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公开(公告)号：KR1019960000821A
公开(公告)日：1996-01-25
申请号：KR1019940013994
申请日：1994-06-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/46
Abstract: 본 발명은 조성식 (1-z)(Sr
1-y Cay)ToO
3-z La(Zn
1-x/2 Mg
x/2 Ti
1/2 )O
3 로 표시되고, x의 범위가 0≤x≤1.0이고, y의 범위가 0≤y≤0.99이며, z의 범위가 0.4≤z≤0.7인 고주파용 유전체 조성물을 제공한다. 이 조성물은 유전율이 33.1 내지 60.2이고, Q
x f
0 (GHz)가 25,060 내지 66,140이며, 공진 주파수의 온도 계수(TCF)의 범위가 -39.35 내지 83.60ppm/℃로서, 고주파용 유전체 세라믹스가 요구되는 통신 시스템에 적합하게 사용될 수 있다.-
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公开(公告)号：KR1019950009172B1
公开(公告)日：1995-08-16
申请号：KR1019920018192
申请日：1992-10-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H03H7/00
Abstract: The composite is of Mn2o3 of weight of 0.2 to 3 percent, in addition to a main component of (Fe2O3)x (NiO) (ZnO)w (CuO)Z.
Abstract translation: 除了（Fe 2 O 3）x（NiO）（ZnO）w（CuO）Z的主要成分外，该复合物的重量为0.2％至3％的MnO 3 3。
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公开(公告)号：KR1019950008600B1
公开(公告)日：1995-08-03
申请号：KR1019920025896
申请日：1992-12-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/40
Abstract: The dielectric material for high frequency is composed of 9.8 wt% barium oxide, 13 wt% lead oxide, 39.2 wt% titanium oxide, 36.65 wt% neodymium oxide, 0.65 wt% praseodymium oxide and 0.2-4 wt% sintering aids such as silicon dioxide, aluminum oxide, calcium oxide, calcium silicate, calcium aluminosilicate, the mixture of silicon dioxide, aluminum oxide and calcium oxide, the mixture of calcium silicate or calcium aluminosilicate, etc. The manufacturing processes comprise drying after wet mixing with a zirconia ball mill, calcination at 1,000-1,100 deg.C for 2 hrs., pressure molding with 1.5-2 ton/cm2 and sintering at 1,230-1,330 deg.C for 4 hrs.
Abstract translation: 用于高频的电介质材料由9.8重量％氧化钡，13重量％氧化铅，39.2重量％氧化钛，36.65重量％氧化钕，0.65重量％氧化镨和0.2-4重量％烧结助剂如二氧化硅组成 ，氧化铝，氧化钙，硅酸钙，硅铝酸钙，二氧化硅，氧化铝和氧化钙的混合物，硅酸钙或硅铝酸钙的混合物等。制造方法包括在与氧化锆球磨机湿混后进行干燥， 在1000-1100℃煅烧2小时，加压成型1.5-2吨/ cm2，在1,230-133℃下烧结4小时。
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公开(公告)号：KR1019940011694B1
公开(公告)日：1994-12-23
申请号：KR1019920017341
申请日：1992-09-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01F1/00
Abstract: The invention relates to ferrite materal for chip inductor. The material can be sintered at 900 deg.C and thus, Ag can be used for inner conductor. The ferrite includes Fe2O3 48.5-50 mole%, NiO 5-30 mole%, CuO 5-15 mole%, and ZnO 5.5-35.5 mole%. The ferrite is manufactured by mixing, calcining, shape-forming, and sintering the compound.
Abstract translation: 本发明涉及用于芯片电感器的铁氧体。 该材料可以在900℃烧结，因此Ag可用于内导体。 铁氧体包括Fe 2 O 3 48.5-50摩尔％，NiO 5-30摩尔％，CuO 5-15摩尔％，ZnO 5.5-35.5摩尔％。 通过混合，煅烧，成形和烧结化合物来制造铁氧体。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019940003969B1
公开(公告)日：1994-05-09
申请号：KR1019910023258
申请日：1991-12-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01G9/16
Abstract: This relates to the dielectric part of magnetic composition for the multilayer chip LC filter. The magnetic composition comprise (TiO2)100-x(CuO)x(1
Abstract translation: 这涉及用于多层芯片LC滤波器的磁性组合物的介电部分。 磁性组合物包含（TiO 2）100-x（CuO）x（1 <= x <= 5，x：重量％），SiO 2和MnO 2。 组合物的热处理温度为900-950℃，组成包括Ag电极。
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公开(公告)号：KR1019940007909A
公开(公告)日：1994-04-28
申请号：KR1019920017341
申请日：1992-09-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01F1/00
Abstract: 본 발명은 칩 인덕터의 제조용 자성체 재료에 관한 것으로 900℃이하의 온도에서 소결이 이루어짐에 따라 내부 도체로서 저가의 Ag를 사용할 수 있는 칩 인덕터 제조용 페라이트에 관한 것이다.
본 발명의 페리트 조성은 Fe
2 O
3 48.5~50.0몰%, NiO 5~30몰%, CuO 5~15몰% 및 ZnO 5.5~35.5몰%로 이루어진 조성으로서 이때 각 원료조성은 미립분말 상태를 유지한다.
본 발명은 칩 인덕터 제조용 페라이트 조성으로 Ni-Cu-Zn계 페라이트를 사용하여 900℃에서 소결이 가능함에 의하여 내부도체용 전극으로 비교한 저가의 Ag 전극사용이 가능하므로 칩 인덕터의 제조비용을 낮출 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019930011547B1
公开(公告)日：1993-12-10
申请号：KR1019910013920
申请日：1991-08-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01Q17/00
Abstract: The method for mfg. a radio wave absorber is characterized by mixing 66.1 g Fe2O3, 23.1 g ZnO, 8.8 g NiO, 0.5 g MnO2, 0.5 g Co3O4 and 1.0 g CuO, (b) drying and crushing the mixture, (c) calcinating it at 900 deg.C for 2 hr, (d) crushing and moulding it, (e) heating it to the heating rate of 2-12 deg.C/min upto 1250 deg.C for 2-6 hr, and (f) cooling it to the cooling rate of 2-12 deg.C/min to obtain a ferrite sintered body (Ni-Zn).
Abstract translation: 制造方法 其特征在于混合66.1g Fe 2 O 3，23.1g ZnO，8.8g NiO，0.5g MnO 2，0.5g Co 3 O 4和1.0g CuO，（b）干燥并粉碎该混合物，（c）在900℃煅烧。 （d）将其破碎和成型，（e）将其加热至2-12℃/分钟至1250℃的加热速率2-6小时，和（f）将其冷却至 冷却速度为2-12℃/ min，得到铁素体烧结体（Ni-Zn）。
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