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公开(公告)号：CN102683158B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201210068392.6
申请日：2012-03-15
Applicant: 优志旺电机株式会社
Inventor： 藤泽繁树
IPC: H01J61/12
Abstract: 本发明提供一种长弧型金卤灯，具有发光管，该发光管由相对配置有一对电极的发光部以及设在该发光部的两端的封固部构成，在上述发光部和封固部之间设有缩径部，该长弧型金卤灯具有至少覆盖该缩径部的圆筒状基座，封入金属不会侵入发光管的缩径部或封固部附近而凝固、凝缩、再蒸发而消失。上述缩径部具有与上述圆筒状基座呈同心状的圆筒状部，来自缩径部的辐射光被基座发射，再次返回缩径部。
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公开(公告)号：CN105340055A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480036542.2
申请日：2014-06-17
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: H01J61/06 , H01J61/073
CPC classification number: H01J61/0737 , H01J61/0732 , H01J61/0735
Abstract: 本发明提供在发光管内的阴极中添加除了钍以外的发射体而成的放电灯，其在防止发射体自阴极过剩地蒸发而早期发生枯竭的同时，在最初点灯时也可进行稳定点灯。阴极(3)中的主体部(31)由不含钍的高熔点金属材料构成，前端部(32)由含有发射体(除了钍之外)的高熔点金属材料构成，并且在形成于所述主体部(31)及/或前端部(32)的内部的密闭空间(33)内埋设有含有较所述前端部(32)中所含的发射体更高浓度的发射体(除了钍之外)的烧结体(34)，所述烧结体(34)与所述前端部(32)抵接。
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公开(公告)号：CN105340054A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480036170.3
申请日：2014-06-17
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: H01J61/06 , H01J61/073
CPC classification number: H01J61/0737 , H01J9/04 , H01J61/0732 , H01J61/0735 , H01J61/86
Abstract: 本发明提供一种在发光管内的阴极添加除了钍以外的发射体而成的放电灯，其可以在防止发射体自阴极过度地蒸发而早期枯竭的同时，在最初点灯时也可顺利地点灯。阴极(3)中的主体部(31)由不含钍的高熔点金属材料构成，前端部(32)由含有发射体(除了钍之外)的高熔点金属材料构成，并且在形成于所述主体部(31)及/或前端部(32)内部的密闭空间(33)内埋设有含有较所述前端部(32)中所含的发射体更高浓度的发射体(除了钍之外)的烧结体(34)。
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公开(公告)号：CN102598874B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201080048670.0
申请日：2010-09-29
IPC: H05G2/00
Abstract: 本发明涉及电极系统，特别地涉及用于生成EUV辐射和/或软X射线的气体放电装置的电极系统。该电极系统包括由电极材料形成的至少两个电极(1 2)，该电极材料包含Mo或W或者Mo或W的合金以作为主要组分。该电极材料具有细晶粒结构，且细晶粒结构具有≤ 500 nm的平均尺寸的细晶粒。利用所提出的电极系统，实现了电极的高的热机械耐受性和高的热化学耐受性。因此，该电极系统可用于使用液态Sn且高温运行的已知EUV光源中。
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公开(公告)号：CN105074882A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480018747.8
申请日：2014-03-12
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B7/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明的目的在于提供一种光照射装置，能够将透光窗的光射出面与被处理物的表面之间的距离实质上设定为一定的大小，能够均匀地对被处理物进行处理。该光照射装置具备：紫外线射出灯，对配置在氧气氛下的被处理物射出真空紫外光；和透光窗，配置在被处理物与紫外线射出灯之间，透射来自紫外线射出灯的真空紫外光，透光窗经由被处理物按压用隔离件相对于被处理物以按压状态被配置，形成透光窗的光射出侧的表面与被处理物的表面之间的距离为一定大小的间隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102841197B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210109286.8
申请日：2012-04-13
Applicant: 优志旺电机株式会社
Inventor： 松本茂树
IPC: G01N33/558 , G01N21/78
CPC classification number: G01N33/48771 , G01N21/78 , G01N21/8483
Abstract: 提供一种能够以高可靠性进行例如利用免疫层析法的被检物质的检测或者其定量的分析装置以及分析方法。该分析方法通过将具有根据检体中所包含的规定的被检物质产生显色反应的反应区域的试验片中的反应区域以及背景区域至少包含在视场区域内的拍摄部，获取反应区域和背景区域分别的图像数据，通过分析部进行根据反应区域的图像数据计算上述被检物质的浓度的浓度计算处理、以及根据由拍摄部获取的背景区域的图像数据来判断背景区域的状态是否处于在上述被检物质的检测中对被检物质的每个种类设定的容许范围内的判断处理。分析装置执行上述分析方法。
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公开(公告)号：CN102821493B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210186578.1
申请日：2012-06-07
Applicant: 优志旺电机株式会社
Inventor： 小田垣徹
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种卤素加热灯单元及热处理装置，长期使用时也不会产生发光管破损，使用寿命长。热处理装置具有：隔热筐体，包围对工件进行加热的热处理空间，由隔热材料构成；筒状体，配置成插通到形成于该隔热筐体的上壁的插入孔；以及卤素加热灯，作为加热工件的热源，具有由水平部及从该水平部两端向垂直方向延伸的垂直部构成的U字状的发光管，在发光管内的至少水平部配置有灯丝，该热处理装置的特征在于，该卤素加热灯配置成使该卤素加热灯的发光管的各垂直部在该垂直部的外周面和上述筒状体的内周面之间存在间隙的状态下插通到上述筒状体内。
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公开(公告)号：CN102954374B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201210303110.6
申请日：2012-08-23
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: F21S2/00 , F21V31/00 , F21Y101/02
Abstract: 本发明提供窗构件的配设部分中可获得高防水性的光源单元，并且，提供在窗构件的配设部分中经长期仍可获得高防水性的光源单元。光源单元的特征在于，具备配置多个LED元件的LED基板的光源模组，在具有无边界部分的一体结构的筒状壳体内，以隔着窗构件放射来自构成该光源模组的LED元件的光线的方式配设；该窗构件为以在该筒状壳体的一方的开口部内封塞该一方的开口部的开口的方式被固定设置且具有透光性的窗构件；遍及该筒状壳体与该窗构件的边界整周，形成有由具有液体不透过性的敛缝材所成的环状密封部。
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公开(公告)号：CN104937731A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201480005614.7
申请日：2014-01-23
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/325
Abstract: 本发明的目的在于实现在不会发生由与活性层相邻的n型半导体层的晶格失配引起的课题的情况下确保活性层内的水平方向的电流扩展、提高发光效率的LED元件。LED元件是在支撑基板上使氮化物半导体层进行c轴生长而成的元件，其具有用n型氮化物半导体构成的第1半导体层、电流扩散层、用氮化物半导体构成的活性层、以及用p型氮化物半导体构成的第2半导体层。电流扩散层具有由InxGa1-xN(0＜x≤0.05)构成的第3半导体层与由n-Aly1Gay2Iny3N(0＜y1＜1，0＜y2＜1，0≤y3≤0.05，y1+y2+y3＝1)构成的第4半导体层的异质结，第3半导体层的膜厚为10nm以上且25nm以下。
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