고인성·내저온열화 정방정 지르코니아 복합체의 제조방법
    113.
    发明授权
    고인성·내저온열화 정방정 지르코니아 복합체의 제조방법 失效
    制备四氯化锆复合材料的方法

    公开(公告)号:KR1019970001263B1

    公开(公告)日:1997-02-04

    申请号:KR1019960050644

    申请日:1996-10-31

    CPC classification number: C04B35/488

    Abstract: Method for manufacturing tetragonal zirconia polycrystal complex is provided which has high toughness without exhibiting low temperature degradation due to phase transition into monoclinic zirconia polycrystal even under exposure for log time at a low temperature range of 100 to 400 deg. C. Transitional tetragonal zirconia polycrystal produced from mixing 82 to 86 mol% of ZrO2 and 7 to 9 mol% of Y2O3, Nb2O5 and Ta2O5 respectively is mixed with not more than 60wt% of non-transitional tetragonal zirconia polycrystal having a composition of 93 to 97 mol% of ZrO2, 2 to 4 mol% of Y2O3 and 1 to 3 mol% of Nb2O5 or Ta2O5, and sintered at 1,500 deg. C or more for 2 to 10 hours, to produce the tetragonal zirconia polycrystal complex.

    Abstract translation: 提供四方晶氧化锆多晶配合物的制造方法,即使在100〜400度的低温范围内,即使在曝光时间对数时,由于相转变成单斜晶氧化锆多晶而具有高韧性而不显示低温降解。 C.将82〜86mol%的ZrO 2和7〜9mol%的Y 2 O 3,Nb 2 O 5和Ta 2 O 5分别混合的过渡四方晶氧化锆多晶与不大于60wt%的非过渡四方晶氧化锆多晶相混合,组成为93〜 ZrO2为97摩尔%,Y2O3为2〜4摩尔%,Nb2O5或Ta2O5为1〜3摩尔%,烧结温度为1500度。 ℃以上2〜10小时,生成四方晶氧化锆多晶复合体。

    고주파용 유전체 조성물
    114.
    发明授权
    고주파용 유전체 조성물 失效
    高频电介质组合物

    公开(公告)号:KR1019970001058B1

    公开(公告)日:1997-01-25

    申请号:KR1019960050580

    申请日:1996-10-31

    CPC classification number: H01B3/12 C04B35/465

    Abstract: Dielectric ceramic composition for high-frequency wave is described which has high quality coefficient(Q value) and dielectric constant, and good temperature coefficient of resonance frequency. The dielectric ceramic composition may be represented as following formula: (1-y)SrTiO3-yLa(Zn1-x/2Mgx/2Ti1/2)O3, where, x is from 0 to0.99 and y is from 0.4 to 0.9. The dielectric composition accordingto the invention has dielectric constant of 28.2 to 60.3, Qxfo(GHz) of25,050 to 71,000, and the temperature coefficient of resonance frequency(TCF) ranging from -55.5 to +83.68 ppm/deg. C, which TCF beingable to be controlled at a range of +-10ppm/deg. C depending on amountof addition of impurities, so that the ceramic composition mayeffectively be used in telecommunication system.

    Abstract translation: 描述了具有高质量系数(Q值)和介电常数以及良好的共振频率温度系数的用于高频波的介电陶瓷组合物。 电介质陶瓷组合物可以用下式表示:(1-y)SrTiO3-yLa(Zn1-x / 2Mgx / 2Ti1 / 2)O3,其中x为0〜0.99,y为0.4〜0.9。 根据本发明的电介质组合物的介电常数为28.2〜60.3,Qxfo(GHz)为25,050〜71,000,共振频率(TCF)的温度系数为-55.5〜+83.68ppm /℃。 C,哪个TCF可以控制在+ -10ppm / deg的范围。 取决于添加杂质,使得陶瓷组合物可以有效地用于电信系统中。

    고주파용 유전체 조성물
    115.
    发明授权
    고주파용 유전체 조성물 失效
    高频电介质组成

    公开(公告)号:KR1019970001057B1

    公开(公告)日:1997-01-25

    申请号:KR1019960050578

    申请日:1996-10-31

    Abstract: Dielectric ceramic composition for high-frequency wave is described which has high quality coefficient(Q value) and dielectric constant, and good temperature coefficient of resonance frequency. The dielectric ceramic composition may be represented as following formula: (1-z)(Sr1-yCay)TiO3-yLa(Zn1-x/2Mgx/2Ti1/2)O3, where, x is from0 to 1.0, y is from 0.01 to 0.99 and z is from 0.4 to 0.7. The dielectric composition according to the invention has dielectricconstant of 33.1 to 60.2, Qxfo(GHz) of 25,060 to 66,140, and the temperature coefficient of resonance frequency(TCF) ranging from -53.82to +52.32 ppm/deg. C, which TCF being able to be controlled at a rangeof +-10ppm/deg. C depending on amount of addition of impurities, so thatthe ceramic composition may effectively be used in telecommunication system.

    Abstract translation: 描述了具有高质量系数(Q值)和介电常数以及良好的共振频率温度系数的用于高频波的介电陶瓷组合物。 介电陶瓷组合物可以由下式表示:(1-z)(Sr1-yCay)TiO3-yLa(Zn1-x / 2Mgx / 2Ti1 / 2)O3,其中x为0至1.0,y为0.01至 0.99,z为0.4〜0.7。 根据本发明的电介质组合物的介电常数为33.1〜60.2,Qxfo(GHz)为25,060〜66,140,共振频率(TCF)的温度系数为-53.82〜+ 52.32ppm / deg。 C,哪个TCF能够控制在+ -10ppm / deg的范围。 C取决于杂质的添加量,使得陶瓷组合物可以有效地用于电信系统中。

    이온 클러스터 빔을 이용한 레이저 거울의 제조방법
    116.
    发明公开
    이온 클러스터 빔을 이용한 레이저 거울의 제조방법 失效
    离子束激光器的制造方法

    公开(公告)号:KR1019960016030A

    公开(公告)日:1996-05-22

    申请号:KR1019940025241

    申请日:1994-10-01

    Abstract: 본 발명은 레이저를 발생시키는 장비, 또는 레이저를 이용하는 장비에 필수적으로 장착되어야 하는 레이저 거울의 제조방법에 관한 것으로, 원자의 중착이 아닌 10
    2 ∼10
    3 개 원자들의 모임인 덩어리를 이온화시키고 고전압을 걸어 가속화시켜서 기판을 때림으로서 기판에서 퍼지는 현상이 일어나도록 함으로써 1. 고밀도 금속 박막, 2. 고 평탄성 금속 박막, 3. 기판과 금속간의 고 접착력, 4. 제조한 금속 박막과 기판간의 예리한 계면형성 등을 모두 만족하는 레이저 거울을 제작하도록 한 것이다.

    고주파용 유전체 조성물
    117.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1019960000821A

    公开(公告)日:1996-01-25

    申请号:KR1019940013994

    申请日:1994-06-21

    Abstract: 본 발명은 조성식 (1-z)(Sr
    1-y Cay)ToO
    3-z La(Zn
    1-x/2 Mg
    x/2 Ti
    1/2 )O
    3 로 표시되고, x의 범위가 0≤x≤1.0이고, y의 범위가 0≤y≤0.99이며, z의 범위가 0.4≤z≤0.7인 고주파용 유전체 조성물을 제공한다. 이 조성물은 유전율이 33.1 내지 60.2이고, Q
    x f
    0 (GHz)가 25,060 내지 66,140이며, 공진 주파수의 온도 계수(TCF)의 범위가 -39.35 내지 83.60ppm/℃로서, 고주파용 유전체 세라믹스가 요구되는 통신 시스템에 적합하게 사용될 수 있다.

    압전 세라믹-고분자 복합재료 및 그 제조방법

    公开(公告)号:KR1019950029236A

    公开(公告)日:1995-11-22

    申请号:KR1019940008358

    申请日:1994-04-20

    Abstract: 본 발명은 PZT 세라믹tm 입자를 PVdF 고분자 내에 분산시켜 복합화한 0ㅡ3연결성의 압전 복합재료 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 PZT세라믹스에 PZT와 PVdF간의 결합력증진을 위해 실란처리를 하고, 실란처리된 PZT 세라믹스 10∼60용량%와 PVdF 매트릭스의 전기전도도 향상을 위한 카본 미립자를 PVdF 고분자에 첨가하여 건식혼합한후 대량생산이 용이한 압출성형하여 50∼300㎛두께의 유연성이 있는 쉬트형 복합 재료를 제조하는 것이다. 본 발명의 쉬트형 복합재료는 유연성이 있으며, 압출성형법에 의해 제조됨으로 대량 생산이 용이하다는 이점이 있다.

    고주파용 유전체 재료
    119.
    发明授权
    고주파용 유전체 재료 失效
    电磁材料

    公开(公告)号:KR1019950008600B1

    公开(公告)日:1995-08-03

    申请号:KR1019920025896

    申请日:1992-12-28

    Abstract: The dielectric material for high frequency is composed of 9.8 wt% barium oxide, 13 wt% lead oxide, 39.2 wt% titanium oxide, 36.65 wt% neodymium oxide, 0.65 wt% praseodymium oxide and 0.2-4 wt% sintering aids such as silicon dioxide, aluminum oxide, calcium oxide, calcium silicate, calcium aluminosilicate, the mixture of silicon dioxide, aluminum oxide and calcium oxide, the mixture of calcium silicate or calcium aluminosilicate, etc. The manufacturing processes comprise drying after wet mixing with a zirconia ball mill, calcination at 1,000-1,100 deg.C for 2 hrs., pressure molding with 1.5-2 ton/cm2 and sintering at 1,230-1,330 deg.C for 4 hrs.

    Abstract translation: 用于高频的电介质材料由9.8重量%氧化钡,13重量%氧化铅,39.2重量%氧化钛,36.65重量%氧化钕,0.65重量%氧化镨和0.2-4重量%烧结助剂如二氧化硅组成 ,氧化铝,氧化钙,硅酸钙,硅铝酸钙,二氧化硅,氧化铝和氧化钙的混合物,硅酸钙或硅铝酸钙的混合物等。制造方法包括在与氧化锆球磨机湿混后进行干燥, 在1000-1100℃煅烧2小时,加压成型1.5-2吨/ cm2,在1,230-133℃下烧结4小时。

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