公开(公告)号：KR1019980030120A

公开(公告)日：1998-07-25

申请号：KR1019960049492

申请日：1996-10-29

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김정수 ,  안주헌 ,  이상민 ,  오광룡 ,  김홍만

IPC: H01L21/465

公开(公告)号：KR1019980021301A

公开(公告)日：1998-06-25

申请号：KR1019960040113

申请日：1996-09-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이승원 ,  남은수 ,  김홍만

IPC: H01S3/10

Abstract: 본 발명은 광변조기 집적소자 제조 방법에 관한 것으로, 특히 분포 피드백 레이저와 전계 흡수형(electro-absorption) 광변조기 사이에 결함없이 버트커플링(Butt-coupling)하기 위해 광변조기 성장층 전에 InP 버퍼층을 성장시켜 그 위에 성장되는 변형 보상(strain compensated) InGaAsP/InGaAsP 다층 양자우물 구조층의 결정 결함을 제거할 수 있도록 한 광변조기 집적소자 제조 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100127973B1

公开(公告)日：1997-10-28

申请号：KR1019930027625

申请日：1993-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박종대 ,  박기성 ,  오광룡 ,  오대곤 ,  김홍만

IPC: G02B6/26

公开(公告)号：KR1019970054999A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950053685

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김형문 ,  주흥로 ,  김홍만 ,  편광의

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 제1도전형의 반도체 기판 상에 제1도전형의 제1클래드층, 불순물이 도핑되지 않거나 불순물이 도핑된 활성층과 제2도저형의 제2클래드층을 순차적으로 형성하는 1차 결정성장공정과; 상기 제2클래드층 상부의 소정 부분에 절연층을 길게 형성하는 공정과, 상기 절연층을 식각 마스크로 이용하여 상기 제2클래드층, 활성층, 제1클래드층 및 반도체 기판을 이방성으로 식각하여 메사를 형성하는 1차 식각공정과; 상기 메사의 측면을 등방성으로 식각하는 2차 식각공정과; 상기 2차 식각된 단면 프로파일의 표면에 반절연성의 전류차단층을 형성하는 2차 결정성장공정과; 상기 절연층을 제거하고 상기 제2클래드층 및 전류차단층의 상부에 제2도전형의 제3클래드층과 제2도전형의 오믹접촉층을 순차적으로 형성하는 3차 결정성장 공정과; 상기 반도체 기판과 제3클래드층의 표면에 제1 및 제2전극을 형성하는 공정을 구비한다.
따라서, 1차 식각된 메사를 등방성으로 2차 식각하여 폭을 절연층의 폭보다 좁게하므로 활성층의 폭도 좁아지게 되어 두개 이상의 다모드의 발진을 방지하여 단일 모드로 발진시키고, 또한, 전류전단층을 높은 비저항을 갖는 반절연성으로 형성하므로 누설 전류의 흐름을 방지하고 기생 캐패시턴스를 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970054556A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950050518

申请日：1995-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주관종 ,  이상환 ,  송민규 ,  김홍만

IPC: H01L31/12

Abstract: 본 발명은 실리콘 기판상의 V-홈을 이용한 수동정렬 방법으로 광소자와 광섬유간에 광결합을 이루고자 기판을 제작할 때, V-홈 형성이후의 제반 공정에서 V-홈의 존재로 인해 야기되는 포토레지스트도포의 난이성을 해소하기 위한 드라이필림을 이용한 광결합장치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 수동정렬용 기판 제작시 V-홈 형성 이후의 사진전사공정에서 스핀코팅방법으로 포토레지스트를 도포함에 앞서서 기판위에 드라이필림을 1차 라미네이트(laminate)하여 V-홈에 의한 기판표면의 굴곡을 줄임으로써 포토레지스트의 균일한 도포를 가능하게하는 것을 특징으로 하여 수행된다.

公开(公告)号：KR1019970032982A

公开(公告)日：1997-07-22

申请号：KR1019950049263

申请日：1995-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김정수 ,  이승원 ,  주흥로 ,  김홍만

IPC: B01D53/34

Abstract: 본 발명은 유기금속기상에피택시 장치의 배기가스 정화시스템에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 다량의 포스핀을 사용하는 유기금속기상에피택시 장치에서 배출되는 독성가스를 효과적으로 정화할 수 있는 동시에 진공펌프에서 발생되는 오일미스트에 의한 독성가스의 제독능력의 하락을 방지할 수 있는 배기가스 정화시스템에 관한 것이다.
본 발명의 유기금속기상에피택시 장치의 배기가스 정화시스템은, 반응실을 진공으로 유지하기 위한 로타리 배인펌프(101)와, 전기한 로타리 배인펌프(101)의 후단에 형성되어 반응실로부터 배출된 PH
3 의 분해산물인 포스포러스를 흡착시켜 오일미스트 필터(103)의 막힘을 방지하며 오일미스트를 흡착시키기 위한 주 활성탄 스크러버(102)와, 전기한 주 활성탄 스크러버(102)의 후단에 형성되어 전기한 주 활성탄 스크러버(102)에서 흡착되지 못한 오일미스트를 흡착 및 응축시키기 위한 오일미스트 필터(103)와, 오일미스트 필터(103)의 후단에 형성되어 전기한 오일미스트 필터(103)에 응축된 펌프오일로부터 발생하는 독성가스를 제독하기 위한 보조 활성탄 스크러버(104)를 포함한다.

公开(公告)号：KR1019970031122A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950041335

申请日：1995-11-14

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오대곤 ,  주흥로 ,  김홍만 ,  편광의

IPC: H01S5/30

公开(公告)号：KR100115788B1

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019930029080

申请日：1993-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박기성 ,  김홍만

IPC: H01S5/20

公开(公告)号：KR1019960014732B1

公开(公告)日：1996-10-19

申请号：KR1019920025018

申请日：1992-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  유지범 ,  박경현 ,  김홍만 ,  장동훈 ,  이중기

IPC: H01S5/20

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2081

Abstract: an active layer(32) of a strained quantum well structure and a waveguide layer(33) formed on an InP substrate(31); a p-electrode metal stripe(38) having a width of "r" formed on a ridge comprising a cladding layer(34) and an ohmic contact layer(35); and a dielectric material(39) having an ohmic contact window stripe of "w" where, "w" is smaller than "r", and a p-side bonding pad metal(40) formed on the p-electrode metal stripe(38) in sequence.

Abstract translation: 应变量子阱结构的有源层（32）和形成在InP衬底（31）上的波导层（33）; 在包括覆层（34）和欧姆接触层（35）的脊上形成宽度“r”的p电极金属条（38）; 以及电介质材料（39），其中“w”小于“r”的欧姆接触窗条“w”，以及形成在p电极金属条（38）上的p侧接合焊盘金属 ） 按顺序。

公开(公告)号：KR1019960006752B1

公开(公告)日：1996-05-23

申请号：KR1019920024463

申请日：1992-12-16

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  이중기 ,  박경현 ,  김홍만

IPC: H01L33/00

Abstract: The integrated optical source of an optical converter includes a first conductivity type first isolation layer(2) formed on a semiconductor substrate(1), a first undoped multi-quantum well layer(3) having an energy gap narrower than that of the first isolation layer(2), formed on the first isolation layer(2), a first conductivity type second isolation layer(4) formed of the same material as the first isolation layer(2) on the first multi-quantum well layer(3), a second undoped multi-quantum well layer(5) having an energy gap narrower than that of the first multi-quantum well layer(3), formed on the second isolation region(4), a first conductivity type third isolation layer(6) formed on the second multi-quantum well layer(5), a second conductivity type clad layer(9) having an energy gap wider than those of the first, second and third isolation layers(2,4,6), formed on the third isolation layer(6), a heavily doped second conductivity type cap layer(10) formed on the clad layer(9), first and second electrodes(12) formed on a semiconductor laser region and optical converter region on the cap layer(10) and a common electrode(13) formed on the bottom of the substrate(1).

Abstract translation: 光转换器的集成光源包括形成在半导体衬底（1）上的第一导电类型的第一隔离层（2），具有比第一隔离窄的能隙的第一未掺杂多量子阱层（3） 形成在第一隔离层（2）上的由第一多量子阱层（3）与第一隔离层（2）相同的材料形成的第一导电类型的第二隔离层（4） 形成在第二隔离区域（4）上的具有比第一多量子阱层（3）的能隙窄的能隙的第二未掺杂多量子阱层（5），第一导电型第三隔离层（6） 形成在所述第二多量子阱层（5）上的第二导电型覆盖层（9），其具有比所述第一，第二和第三隔离层（2,4,6）的间隙宽的能隙， 隔离层（6），首先形成在覆盖层（9）上的重掺杂的第二导电型覆盖层（10） 以及形成在半导体激光器区域上的第二电极（12）和在盖层（10）上的光转换器区域和形成在基板（1）的底部上的公共电极（13）。