Abstract:
The invention relates to a method for the production of opaque quartz glass wherein a blank is made from synthetic SiO2 crystals and heated to form a blank body made of opaque quartz glass at a given vitrification temperature. A method for the production of pure, opaque quartz glass is disclosed wherein said quartz glass has a homogeneous pore distribution and a high density, a high viscosity and a lower tendency to devitrify. According to the invention, the SiO2 crystals are formed from an at least partially porous agglomerate of SiO2 primary particles (21; 31) having a specific surface (according to BET) between 1.5 m2/g and 40 m2/g with a stamping density of at least 0.8 g/cm3. SiO2 granulate (21; 31) suitable for use in performing the procedure is characterized in that it is composed of an at least partially porous agglomerate of SiO2 primary particles and has a specific surface (according to BET) between 1.5 m2/g and 40 m2/g in addition to a stamping density of at least 0.6 g/cm3.
Abstract:
An opaque silica glass article comprising a transparent portion and an opaque portion, wherein the opaque portion has an apparent density of 1.70 - 2.15 g/cm 3 and contains 5 x 10 4 - 5 x 10 6 bubbles per cm 3 , said bubbles having an average diameter of 10 - 100 µm; and the transparent portion has an apparent density of 2.19 - 2.21 g/cm 3 and the amount of bubbles having a diameter of at least 100 µm in the transparent portion is not more than 1 x 10 3 per cm 3 . The opaque silica glass article is made by a process wherein a mold is charged with a raw material for forming the opaque portion, which is a mixture comprising a silica powder with a small amount of a silicon nitride powder, and a raw material for forming the transparent portion so that the two raw materials are located in the positions corresponding to the opaque and the transparent portions, respectively, of the silica glass article to be produced; and the raw materials are heated in vacuo to be thereby vitrified.
Abstract:
첫 번째로, 불순물이 적고 천연 석영 유리와 동등 이상의 고온 점도 특성을 가지고, 고온 환경하에서도 변형하기 어려운 합성 석영 유리의 제조 방법, 특히 발포가 없고 치밀한 고내열성 합성 석영 유리의 제조 방법을 제공한다. 두 번째로, 본 발명의 제조 방법에 의하여 용이하게 얻어지는 고내열성 합성 석영 유리체, 특히 발포가 없고 치밀하며, 적외선 흡수율 및 방출율이 높고, 또 알칼리금속 확산 방지 효과가 대단히 높은 투명 또는 흑색 유리체를 제공한다. 245nm의 흡수 계수가 0.05cm -1 이상인 고내열성 석영 유리체를 제조하는 방법으로, 실리카 다공질체를 환원 처리한 후, 소성해서 치밀한 유리체로 하도록 했다. 고내열성 합성 석영 유리, 실리카 다공질체, 환원 처리, 치밀한 유리체, 발포, 고온 점도 특성, 석영 유리 지그, 투명 석영 유리, 흑색 석영 유리, 실라잔, 휘발성 규소화합물
Abstract:
본 발명은 반도체 제조에 사용되는 석영 유리의 구성요소에 관한 것으로서, 인접 표면 영역 내의 적어도 상기 구성요소는 첫 번째 도펀트와 두 번째 도펀트의 공동-도핑(co-doping)을 나타내고, 상기 두 번째 도펀트는 0.1-3% 질량퍼센트(SiO 2 와 도펀트의 전체 질량에 대한) 농도의 하나 또는 그 이상의 희토류 금속 산화물을 포함한다. 또한 에칭 효과와 함께 높은 순도와 건조 에칭 저항성을 가지며 알루미튬 옥사이드와의 공동 도핑에 의해 야기되는 단점을 피하기 위한 에칭 효과를 이용하여 반도페 제조에 사용되는 석영 유리 구성요소를 제공하는 방법에 있어서, 본 발명은 첫번째 도펀트가 질소이고 석영 유리의 준안정 하이드록실 그룹의 평균 함량이 30 질량ppm 이하인 것을 특징으로 발명을 제공한다. 반도체, 석영 유리, 도펀트, 질소 도펀트
Abstract:
An ideal quartz glass for a wafer holder for application in an etching environment is characterised both by high purity and also a high dry etching resistance. According to the invention, such a quartz glass may be achieved, whereby the quartz glass is doped with nitrogen, at least in a region near the surface, has an average content of metastable hydroxy groups of less than 30 wt. ppm, the fictive temperature is less than 1250 °C and the viscosity at a temperature of 1200 °C is at least 1013 dPas. A commercial method for production of such a quartz glass comprises the following method steps: fusion of a SiO2 raw material to give a quartz glass blank, whereby the SiO2 raw material or the quartz glass blank is subjected to a dehydration process, heating of the SiO2 raw material or the quartz glass blank to a nitriding temperature in the range between 1050 °C and 1850 °C under an atmosphere containing ammonia, a temperature treatment, by means of which the quartz glass of the quartz glass blank is brought to a fictive temperature of 1250 °C or less and a surface treatment of the quartz glass blank to give the quartz glass holder.
Abstract in simplified Chinese:本发明系关于一种由合成石英玻璃制成之光学组件,应用于氩氟准分子激光制版术,其操作波长为193nm,且具一基本上不含氧缺陷点之玻璃结构,其氢含量介于0.1×1016分子/cm3至1.0×1018分子/cm3之间,硅氢基含量低于2×1017分子/cm3,氢氧基含量介于0.1及100重量百万分比之间,其中,该玻璃结构具一低于1070℃之假想温度。若以量测波长为633nm之密实度测量为起点,使其得以可靠预测紫外线激光于操作波长操作时之密实度,则该光学组件之架构应如下所述,即以一波长为193nm及5×109脉冲数之射线照射,脉冲宽度为125ns,各脉冲之能量密度为500μJ/cm2,而且脉冲重复频率为2000Hz,用以反应激光诱生之折射系数变化,其数据以193nm之操作波长所测得之第一测量值为M193nm,而以633nm之量测波长所测得之第二测量值为M633nm,而且:M193nm/M633nm<1.7成立。