公开(公告)号：EP2263972A1

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：EP09162638.2

申请日：2009-06-12

Applicant: Nivarox-FAR S.A.

Inventor： Fussinger, Alexandre

IPC: B81C99/00 ,  C25D1/00

CPC classification number: C25D1/003 ,  B81C99/0085 ,  B81C2201/032 ,  C25D1/20 ,  C25D5/022 ,  G03F7/0035 ,  Y10T29/49124

Abstract: La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une pluralité de microstructures métalliques caractérisé en ce qu 'il comprend les étapes consistant à
a) se munir d'un substrat conducteur ou d'un substrat isolant recouvert d'une couche conductrice d'amorçage.
b) appliquer sur la partie conductrice de la surface du substrat une couche de résine photosensible,
c) aplanir la surface de la couche de résine photosensible jusqu'à une épaisseur et/ou un état de surface désiré
d) irradier la couche de résine à travers un masque définissant le contour de la microstructure désirée ;
e) dissoudre les zones non polymérisées de la couche de résine photosensible pour faire apparaître par endroit la surface conductrice du substrat,
f) déposer électro-galvaniquement au moins une couche d'un métal à partir de ladite couche conductrice pour former un bloc atteignant sensiblement la surface supérieure de la résine photosensible.
g) aplanir la résine et le métal électro formé pour amener la résine et les blocs électro formés au même niveau et ainsi former des pièces ou microstructure électro formées,
h) séparer la couche de résine et le bloc électro-déposé du substrat et
i) éliminer la couche de résine photosensible de la structure obtenue à l'issu de l'étape g) pour libérer les microstructures ainsi formées.

Abstract translation: 的方法包括提供覆盖有导电底漆层的导电/绝缘性基板，在基板上表面的导电部分施加的感光性树脂层，使用切削工具在树脂层的表面整平至所需的厚度和/或表面状况， 通过照射所述树脂层的掩模限定微结构的所期望的设计，溶解在树脂层的未聚合区域在基板的导电性表面制造的地方，电沉积从导电层的金属层。 的方法包括提供覆盖有导电底漆层的导电/绝缘性基板，在基板上表面的导电部分施加的感光性树脂层，使用切削工具在树脂层的表面整平至所需的厚度和/或表面状况， 通过照射所述树脂层的掩模限定微结构的所期望的设计，溶解在树脂层的未聚合区域在基板的导电性表面制造的地方，电从导电层上沉积金属层，以形成块 到达感光性树脂层的上表面上，使用切削工具以使在相同的水平的树脂块和金属块平滑树脂和金属块，从所述基板分离所述树脂层和电沉积的嵌段，和消除在感光 用于除去所述微结构的树脂层。 该切削刀具包括用于切割硬质金属，陶瓷，金属碳化物，金属氮化物或金刚石的部分。 该金属沉积超过树脂层的高度以扩大该树脂的平的表面上，以便通过桥接件连接在一起。 该方法还包括在相反侧接头的基准侧的安装在基板上的作业板，加工所述基板的暴露侧，和除去所述工作板的端件。 微结构件经历物理或化学沉积。

公开(公告)号：EP1015669B1

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：EP98914464.7

申请日：1998-04-03

Applicant: UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA

Inventor： COHEN, Adam, L.

IPC: C25D5/02 ,  C25D5/10

CPC classification number: C25D5/10 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2201/032 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/12 ,  C25D5/22 ,  C25D17/06 ,  H01L21/2885 ,  H05K3/241 ,  Y10T428/12486 ,  Y10T428/239

Abstract: An electroplating method that includes: a) contacting a first substrate with a first article, which includes a substrate and a conformable mask disposed in a pattern on the substrate; b) electroplating a first metal from a source of metal ions onto the first substrate in a first pattern, the first pattern corresponding to the complement of the conformable mask pattern; and c) removing the first article from the first substrate, is disclosed. Electroplating articles and electroplating apparatus are also disclosed.

公开(公告)号：EP1616224A2

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：EP04729445.9

申请日：2004-04-26

Applicant: Fondation CAFI

Inventor： JACCARD, Samuel ,  MIKHAILOV, Serguei ,  MUNNIK, Frans

IPC: G03F7/20 ,  H01J37/317

CPC classification number: B81C1/00492 ,  B81C2201/032 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/201 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31735 ,  H01J2237/31755 ,  H01J2237/31774 ,  H01J2237/31796 ,  Y10S430/143

Abstract: Ion beam lithography technique wherein a higher amount of radiation energy is deposited to predetermined regions in the bulk if a suitable substrate. By selecting the radiation nature, its energy and the irradiation parameters a structure can be created in the bulk of the material leaving the surface essentially untouched.

公开(公告)号：EP0764346A4

公开(公告)日：2000-05-31

申请号：EP95912823

申请日：1995-03-07

Applicant: UNIV CALIFORNIA

Inventor： KELLER CHRISTOPHER G ,  FERRARI MAURO

IPC: H01L29/84 ,  A61K9/00 ,  A61K9/50 ,  B01D39/16 ,  B01D39/20 ,  B01D67/00 ,  B01D69/02 ,  B01D69/12 ,  B01D71/02 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  C23C16/01 ,  G03F7/00 ,  H01L49/00 ,  H01L23/64 ,  H01L27/108

CPC classification number: B81C1/00246 ,  A61K9/0024 ,  A61K9/0097 ,  B01D39/1692 ,  B01D39/20 ,  B01D67/0058 ,  B01D67/0062 ,  B01D67/0072 ,  B01D67/0083 ,  B01D69/02 ,  B01D69/12 ,  B01D71/02 ,  B01D2323/24 ,  B01D2325/04 ,  B01D2325/08 ,  B81B1/002 ,  B81B1/004 ,  B81C99/0085 ,  B81C2201/032 ,  B81C2203/0728 ,  C23C16/01 ,  G03F7/00 ,  Y10T428/131 ,  Y10T428/24149 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/24744

Abstract: The invention relates to the area of microelectromechanical systems in which electronic circuits and mechanical devices are integrated on the same silicon chip. The method taught herein allows the fabrication of thin film structures (20) in excess of 150 micrometers in height (y) using thin film deposition processes. Wafers (60, 52) may be employed as reusable molds for efficient production of such structures.

公开(公告)号：EP0607680A3

公开(公告)日：1994-12-21

申请号：EP93310107.3

申请日：1993-12-15

Applicant: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION

Inventor： Guckel, Henry ,  Christenson,Todd R. ,  Skrobis, Kenneth

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/38 ,  G03F7/039 ,  G03F7/095 ,  G03F7/16

CPC classification number: G03F7/38 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0128 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/032 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0035 ,  Y10S430/168 ,  Y10T428/31504

Abstract: In the formation of microstructures, a preformed sheet of photoresist, such as polymethylmethacrylate (PMMA), which is strain free, may be milled down before or after adherence to a substrate to a desired thickness. The photoresist is patterned by exposure through a mask to radiation, such as X-rays, and developed using a developer to remove the photoresist material which has been rendered susceptible to the developer. Micrometal structures may be formed by electroplating metal into the areas from which the photoresist has been removed. The photoresist itself may form useful microstructures, and can be removed from the substrate by utilizing a release layer between the substrate and the preformed sheet which can be removed by a remover which does not affect the photoresist. Multiple layers of patterned photoresist can be built up to allow complex three dimensional microstructures to be formed.

公开(公告)号：EP0331208A2

公开(公告)日：1989-09-06

申请号：EP89105374.6

申请日：1986-03-18

Applicant: Kernforschungszentrum Karlsruhe GmbH

Inventor： Ehrfeld, Wolfgang, Dr. ,  Hagman, Peter, Dr. ,  Maner, Asim, Dr. ,  Münchmeyer, Dietrich, Dr. ,  Becker, Erwin, Prof. Dr.

IPC: C25D1/10 ,  B01D59/18

CPC classification number: B81C99/008 ,  B81C2201/0128 ,  B81C2201/032 ,  B81C2201/034 ,  C25D1/10

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl plattenförmiger Mikrostrukturkörper aus Metall, bei dem durch wiederholtes Abformen eines die Mikrostrukturen auf­weisenden Werkzeugs mit einer elektrisch isolierenden Abform­masse Negativformen der Mikrotrukturen erzeugt werden, die galvanisch mit einem Metall aufgefüllt werden, wonach die Ne­gativformen entfernt werden, und bei dem die elektrisch iso­lierende Abformmasse mit einer elektrisch leitenden, als Elek­trode für die Galvanik dienenden Schicht verbunden wird, wobei die Dicke der elektrisch isolierenden Abformmasse der Höhe der herzustellenden Mikrostrukturen entspricht. Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der gat­tungsgemäßen Art so zu gestalten, daß der Herstellungsaufwwand verringert und damit bessere Voraussetzungen für eine Massen­herstellung geschaffen werden. Zur Lösung schlägt die vorlie­gende Erfindung vor, daß vor dem Abformen eine Schicht (31) aus der elektrisch isolierende Abformmasse mit der Schicht (3) aus elektrisch leitender Abformmasse verbunden wird, und daß das Werkzeug (31) soweit in die Schicht (31) aus der elek­trisch isolierenden Abformmasse eingedrückt wird, bis die Stirnflächen (33a) der Mikrostrukturen (33) des Werkzeugs (31) die Schicht (30) aus elektrisch leitender Abformmasse berüh­ren.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于制造多个由金属板形微观结构体，通过重复模制具有与Mikrotrukturen的电绝缘模制化合物的负形式，其中，其被流电填充有金属，随后负模具移除工具的微结构中创建，并且 其中所述电绝缘模制化合物被结合到导电的，用作用于电镀层的电极，其中所述微结构的高度的电绝缘模制化合物的厚度要生产对应。 本发明的目的来设计的一般类型的方法，使得减少Herstellungsaufwwand并创建大规模生产更好的条件。 为了解决本发明提出的是，电绝缘模制化合物与层（3）的层（31）被模制之前，连接在导电印模材料，并且所述工具（31），只要进入的层（31） 电绝缘模制化合物被按压，直到端面（33A）接触的工具（31）导电性模塑复合物的层（30）的所述微结构（33）。

公开(公告)号：US20180178393A1

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：US15577097

申请日：2016-05-19

Applicant: TTY-SÄÄTIÖ SR

Inventor： Pooya Saketi ,  Pasi Kallio

IPC: B25J13/08 ,  B25J7/00 ,  B25J15/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B25J13/082 ,  B25J7/00 ,  B25J15/00 ,  B25J15/0028 ,  B81B2201/0292 ,  B81C99/002 ,  B81C2201/032

Abstract: A micro handling device for handling micro objects and measuring forces exerted on the micro objects. The micro handling device can include a micro gripper and a micro spring configured as a force sensor connected to the micro gripper.

公开(公告)号：US20180016686A1

公开(公告)日：2018-01-18

申请号：US15640650

申请日：2017-07-03

Applicant: The Swatch Group Research and Development Ltd

Inventor： Pierry VUILLE ,  Yoann MOSTEIRO VAZQUEZ ,  Pascal GROSSENBACHER

IPC: C25D1/00 ,  C23C16/48 ,  G04D3/00

CPC classification number: C25D1/003 ,  B81C99/008 ,  B81C2201/032 ,  C23C16/48 ,  G04B19/042 ,  G04D3/0069 ,  G04D3/0074 ,  G04D3/0092

Abstract: A method for fabrication of a piece including, superposing an electrically insulating layer including a first orifice, an additional layer including a first aperture, an intermediate layer including a first hole, and a base layer surmounted by a base motif, depositing a metal layer, so that at the end of this step, the metal layer forms a shell covering electrically conductive walls of the base motif, of the first orifice, of the first aperture and of the first hole, and includes a lateral area resting on the insulating layer, dissolving the insulating layer, coating the metal or alloy layer with a volume formed by a base material of the piece, so that the volume conforms to the shapes of the metal layer.

公开(公告)号：US09284654B2

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：US12952825

申请日：2010-11-23

Applicant: Clément Saucy

Inventor： Clément Saucy

IPC: C25D1/00 ,  C25D1/20 ,  B81C99/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: C25D1/003 ,  B81B2201/035 ,  B81C99/0085 ,  B81C2201/032 ,  C25D1/20 ,  G03F7/00

Abstract: The invention relates to a process for fabricating a monolayer or multilayer metal structure in LIGA technology, in which a photoresist layer is deposited on a flat metal substrate, a photoresist mold is created by irradiation or electron or ion bombardment, a metal or alloy is electroplated in this mold, the electroformed metal structure is detached from the substrate and the photoresist is separated from this metal structure, wherein the metal substrate is used as an agent involved in the forming of at least one surface of the metal structure other than that formed by the plane surface of the substrate.

Abstract translation: 本发明涉及一种在LIGA技术中制造单层或多层金属结构的方法，其中光致抗蚀剂层沉积在平坦的金属基底上，通过照射或电子或离子轰击产生光致抗蚀剂模具，电镀金属或合金 在该模具中，电铸金属结构与基板分离，并且光致抗蚀剂与该金属结构分离，其中金属基板用作形成金属结构的至少一个表面的试剂，而不是由 基板的平面。

公开(公告)号：US09194052B2

公开(公告)日：2015-11-24

申请号：US13266229

申请日：2010-05-26

Applicant: Alexandre Fussinger

Inventor： Alexandre Fussinger

IPC: H01R9/00 ,  H05K3/00 ,  C25D1/00 ,  B81C99/00 ,  G03F7/00 ,  C25D1/20 ,  C25D5/02

CPC classification number: C25D1/003 ,  B81C99/0085 ,  B81C2201/032 ,  C25D1/20 ,  C25D5/022 ,  G03F7/0035 ,  Y10T29/49124

Abstract: A method of fabricating a plurality of metallic microstructures by LIGA process, the method including a flattening step or a levelling step of the resin layer before the step of electroforming the metallic microstructures permitting the resin layer to have a uniform thickness, which enables molds, and then finished metallic microstructures, to be made with uniform dimensional precision in the plane for the metallic microstructures of the same substrate.

Abstract translation: 一种通过LIGA工艺制造多个金属微结构的方法，所述方法包括在电铸所述树脂层具有均匀厚度的金属微结构的步骤之前的所述树脂层的平整步骤或调平步骤，所述金属微结构允许模具和 然后完成金属微观结构，在相同基底的金属微结构的平面上制成具有均匀的尺寸精度。