公开(公告)号：TW200906708A

公开(公告)日：2009-02-16

申请号：TW097112551

申请日：2008-04-07

Applicant: 亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.

Inventor： 湯瑪斯 NUNAN, THOMAS KIERAN

IPC: B81C ,  H01L

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2201/025 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0169

Abstract: 一種用於微機電元件慣性感測器之形成厚多晶矽薄膜的方法,該方法包含於高溫環境下持續一段時間以在基材上形成第一多晶矽薄膜,至少使接近基材的部分非結晶型多晶矽薄膜進行結晶化及晶粒生長(grain growth);該方法亦包含在第一多晶矽薄膜形成一氧化層,在約1100℃或更高溫度的環境下對第一非結晶型多晶矽薄膜進行退火以生成一結晶型多晶矽薄膜,並且移除該氧化層;最終,該方法包含於高溫環境下持續一段時間以在該結晶型多晶矽薄膜的表面上形成第二非結晶型多晶矽薄膜,至少使接近該結晶型多晶矽薄膜表面的部分非結晶型多晶矽薄膜進行結晶化及晶粒生長。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于微机电组件惯性传感器之形成厚多晶硅薄膜的方法,该方法包含于高温环境下持续一段时间以在基材上形成第一多晶硅薄膜,至少使接近基材的部分非结晶型多晶硅薄膜进行结晶化及晶粒生长(grain growth);该方法亦包含在第一多晶硅薄膜形成一氧化层,在约1100℃或更高温度的环境下对第一非结晶型多晶硅薄膜进行退火以生成一结晶型多晶硅薄膜,并且移除该氧化层;最终,该方法包含于高温环境下持续一段时间以在该结晶型多晶硅薄膜的表面上形成第二非结晶型多晶硅薄膜,至少使接近该结晶型多晶硅薄膜表面的部分非结晶型多晶硅薄膜进行结晶化及晶粒生长。