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公开(公告)号：KR1020160043867A
公开(公告)日：2016-04-22
申请号：KR1020140138615
申请日：2014-10-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: A61B6/4233 , A61B6/0407 , A61B6/502 , G01T1/17 , G01T7/00
Abstract: 개시된엑스선검출기의제조방법은, 다수의전하검출부가배열된기판상에개구가마련된마스크를올려놓는단계와, 엑스선을받아전하를발생시키는광전변환물질을포함하는패이스트를개구에채우는단계와, 마스크를기판으로부터이격시켜패이스트에의하여광도전층을형성하는단계를포함한다. 개구내의패이스트의두께는개구의가장자리들중 적어도하나에인접한영역이다른영역에비하여두껍다.
Abstract translation: 一种制造X射线检测器以形成均匀的光电导层的方法包括：将具有开口的掩模放置在基板上布置电荷引导部分的步骤; 用包含接收X射线并产生电荷的光电转换材料的糊料填充开口的步骤; 以及从基板分离掩模和通过该糊形成光电导层的步骤。 在开口处的糊料的厚度中，与开口的边缘中的至少一个相邻的一个区域比其他区域厚。
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公开(公告)号：KR1020160042760A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：KR1020150127036
申请日：2015-09-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 양안크로스토크를방지할수 있는홀로그래픽디스플레이장치및 홀로그래픽디스플레이방법이개시된다. 개시된홀로그래픽디스플레이장치는, 제 1 홀로그램패턴과제 2 홀로그램패턴을형성하는공간광변조기및 광을제공하는조명부를포함하며, 입사광을제 1 홀로그램패턴과제 2 홀로그램패턴으로각각변조시켜형성된제 1 홀로그램영상과제 2 홀로그램영상이서로다른공간상의위치에형성되도록, 제 1 홀로그램패턴의제 1 위상변조값과제 2 홀로그램패턴의제 2 위상변조값이서로다르게설정된다.
Abstract translation: 公开了一种防止双目串扰的全息显示装置和全息显示方法。 所公开的全息显示装置包括：空间光学调制器，被配置为形成第一和第二全息图图形; 以及被配置为提供光的照明单元。 将第一和第二全息图图案的第一和第二相位调制值设置为彼此不同，以形成位于不同空间的第一和第二全息图像，其中通过第一和第二全息图调制入射光来形成第一和第二全息图像 模式。
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公开(公告)号：KR1020160014511A
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：KR1020150021776
申请日：2015-02-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김선일 , 모로조브,알렉산더브이. , 푸틸린,앤드레이엔. , 두바이닌,세르게이이. , 두비닌,게르만비. , 코펜킨,세르게이에스. , 보로딘,유리피. , 이홍석 , 최칠성
CPC classification number: G03H1/0408 , G03H1/0465 , G03H1/2286 , G03H1/2294 , G03H2001/0473 , G03H2001/2242 , G03H2223/16 , G03H2223/23 , G02B27/2292 , G02B2027/0107
Abstract: 홀로그래픽디스플레이를위한백라이트유닛이개시된다. 개시된백라이트유닛은적어도한 개의광원부; 적어도한 개의입력커플러; 빛을가이드하는도광판; 상기도광판의제 1 표면에위치한제 1 홀로그래픽소자; 및상기도광판의제 2 표면에위치한제 2 홀로그래픽소자를포함하며, 상기입력커플러는상기광원부로부터방출되는광선을상기도광판을통해서상기제 1 홀로그래픽소자에균일하게비추도록구성되고, 상기도광판은내부에서전반사없이상기광선을상기제 1 홀로그래픽소자에전달하도록구성되며, 상기제 1 홀로그래픽소자는상기광선을평행하게하고, 상기제 2 홀로그래픽소자로방향전환시키고, 상기제 2 홀로그래픽소자는상기광선을상기도광판의바깥으로내보낸다.
Abstract translation: 公开了一种用于全息显示器的背光单元。 所公开的背光单元包括：至少一个光源部分; 至少一个输入耦合器; 用于引导光的导光板; 位于所述导光板的第一表面上的第一全息装置; 以及位于导光板的第二表面上的第二全息装置。 输入耦合器被配置为通过导光板将从光源部分发射的光束均匀地照射到第一全息装置，并且导光板被配置为将光束传送到第一全息装置，而不会从内部全反射。 第一全息装置使得光束平行，并且将光束的方向改变为朝向第二全息装置。 并且第二全息装置将光束发射出导光板。
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公开(公告)号：KR1020160014477A
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：KR1020140096772
申请日：2014-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03H1/2294 , G03H1/2202 , G03H1/2286 , G03H2001/0212 , G03H2001/0224 , G03H2001/2236 , G03H2001/2239 , G03H2001/2242 , G03H2222/50 , G03H2225/10 , G03H2225/60
Abstract: 홀로그래피재생장치및 재생방법이개시된다. 개시된홀로그래피재생장치는, 광을출사하는백라이트유닛과, 백라이트유닛으로부터입사되는광을변조하여투과시켜투과형홀로그램영상을생성하는공간광변조기를포함하며, 백라이트유닛으로부터출사되는광의파면및 공간광변조기중 적어도하나는곡면을이루도록마련된다.
Abstract translation: 公开了一种用于产生全息术的装置和方法。 所公开的装置包括用于发射光的背光单元和调制从背光单元发射的光的空间光学调制器，透射光并产生透射型全息图。 来自光调制器和从背光单元发射的光的波前的至少一个被配置为具有弯曲表面。
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公开(公告)号：KR101552975B1
公开(公告)日：2015-09-15
申请号：KR1020090001942
申请日：2009-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , C09K13/04
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 산화물반도체및 이를포함하는박막트랜지스터에대해서개시된다. 상기산화물반도체는 In산화물에 Hf이포함되어형성된것으로이를박막트랜지스터의채널물질로적용할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150027636A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：KR1020130106307
申请日：2013-09-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H05G1/30 , G01N23/04 , G01T1/24 , G03G15/222 , H01L27/14676
Abstract: 잔류 전하 제거 방법, 이를 이용한 엑스선 영상 촬영 장치 및 방법이 개시된다. 잔류 전하 제거 방법은 엑스선 조사에 의해 광전도 물질(photoconductor) 내에 형성된 전하를 수집하기 위해, 상기 광전도 물질 내에 제1 전기장(electric field)을 형성하는 단계; 엑스선 조사가 끝난 후, 상기 광전도 물질내에 잔류하는 전하를 제거하기 위해, 상기 광전도 물질내에 상기 제1 전기장과 다른 제2 전기장을 형성하는 단계;를 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种消除残留电荷的方法，使用其的X射线摄像装置及其方法。 消除残余电荷的方法包括以下步骤：在光电导体中形成第一电场，以通过X射线照射收集在感光体中形成的电荷; 并且形成与光电导体中的第一电场不同的第二电场，以在X射线照射完成之后消除来自光电导体的剩余电荷。
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公开(公告)号：KR101438642B1
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：KR1020130133002
申请日：2013-11-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 박막 트랜지스터는 산화물 반도체 물질로 형성된 채널층, 상기 채널층 상에 서로 마주보며 위치하는 소오스 전극 및 드레인 전극, 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극의 아래에서 상기 채널층을 커버하도록 형성된 보호층, 상기 채널층에 전계를 인가하기 위한 게이트 전극, 및 상기 게이트 전극과 상기 채널층 사이에 개재된 게이트 절연층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020130129873A
公开(公告)日：2013-11-29
申请号：KR1020130133002
申请日：2013-11-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78618
Abstract: Provided are a thin film transistor and a method for manufacturing the same. The transistor consists of a channel layer made of oxide semiconductor; a source electrode and a drain electrode which are placed on the channel layer while facing each other; a protective layer to cover the channel layer while being placed below the source electrode and the drain electrode; a gate electrode to apply an electric field to the channel layer; and a gate insulation layer which is placed between the gate electrode and the channel layer.
Abstract translation: 提供一种薄膜晶体管及其制造方法。 晶体管由氧化物半导体构成的沟道层构成; 源电极和漏电极，其彼此面对地放置在沟道层上; 保护层，覆盖沟道层，同时放置在源电极和漏极之下; 栅电极，用于向沟道层施加电场; 以及栅极绝缘层，其设置在栅电极和沟道层之间。
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公开(公告)号：KR1020130110957A
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：KR1020120033339
申请日：2012-03-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01T1/24 , A61B6/00 , H01L31/115
CPC classification number: G01T1/247 , H01L27/14636 , H01L27/14676
Abstract: PURPOSE: An X-ray detecting device is provided to commonly apply power to a plurality of pixels, thereby smoothly supplying power to the X-ray detecting device regardless of the number of the pixels of the X-ray detecting device. CONSTITUTION: An X-ray detecting device includes a silicon substrate (110), a plurality of pixels (120), a control pad (140), and a power pad (130). The silicon substrate is composed of a first region (112) and a second region (114). The pixels are arranged on the first region and detect X-rays. The control pad is arranged on the second region and supplies common control signals to the pixels. The power pad is arranged on the first region and supplies power to the grouped pixels.
Abstract translation: 目的：提供一种X射线检测装置，其通常对多个像素施加电力，从而平均地向X射线检测装置供电，而与X射线检测装置的像素数无关。 构成：X射线检测装置包括硅衬底（110），多个像素（120），控制焊盘（140）和电源焊盘（130）。 硅衬底由第一区域（112）和第二区域（114）组成。 像素布置在第一区域上并检测X射线。 控制板布置在第二区域上，并向像素提供公共控制信号。 功率垫布置在第一区域上，并为分组的像素供电。
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公开(公告)号：KR101310668B1
公开(公告)日：2013-09-24
申请号：KR1020070074593
申请日：2007-07-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01P11/003 , Y10T428/24802
Abstract: 다단계 기판 식각 방법 및 이를 이용하여 제조된 테라헤르츠 발진기가 개시된다. 본 발명은 제1 기판의 어느 한 면에 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 제1 기판을 식각하여 홀을 형성하는 단계; 식각 하고자 하는 깊이와 동일한 두께를 갖는 제2 기판을 상기 제1 기판과 접합하는 단계; 상기 접합된 제2 기판 위에 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 제2 기판을 식각하여 홀을 형성하는 단계; 및 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이의 식각 선택비를 갖는 산화막을 제거하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 깊은 단차에서도 에칭 바닥면을 균일하게 할 수 있고, 가장자리의 곡률 반경을 최소화하며, 벽면의 T-shape 형상 등을 방지하여 에칭 품질을 향상시킬 수 있고, 에칭 깊이를 미리 래핑(lapping) 이나 폴리싱(polishing)을 통해 조절 가능하고, 상하판의 얼라인 키를 이용하여 정확하게 접합할 수 있으며, 멀티 레이어(multi layer) 공정이 가능하여 발진기나 증폭기 구조의 정밀도와 균일도를 얻을 수 있다.
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