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公开(公告)号:KR1020000040431A
公开(公告)日:2000-07-05
申请号:KR1019980056064
申请日:1998-12-18
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a cross wall of a plasma display panel is provided to improve the characteristics of the plasma display panel and reduce the manufacturing cost. CONSTITUTION: A layer is coated on the upper portion of a glass substrate. An electrode is printed on the upper portion of the layer. A white dielectric layer is formed on the upper front surface of the electrode and the layer. A white glass layer is formed by coating the melt glass on the upper portion of the white dielectric layer. A cross wall is formed by patterning a black glass layer and the white glass layer.
Abstract translation: 目的:提供等离子体显示面板的横壁的制造方法,以提高等离子体显示面板的特性,降低制造成本。 构成:在玻璃基板的上部涂覆一层。 电极印刷在层的上部。 在电极的上表面和层上形成白色电介质层。 通过在白介质层的上部涂覆熔融玻璃来形成白色玻璃层。 通过图案化黑色玻璃层和白色玻璃层形成横壁。
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公开(公告)号:KR1020000032339A
公开(公告)日:2000-06-15
申请号:KR1019980048764
申请日:1998-11-13
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a compartment for a plasma display panel is provided to form a thick glass membrane in a low temperature. CONSTITUTION: A method for manufacturing a compartment for a plasma display panel includes a first to a third step. In the first step, a lower support(2) is formed on an alkali glass sheet(1), a silver electrode(3) is formed on the lower support, and a glass powder is applied on the silver electrode. In the second step, a glass plate is accumulated on the glass powder, and a white back(4) and a thick glass membrane(5) is formed by sintering the glass powder and the glass plate. In the third step, a part of the thick glass membrane is selectively exposed, and the thick glass membrane is etched with a diluted acid until the white back is exposed.
Abstract translation: 目的:提供一种制造用于等离子体显示面板的室的方法,以在低温下形成厚玻璃膜。 构成:用于制造用于等离子体显示面板的隔室的方法包括第一至第三步骤。 在第一步骤中,在碱玻璃板(1)上形成下支撑体(2),在下支撑体上形成银电极(3),在银电极上涂布玻璃粉末。 在第二步骤中,在玻璃粉末上积聚玻璃板,通过烧结玻璃粉末和玻璃板形成白色背面(4)和厚玻璃膜(5)。 在第三步骤中,选择性地暴露厚玻璃膜的一部分,并用稀酸蚀刻厚玻璃膜,直到白背露出。
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公开(公告)号:KR1019960039135A
公开(公告)日:1996-11-21
申请号:KR1019960011996
申请日:1996-04-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/265
Abstract: 본 발명은 진공 상태하에, 반응성 가스를 고분자 또는 질화물 표면에 직접 불어 넣어주면서, 에너지를 가진 이온 입자를 고분자 또는 질화물 표면에 조사하여 그 표면의 접촉각을 감소시켜 고분자 또는 질화물 표면을 개질하는 방법 및 상기 방법에 의해 얻어진 질화물에 구리 박막을 성막시켜 얻어지는 구리 직접결합 질화알루미늄 재료에 관한 것이다.
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公开(公告)号:KR1019960002784B1
公开(公告)日:1996-02-26
申请号:KR1019930002083
申请日:1993-02-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05K9/00
Abstract: The electromagnetic wave absorber is produced by forming porosities in the sintered body during the sintering of ferrite magnetic material. The obtained absorber has electromagnetic wave absorption capability in wide band, since the porosity formation in the sintered body can control impedance properties of the electromagnetic wave absorber.
Abstract translation: 在铁氧体磁性材料的烧结过程中,通过在烧结体中形成孔隙来制造电磁波吸收体。 所获得的吸收体在宽带中具有电磁波吸收能力,因为烧结体中的气孔形成可以控制电磁波吸收体的阻抗特性。
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公开(公告)号:KR1019920005467B1
公开(公告)日:1992-07-04
申请号:KR1019900006327
申请日:1990-05-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A glass ceramic is composed of glass frit powder (1) and 1-10 wt.% - cordierite fine powder (2) with the average particle size of 0.01- 0.2 μm. The glass frit powder (1) contains 45-55 wt.% SiO2, 15- 25 wt.% Al2O3, 15-25 wt.% MgO, 0.4-0.5 wt.% CaO, 0.9-1.5 wt.% B2O3 and 1.4-1.5 wt.% P2O3. A weight ratio of coarse glass frit powder to fine glass frit powder is 1:1.5-2.5. The above powder is molded by pressure molding method or doctor blade molding method, and it is heated to the temperature range of 800-1000 deg.C at a rate of 180-360 deg.C/hr, maintained for 20-120 min, and cooled at a rate of 120-240 deg.C/hr.
Abstract translation: 玻璃陶瓷由玻璃粉末(1)和1-10重量%的平均粒度为0.01〜0.2μm的堇青石细粉末(2)组成。 玻璃料粉末(1)含有45-55重量%的SiO 2,15-25重量%的Al 2 O 3,15-25重量%的MgO,0.4-0.5重量%的CaO,0.9-1.5重量%的B 2 O 3和1.4〜 1.5重量%的P2O3。 粗玻璃料粉末与细玻璃料粉末的重量比为1:1.5-2.5。 上述粉末通过加压成型法或刮刀成型法成型,以180〜360℃/ hr的速度加热到800〜1000℃的温度范围,保持20〜120分钟, 并以120-240℃/ hr的速率冷却。
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公开(公告)号:KR100324620B1
公开(公告)日:2002-08-14
申请号:KR1019980056064
申请日:1998-12-18
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 고정세 격벽 제조방법에 관한 것으로, 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 고정세 격벽 제조방법은 두꺼운 격벽 제조용 유리층을 형성하기 위해 페이스트를 여러번 코팅하고 소성하여 치밀한 유리층을 형성하여, 고가의 유리기판을 사용해야 하며, 소성으로 인해 격벽이 변형되어 플라즈마 디스플레이 패널의 특성이 저하되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 소다회 유리기판의 상부에 하지층을 코팅하고, 그 하지층의 상부에 은전극을 인쇄한 후, 상기 은전극과 하지층의 상부전면에 백색 유전층을 형성하는 하부패턴 형성공정과; 상기 백색 유전층의 상부에 용융된 유리를 코팅하여 치밀한 백색유리층을 형성하는 제 1격벽용 유리층 형성공정과; 상기 백색유리층의 상부에 용융된 유리를 코팅하여 치밀한 흑색유리층을 형성하는 제 2격벽용 유리층 형성공정과; 상기 흑색유리층과 백색유리층을 패터닝하여 격벽을 형성하는 패턴형성공정으로 구성되어, 두꺼운 백색유리와 흑색유리를 각각 한 번의 용융된 유리의 코팅으로 치밀하게 형성하여 소성공정을 생략함으로써, 플라즈마 디스플레이 패널의 특성을 향상시킴과 아울러 제조비용을 절감하는 효과가 있다.
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公开(公告)号:KR100334938B1
公开(公告)日:2002-05-03
申请号:KR1020000041394
申请日:2000-07-19
Abstract: 본 발명은 고굴절율의 도전성 나노분말을 함유한 도전성 하층박막과 규산질 저반사막의 이중층 구조로 이루어지며, 인체유해파 차단과 반사에 의한 눈피로를 억제하기에 적합한 저항과 장기안정성, 투과율 및 막강도를 가진 투광성 도전막을 개시한다. 도전성 하층은 금속 나노 산화물 외에도 고굴절율과 입자간 결합력을 주는 유기 혹은 무기 졸 형성용 화합물을 함유할 수 있다. 상층은 주 성분인 규산질 화합물 외에 안정화제로서 인듐, 주석, 스트론튬, 크롬, 니켈, 은, 금, 아연등이 포함된 할로겐 화합물, 황화물 및 질산염으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 이온화합물을 함유하며, 착화제로서 β-카르보닐 계열의 아세틸아세톤, 알카놀아민 계열의 모노 에탄올 아민, 디에틸 아민으로부터 선택된 유기화합물을 포함할 수 있다.
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公开(公告)号:KR100288500B1
公开(公告)日:2001-05-02
申请号:KR1019960011996
申请日:1996-04-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/265
Abstract: PURPOSE: A surface modifying method of a nitride materials and a surface modified nitride materials are provided to increase a contact force and to decrease a contact angle of a surface of a polymer by injecting directly a reaction gas into the surface of the polymer while irradiating an ion particle having a high energy into the surface of the polymer. CONSTITUTION: A surface modifying method is performed by injecting directly a reaction gas into a surface of a polymer while irradiating an ion particle having a high energy into the surface of the polymer. The reaction gas is selected form oxygen, nitrogen, hydrogen, ammonium, CO2 or a mixed gas thereof. An injecting amount of the gas is 1¯8 ml/min. The ion particle having the high energy is argon, oxygen, air, krypton or a mixed compound thereof. The energy of the ion particle is 0.5¯2.5 keV. An irradiating amount of the ion particle is 10¬14¯5x10¬16 ions/cm¬2.
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