G03F7/70025 , G03F7/70033 , H05H9/00 , H05H2007/041
Abstract: 本發明係關於一種自由電子雷射，其包含可操作以產生包含電子聚束之一上游電子束的一電子源。一光束路徑經組態以將該上游電子束導向通過一線性加速器系統、一聚束壓縮機及一波盪器之各者以便產生相干輻射；用一相位平行於該上游電子束而使離開該波盪器之一下游光束再循環通過該線性加速器，以使得藉由該線性加速器而使該下游光束減速；及將該下游光束導向至一光束捕集器。一第一能量散佈機賦予對電子聚束之能量分佈的一可逆改變，且該第一能量散佈機位於在該聚束壓縮機之前的該光束路徑中之一位置處，以使得僅該上游電子束會傳遞通過該第一能量散佈機。一第二能量散佈機使對由該第一光束散佈機賦予之電子聚束之該能量分佈的該改變反轉，該第二光束散佈機位於在該波盪器之前的該光束路徑中之一位置處，以使得僅該上游電子束會傳遞通過該第二光束散佈機。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种自由电子激光，其包含可操作以产生包含电子聚束之一上游电子束的一电子源。一光束路径经组态以将该上游电子束导向通过一线性加速器系统、一聚束压缩机及一波荡器之各者以便产生相干辐射；用一相位平行于该上游电子束而使离开该波荡器之一下游光束再循环通过该线性加速器，以使得借由该线性加速器而使该下游光束减速；及将该下游光束导向至一光束捕集器。一第一能量散布机赋予对电子聚束之能量分布的一可逆改变，且该第一能量散布机位于在该聚束压缩机之前的该光束路径中之一位置处，以使得仅该上游电子束会传递通过该第一能量散布机。一第二能量散布机使对由该第一光束散布机赋予之电子聚束之该能量分布的该改变反转，该第二光束散布机位于在该波荡器之前的该光束路径中之一位置处，以使得仅该上游电子束会传递通过该第二光束散布机。
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公开(公告)号：TW201730513A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105139660
申请日：2016-12-01
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 莫沙維特 詩為德 伊曼 , MOSSAVAT, SEYED IMAN , 德爾克斯 萊姆克 , DIRKS, REMCO , 克瑞馬 雨果 奧格斯提納斯 約瑟夫 , CRAMER, HUGO AUGUSTINUS JOSEPH
CPC classification number: G01B11/02 , G03F7/705 , G03F7/70625
Abstract: 本文中揭示一種方法，其包含：獲得一器件製造程序或其一產品之量測結果；藉由分別對照該等量測結果擬合一分佈而獲得該分佈之一或多個參數的一或多個值之集合；使用一電腦藉由對照該等參數之值之該等集合擬合一超分佈而獲得該超分佈之一或多個超參數的一或多個值之一集合。
Abstract in simplified Chinese: 本文中揭示一种方法，其包含：获得一器件制造进程或其一产品之量测结果；借由分别对照该等量测结果拟合一分布而获得该分布之一或多个参数的一或多个值之集合；使用一电脑借由对照该等参数之值之该等集合拟合一超分布而获得该超分布之一或多个超参数的一或多个值之一集合。
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公开(公告)号：TW201729317A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105138855
申请日：2016-11-25
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 尼夫斯 派翠瑟斯 賈庫柏斯 , NEEFS, PATRICIUS JACOBUS , 耐田諾 史多元 , NIHTIANOV, STOYAN , 布洛克 羅德 亨利克斯 馬丁尼司 喬漢尼斯 , BLOKS, RUUD HENDRIKUS MARTINUS JOHANNES , 費爾莫默朗 約翰內斯 佩特魯斯 馬丁努斯 伯納德斯 , VERMEULEN, JOHANNES PETRUS MARTINUS BERNARDUS , 戴 拉 羅斯特 喬納斯 保羅 瑪利 , DE LA ROSETTE, JOHANNES PAUL MARIE , 勞倫 帝寶 賽門 馬修 , LAURENT, THIBAULT SIMON MATHIEU , 邁金瓦 高飛 艾弗拉比 安東尼 , MAKINWA, KOFI AFOLABI ANTHONY
IPC: H01L21/66 , G01L1/20 , G01K7/16 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/7085 , G03F7/70866 , G03F7/70875 , H01L21/67248 , H01L22/34
Abstract: 一種用於量測關於用於在一裝置之操作期間處理生產基板的該裝置中之一條件之量測用基板，該量測用基板包含： 一本體，其具有與該裝置相容之尺寸； 嵌入於該本體中之複數個感測器模組，每一感測器模組包含： 一感測器，其經組態以產生一類比量測信號； 一類比轉數位轉換器，其用以自該類比量測信號產生數位量測資訊；及 一模組控制器，其經組態以輸出該數位量測資訊；及 一中心控制模組，其經組態以自該等模組控制器中之每一者接收該數位量測資訊且將該數位量測資訊傳達至一外部器件。
Abstract in simplified Chinese: 一种用于量测关于用于在一设备之操作期间处理生产基板的该设备中之一条件之量测用基板，该量测用基板包含： 一本体，其具有与该设备兼容之尺寸； 嵌入于该本体中之复数个传感器模块，每一传感器模块包含： 一传感器，其经组态以产生一模拟量测信号； 一模拟转数码转换器，其用以自该模拟量测信号产生数码量测信息；及 一模块控制器，其经组态以输出该数码量测信息；及 一中心控制模块，其经组态以自该等模块控制器中之每一者接收该数码量测信息且将该数码量测信息传达至一外部器件。
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公开(公告)号：TW201725355A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105141921
申请日：2016-12-16
Applicant: 荷蘭VU基金會 , STICHTING VU , 荷蘭阿姆斯特丹大學 , UNIVERSITEIT VAN AMSTERDAM , 物質基礎研究基金會 , STICHTING VOOR FUNDAMENTEEL ONDERZOEK DER MATERIE , ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 懷特 史堤芬 密卻爾 , WITTE, STEFAN MICHIEL , 艾奇瑪 卡傑德 希傑布蘭 艾德華 , EIKEMA, KJELD SIJBRAND EDUARD
CPC classification number: G03F9/7042 , G01B15/00 , G01N23/2055 , G03F7/70625 , H05G2/008
Abstract: 本發明提供一種微影裝置，其係將一所欲圖案施加至一基板上(通常施加至該基板之一目標部分上)之一機器。一微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。該微影裝置具有一檢測裝置，該檢測裝置具有一EUV輻射源。該輻射源發射包括一特定波長之相干輻射之一輻射光束。該光束傳播至照明光學系統，該照明光學系統將該輻射光束聚焦成照明輻射之一經聚焦光束。該照明光學系統照明該基板上之一三維產品結構，該產品結構散射使該照明輻射散射。在一偵測器之該表面上，藉由該產品結構散射之該輻射形成用於重新建構描述該三維產品結構之資料之一繞射圖案。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种微影设备，其系将一所欲图案施加至一基板上(通常施加至该基板之一目标部分上)之一机器。一微影设备可用于(例如)集成电路(IC)之制造中。该微影设备具有一检测设备，该检测设备具有一EUV辐射源。该辐射源发射包括一特定波长之相干辐射之一辐射光束。该光束传播至照明光学系统，该照明光学系统将该辐射光束聚焦成照明辐射之一经聚焦光束。该照明光学系统照明该基板上之一三维产品结构，该产品结构散射使该照明辐射散射。在一侦测器之该表面上，借由该产品结构散射之该辐射形成用于重新建构描述该三维产品结构之数据之一绕射图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201723424A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105132717
申请日：2016-10-11
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 帕薩瑞可 馬克辛 , PISARENCO, MAXIM , 昆塔尼哈 李察 , QUINTANILHA, RICHARD , 凡 可拉吉 馬可斯 傑拉度 馬堤司 瑪麗亞 , VAN KRAAIJ, MARKUS GERARDUS MARTINUS MARIA
IPC: G01B15/00 , G01N23/201 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70625 , G01B15/00 , G01N23/201 , G01N2223/501 , G03F7/705
Abstract: 運用例如在x射線或EUV波帶內之輻射來輻照一所關注結構，且藉由一偵測器(306)偵測散射輻射。一處理器(308)藉由模擬輻射與一結構互動且比較該經模擬互動與該經偵測輻射來計算諸如線寬(CD)之一屬性。在一數值方法中使用一分層結構模型(600、610)以表示該結構。該結構模型針對該結構之每一層定義一均質背景電容率且針對至少一個層定義一非均質對比度電容率。該方法將馬克士威方程式用於波恩近似中，藉此該對比度電容率與總場之一乘積係藉由該對比度電容率與背景場之一乘積近似。一計算複雜度相比於已知方法縮減若干數量級。
Abstract in simplified Chinese: 运用例如在x射线或EUV波带内之辐射来辐照一所关注结构，且借由一侦测器(306)侦测散射辐射。一处理器(308)借由仿真辐射与一结构交互且比较该经仿真交互与该经侦测辐射来计算诸如线宽(CD)之一属性。在一数值方法中使用一分层结构模型(600、610)以表示该结构。该结构模型针对该结构之每一层定义一均质背景电容率且针对至少一个层定义一非均质对比度电容率。该方法将马克士威方进程用于波恩近似中，借此该对比度电容率与总场之一乘积系借由该对比度电容率与背景场之一乘积近似。一计算复杂度相比于已知方法缩减若干数量级。
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公开(公告)号：TW201719785A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105133536
申请日：2016-10-18
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 譚 伯格 彼德 , TEN BERGE, PETER , 摩斯 艾佛哈德斯 柯奈利斯 , MOS, EVERHARDUS CORNELIS , 凡 哈倫 理查 喬哈奈 法蘭西卡斯 , VAN HAREN, RICHARD JOHANNES FRANCISCUS , 沃爾登尼爾 彼得 韓森 , WARDENIER, PETER HANZEN , 傑森 艾瑞克 , JENSEN, ERIK , 希可利 哈奇 爾金 , CEKLI, HAKKI ERGUN
CPC classification number: G03F7/70625 , G03F7/705
Abstract: 一種方法，其包括：在涉及一圖案化器件之一圖案化製程中獲得關於一圖案化誤差之資訊；判定藉由一修改裝置根據該圖案化誤差資訊修改該圖案化誤差而引入的遍及一時間段之一非線性；及由一電腦系統基於該經判定非線性而判定供該修改裝置使用之一圖案化誤差偏移。
Abstract in simplified Chinese: 一种方法，其包括：在涉及一图案化器件之一图案化制程中获得关于一图案化误差之信息；判定借由一修改设备根据该图案化误差信息修改该图案化误差而引入的遍及一时间段之一非线性；及由一电脑系统基于该经判定非线性而判定供该修改设备使用之一图案化误差偏移。
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公开(公告)号：TW201719301A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105127588
申请日：2016-08-26
Applicant: 荷蘭VU基金會 , STICHTING VU , 荷蘭阿姆斯特丹大學 , UNIVERSITEIT VAN AMSTERDAM , 物質基礎研究基金會 , STICHTING VOOR FUNDAMENTEEL ONDERZOEK DER MATERIE , ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS , 丹 伯夫 艾瑞 傑佛瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 帕迪 尼特許 , PANDEY, NITESH , 提那曼斯 派翠西斯 阿若瑟斯 約克伯 , TINNEMANS, PATRICIUS ALOYSIUS JACOBUS , 懷特 史堤芬 密卻爾 , WITTE, STEFAN MICHIEL , 艾奇瑪 卡傑德 希傑布蘭 艾德華 , EIKEMA, KJELD SIJBRAND EDUARD
CPC classification number: G03F9/7088 , G03F9/7046 , G03F9/7092
Abstract: 本發明係關於一種微影裝置，其包含：一基板台，其經建構以固持一基板；及一感測器，其經組態以感測提供至由該基板台固持之該基板上之一對準標記之一位置。該感測器包含：一輻射源，其經組態以藉由一輻射光束照明該對準標記；一偵測器，其經組態以偵測已與該對準標記相互作用後的作為一離焦光學圖案之該輻射光束；及一資料處理系統。該資料處理系統經組態以接收表示該離焦光學圖案之影像資料，及處理該影像資料以用於判定對準資訊，該處理包含將一無透鏡成像演算法應用於該離焦光學圖案。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种微影设备，其包含：一基板台，其经建构以固持一基板；及一传感器，其经组态以传感提供至由该基板台固持之该基板上之一对准标记之一位置。该传感器包含：一辐射源，其经组态以借由一辐射光束照明该对准标记；一侦测器，其经组态以侦测已与该对准标记相互作用后的作为一离焦光学图案之该辐射光束；及一数据处理系统。该数据处理系统经组态以接收表示该离焦光学图案之影像数据，及处理该影像数据以用于判定对准信息，该处理包含将一无透镜成像算法应用于该离焦光学图案。
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公开(公告)号：TWI563880B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW104107599
申请日：2010-04-07
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 派特洛 威廉N , PARTLO, WILLIAM N. , 佛門哥 伊克爾V , FOMENKOV, IGOR V.
CPC classification number: H05G2/005 , G03F7/70033 , G21K5/00 , H05G2/003 , H05G2/006
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公开(公告)号：TWI536010B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW103127678
申请日：2014-08-12
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 莫沙維特 詩為德 伊曼 , MOSSAVAT, SEYED IMAN , 克瑞馬 雨果 奧格斯提納斯 約瑟夫 , CRAMER, HUGO AUGUSTINUS JOSEPH , 谷真 威稜 珍 , GROOTJANS, WILLEM JAN , 凡 力司特 雅得安 喬漢 , VAN LEEST, ADRIAAN JOHAN
CPC classification number: G03F7/705 , G01N21/956 , G01N21/95607 , G03F7/70625 , G03F9/7092
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