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公开(公告)号：KR1020090102354A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：KR1020080027741
申请日：2008-03-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11B7/24073 , G11B7/243
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24065 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/259 , G11B7/266 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2432
Abstract: PURPOSE: An optical recording medium having a super-resolution structure for improvement of reproduction stability and low band noise characteristic are provided to prevent degradation of reproduction characteristic resulting from the diffusion of gas which forms a bubble recording mark. CONSTITUTION: An optical recording medium having a super-resolution structure comprises a plurality of layers formed on the top of a substrate, including a recorded layer(308) and a super-resolution layer(318). The recorded layer contains a material whose decomposition temperature is higher than regeneration temperature and does not form a bubble recording mark in recording. The super-resolution layer is composed of chalcogenide semiconductor material containing one or more selected from nitrogen(N), oxygen(O), carbon(C) and boron(B).
Abstract translation: 目的：提供具有用于提高再现稳定性和低频带噪声特性的超分辨率结构的光记录介质，以防止由形成气泡记录标记的气体的扩散引起的再现特性的劣化。 构成：具有超分辨率结构的光学记录介质包括形成在衬底的顶部上的多个层，包括记录层（308）和超分辨率层（318）。 记录层包含分解温度高于再生温度并且在记录中不形成气泡记录标记的材料。 超分辨率层由含有选自氮（N），氧（O），碳（C）和硼（B））中的一种或多种的硫族化物半导体材料组成。
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公开(公告)号：KR100852756B1
公开(公告)日：2008-08-18
申请号：KR1020070026186
申请日：2007-03-16
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02F1/35 , G02B5/20 , G02F1/3517 , G02F1/3551
Abstract: A nonlinear optical material and an optical device are provided to achieve a transmissive operation at a near infrared communication wavelength band, to increase an entire interaction length, and to improve nonlinear phase shift by increasing a size of an electric field applied into a metal layer. A transparent layer(2) receives circularly-polarized pump beams and transmits pump beams of a near infrared communication wavelength band. A metal-transparent layer multilayered structure receives each movement amount of the pump beams transmitting the transparent layer, and arranges a spin direction of free electrons to be parallel to a progress direction of light. In the metal-transparent layer multilayered structure, metal layers(1) for forming a vector magnetic field are alternatively arranged.
Abstract translation: 提供非线性光学材料和光学装置以实现近红外通信波长带的透射操作，以增加整个相互作用长度，并且通过增加施加到金属层中的电场的尺寸来改善非线性相移。 透明层（2）接收圆偏振的泵浦光束并透射近红外通信波长带的泵浦光束。 金属透明层多层结构接收透射透明层的泵浦光束的每个运动量，并且将自由电子的自旋方向排列成与光的行进方向平行。 在金属透明层多层结构中，交替布置用于形成矢量磁场的金属层（1）。
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公开(公告)号：KR1020080051061A
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：KR1020070122771
申请日：2007-11-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11B7/2433 , G11B7/253
CPC classification number: G11B7/24 , G02F1/3523 , G11B7/252 , Y10T428/21 , Y10T428/26
Abstract: A super-resolution material and a high density optical information storage medium using the same are provided to include at least one selected from a group consisting of a semiconductor material, nitrogen, oxygen, carbon, and boron. A super-resolution material for playing and recording optical information includes more than one selected from a group consisting of a semiconductor material by which light is absorbed in a wavelength range of incident light so that light transmission is increased according to heat, nitrogen, oxygen, carbon, and boron.
Abstract translation: 提供超分辨率材料和使用其的高分辨率光学信息存储介质以包括从由半导体材料，氮，氧，碳和硼组成的组中选择的至少一种。 用于播放和记录光学信息的超分辨率材料包括多个选自由在入射光的波长范围内吸收光的半导体材料组成的组，以使得透光率根据热，氮，氧， 碳和硼。
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公开(公告)号：KR100699072B1
公开(公告)日：2007-03-27
申请号：KR1020050070480
申请日：2005-08-02
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 열적 안정성 및 화학적 안정성이 우수한 산화아연계 투명 도전막에 관한 것으로서,
본 발명에 따른 산화아연계 투명 도전막은 결정질 산화아연계 박막과, 상기 산화아연계 박막의 상부 또는 하부면 중 적어도 한 면 이상에 적층된 산화주석계 비정질 보호막을 포함하여 이루어지며, 상기 산화주석계 비정질 보호막은 산화아연(ZnO), 산화인듐(In
2 O
3 ), 산화카드뮴(CdO) 중 적어도 하나 이상이 산화주석(SnO
2 )과 혼합된 혼합물로 구성되고, 산화주석계 비정질 보호막 내에서 전체 금속 성분 중 상기 주석의 원자비율은 50∼90 at% 이다.
투명전극, 산화아연, 산화주석, 비정질Abstract translation: 本发明涉及具有优异的热稳定性和化学稳定性的氧化锌基透明导电膜，
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公开(公告)号：KR1020070016203A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：KR1020050070480
申请日：2005-08-02
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B32B18/00 , B32B2307/202 , B32B2307/412
Abstract: 본 발명은 열적 안정성 및 화학적 안정성이 우수한 산화아연계 투명 도전막에 관한 것으로서,
본 발명에 따른 산화아연계 투명 도전막은 결정질 산화아연계 박막과, 상기 산화아연계 박막의 상부 또는 하부면 중 적어도 한 면 이상에 적층된 산화주석계 비정질 보호막을 포함하여 이루어지며, 상기 산화주석계 비정질 보호막은 산화아연(ZnO), 산화인듐(In
2 O
3 ), 산화카드뮴(CdO) 중 적어도 하나 이상이 산화주석(SnO
2 )과 혼합된 혼합물로 구성되고, 산화주석계 비정질 보호막 내에서 전체 금속 성분 중 상기 주석의 원자비율은 50∼90 at% 이다.
투명전극, 산화아연, 산화주석, 비정질-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100651657B1
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：KR1020050056892
申请日：2005-06-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/10
Abstract: A phase change material for a high-integrated non-volatile memory is provided to reduce writing current and heat interference between cells by reducing a melting temperature and improving a crystallization temperature and by improving a joule heating characteristic and a heat radiation characteristic of a memory material. A phase change material is a substitutional solid solution that has a congruent melting composition or eutectic melting composition having a minimum melting temperature in an equilibrium state diagram or a composition in which the composition displacement of an individual constituting element has an atomic mole fraction of plus and minus 0.15 or lower with respect to the congruent melting composition of the eutectic melting composition. The phase change material is formed by adding at least one non-metal element to a base material whose melting temperature is not higher than 600 deg.C such that the non-metal element is selected from B, C, N and O. The base material has Sb-Te binary alloy as a main component and is a solid solution to which at least one element selected from Ge, Ag, In and Ga is added.
Abstract translation: 提供用于高集成度非易失性存储器的相变材料以通过降低熔化温度和改善结晶温度并通过改善存储材料的焦耳加热特性和热辐射特性来减小单元之间的写入电流和热干扰 。 相变材料是具有在平衡状态图中具有最小熔化温度的一致熔融组成或共晶熔融组成的组合物置换固体溶液，或者其中组成元素的组成置换具有正的原子摩尔分数的组合物和 相对于共晶熔融组合物的一致熔融组成，减少0.15或更低。 所述相变材料通过向熔化温度不高于600℃的基材添加至少一种非金属元素而形成，使得所述非金属元素选自B，C，N和O.所述基材 材料具有Sb-Te二元合金作为主要成分，并且是添加了选自Ge，Ag，In和Ga中的至少一种元素的固溶体。
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公开(公告)号：KR100583436B1
公开(公告)日：2006-05-26
申请号：KR1020030080725
申请日：2003-11-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02F1/3517 , G02B2006/12142 , G02B2006/12145 , G02B2006/12147 , G02F1/3521
Abstract: 본 발명은 거대 3차 비선형 광학 현상에 따르는 비선형 굴절률을 이용하는 도파로형 광소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 도파로형 광소자는 신호빔이 전파되는 신호빔 도파로와, 펌프빔이 전파되는 펌프빔 도파로로 구성되며, 상기 펌프빔 도파로는 상기 펌프빔이 상기 신호빔 도파로에 커플링이 일어날 수 있도록 근접 배치되고, 상기 신호빔 도파로와 상기 펌프빔 도파로는 이종의 재료로 구성되고, 그리고 상기 신호빔과 상기 펌프빔은 서로 다른 파장 영역을 갖는다.
이러한 구성에 따라, 신호빔 도파로에 펌프빔이 커플링되어 신호빔이 지나가는 도파로 상에서 3차 비선형 현상을 유발시킴으로써, 광소자로서 작동이 되도록 하는 전광(all-optical) 통신 소자의 구현을 가능하게 하며, 소자의 집적화가 가능한 도파로형 광소자를 제공한다.
3차 비선형 광학, 전광 통신, 도파로, 나노 복합체 재료, 광소자-
公开(公告)号：KR100525354B1
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：KR1020030007541
申请日：2003-02-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11B7/26
Abstract: 본 발명은 비휘발성 상변화 메모리 재료의 특성 평가 방법에 관한 것으로서, 두 개의 전극 및 상변화 메모리 재료가 코팅된 메모리 영역을 포함하는 상변화 메모리소자에, 전기적 에너지 인가수단으로부터 펄스 형태의 전기적 에너지를 인가하면서 인가된 전기적 에너지에 의한 상기 메모리 재료의 상변화 특성을 상기 에너지 인가 수단과 동기화된 광학적 수단을 이용하여 실시간으로 측정하는 본 발명의 방법은, 상변화 메모리소자의 기록, 소거 및 재생과 관련한 상변화 요구특성의 제어, 향상을 위한 메모리 재료 및 소자구조의 설계를 위한 효율적인 도구로 사용될 수 있다.
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公开(公告)号：KR100480443B1
公开(公告)日：2005-04-07
申请号：KR1020030002770
申请日：2003-01-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F1/355
Abstract: 본 발명은 반도체 미세입자들이 광학적으로 투명한 기지상내에 분산된 복합체형 3차 비선형 광학재료에 있어서, 양자구속효과에 의해 최대 비선형특성이 발현되는 파장이 분산된 반도체 입자의 크기에 크게 의존하는 현상을 이용하여, 반도체 입자를 최소 2가지 이상의 구별되는 크기를 갖도록 기지상에 교대로 분산시킴으로써, 단일 종류의 반도체 재료를 사용하면서도 2 가지 이상의 다중파장에서 양자구속효과에 의한 거대 3차 비선형광학특성을 나타내는 분산 복합체형 다중파장 반응 비선형 광학재료 및 그의 제조 방법을 제공한다. 단일 종류의 분산 반도체 재료를 사용하므로 제조 공정이 단순하여짐은 물론 3차 비선형 특성이 크게 나타나는 파장을 다중으로 설계할 수 있어 다중 파장 신호처리를 위한 전광 통신용 광소자의 구현을 가능하게 한다.
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公开(公告)号：KR100406442B1
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：KR1020010026976
申请日：2001-05-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01B1/08
Abstract: PURPOSE: Provided is a multi-layer structured transparent conductive film excellent in light permeability and conductivity, which can be used as a transparent electrode of a flat-plate display such as TFT-LCD, PDP, FED, ELD, OELD and can be used for shielding electromagnetic waves. CONSTITUTION: The multi-layer structured transparent conductive film comprises transparent films and metal films formed on a substrate by turns, wherein the transparent film is made of at least one selected from a dielectric material, an oxide material, or a polymer material capable of transmitting light in a visible ray range and the metal film is at least one selected from the group consisting of Ag, Au, Cu, Pd, Pt, Ni, Al, Y, La, Mg, Ca, Li, K, Na, Cr, and etc. and the thickness of the metal film is 5-50nm.
Abstract translation: 用途：提供一种透光性和导电性优良的多层结构透明导电膜，可用作TFT-LCD，PDP，FED，ELD，OELD等平板显示器的透明电极，并可用于 用于屏蔽电磁波。 构成：多层结构的透明导电膜包括在基板上交替形成的透明膜和金属膜，其中透明膜由选自电介质材料，氧化物材料或能够透射 可见光范围内的光，并且金属膜是选自Ag，Au，Cu，Pd，Pt，Ni，Al，Y，La，Mg，Ca，Li，K，Na，Cr， 等，金属膜的厚度为5-50nm。
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