公开(公告)号：KR100331684B1

公开(公告)日：2002-04-09

申请号：KR1019990036332

申请日：1999-08-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강승구 ,  이희태 ,  주홍로 ,  주관종 ,  송민규

IPC: G02B6/00

Abstract: 1. 청구범위에기재된발명이속하는기술분야본 발명은광통신시스템에서사용되는광원모듈에관한것으로, 특히광원의중심파장이정확하고일정하게유지될수 있도록하는파장안정화기가내장된광원모듈에관한것임. 2. 발명이해결하고자하는기술적과제본 발명은파장안정화기를내장한광원모듈을제공하는데그 목적이있음. 3. 발명의해결방법의요지본 발명은광통신시스템에사용되는광원모듈에있어서, 회절격자의분산에의해파장이변함에따라, 한소자는광 전류가증가하고, 다른한 소자는광 전류가감소하도록서로대칭구조로구성되어검출된광 전류값을비교하여파장을일정하게유지하기위한파장안정화수단을포함함. 4. 발명의중요한용도본 발명은광통신시스템등에이용됨.

公开(公告)号：KR100317130B1

公开(公告)日：2001-12-22

申请号：KR1019990040422

申请日：1999-09-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김종덕 ,  주관종 ,  이상환 ,  황남 ,  송민규

IPC: H04B10/40

Abstract: 본발명은광가입자망에서송수신이동시에가능한양방향송수신모듈에관한것이다. 이러한양방향송수신모듈은송수신집적칩과, 광섬유와, 실리콘벤치로구성된다. 상기송수신집적칩은, 상기레이저광원의앞에집적되어상기레이저광원에서방출되는송신광의모드크기를변환하는광모드변환수단과, 상기광모드변환수단의위에집적되어상기광모드변환수단을통해도파되는송신광의일부를검출하여송신광을모니터링하는모니터광검출수단, 및상기모니터광검출수단의위에집적되어상기광섬유를통해입사되는수신광을검출하는상기수신광검출수단을포함하고; 상기실리콘벤치는, 기판과, 상기기판에형성되어상기수신광을상기수신광검출소자에게반사하는 U자홈, 상기 U자홈의한쪽끝부분의상기기판에중복형성된 V자홈, 및상기 U자홈과 V자홈 사이에형성되어상기광섬유나 V자홈에서반사된송신광을차단하는반사차단벽을포함하며; 상기광섬유는, 상기송수신집적칩과대면한단부가경사절두원추형으로형성되어, 상기광섬유의코어부분만기울기각을가지도록형성된다.

公开(公告)号：KR1020010028259A

公开(公告)日：2001-04-06

申请号：KR1019990040422

申请日：1999-09-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김종덕 ,  주관종 ,  이상환 ,  황남 ,  송민규

IPC: H04B10/40

CPC classification number: G02B6/4246 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/4243 ,  H01S5/02252 ,  H04B10/40

Abstract: PURPOSE: A bidirectional transceiver module for an optical subscriber line is provided to have an integrated transceiver chip, a silicon bench, and an optical fiber, so as to perform a transceiving using two different wavelengths and using a single wavelength as well. CONSTITUTION: An integrated transceiver chip(100) comprises as follows. A spot size converter(120) is integrated in front of an LD(Laser Diode)(110), and converts a mode size of a transmitting light released from the LD(110). A monitor photodiode(130) is integrated into the spot size converter(120), and detects portions of a transmission light waveguided through the spot size converter(120), then monitors the transmission light. A detector photodiode(140) is integrated on the monitor photodiode(130), and detects a receiving light incident through an optical fiber(300). A silicon bench(200) comprises as follows. A 'U'-shaped groove(201) formed on a substrate reflects the receiving light on the detector photodiode(140). A 'V'-shaped groove(202) is overlapped on one end of the substrate with the 'U'-shaped groove(201). A reflection interception wall(203) formed between the 'U'-shaped groove(201) and the 'V'-shaped groove(202) intercepts the transmission light reflected from the optical fiber(300) or the 'V'-shaped groove(202). An end of the optical fiber(300) is faced with the integrated transceiver chip(100), and formed with a slope truncation conic shape, to make a core part of the optical fiber(300) have a slope angle.

Abstract translation: 目的：提供用于光用户线路的双向收发器模块，以具有集成收发器芯片，硅台架和光纤，以便使用两个不同波长执行收发，并使用单个波长。 构成：集成收发器芯片（100）包括如下。 光点尺寸转换器（120）集成在LD（激光二极管）（110）的前面，并且转换从LD（110）释放的透射光的模式尺寸。 监视器光电二极管（130）被集成到光斑尺寸转换器（120）中，并且检测通过光斑尺寸转换器（120）波导的透射光的部分，然后监视透射光。 检测器光电二极管（140）集成在监视器光电二极管（130）上，并检测通过光纤（300）入射的接收光。 硅台（200）包括如下。 形成在基板上的'U'形槽（201）反射检测器光电二极管（140）上的接收光。 “V”形槽（202）与“U”型槽（201）重叠在基板的一端。 形成在U形槽（201）与V形槽（202）之间的反射截取壁（203）截取从光纤（300）反射的透射光或“V”形槽 （202）。 光纤（300）的端部面向集成收发芯片（100），并且形成为斜截头锥形，以使光纤（300）的核心部分具有倾斜角。

公开(公告)号：KR100277695B1

公开(公告)日：2001-02-01

申请号：KR1019980037714

申请日：1998-09-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이상환 ,  주관종 ,  황남 ,  송민규

IPC: H01L31/00 ,  H01L27/12

Abstract: 본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 광도파로(optical waveguide), 발광소자(light emitting device) 및 수광소자(light receiving device)와 같은 광소자(optical device), 그리고 광섬유 등이 동일한 기판에 실장되는 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법에 관한 것이며, SOI 광도파로의 리브 영역과 광소자용의 정렬 마크 그리고 광섬유 정렬용 V-홈 패턴 사이의 사진전사 정렬 오차를 최소화하며, 다른 부분에 나쁜 영향을 미치지 않으면서 SOI 광도파로의 단면에 최적화된 반사방지막을 구비한 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법을 제공하고자 한다. 본 발명은 SOI 광도파로의 리브 영역과 광소자용의 정렬 마크 그리고 광섬유 정렬용 V-홈 패턴을 자기정렬 방식으로 형성하여 그들 사이의 사진전사 정렬 오차를 최소화한다. 즉, 광소자의 정렬방법으로 기계적인 구조물을 사용치 않고 마크에 의한 인덱스 정렬을 이용할 수 있도록 기판을 형성함으로써 정밀한 광소자의 가공이 필요치 않고 광섬유 정렬용의 V-홈과 SOI 광도파로 그리고 광소자 정렬용의 마크들 간의 정렬정밀도가 우수하여 높은 광결합 효율을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명은 SOI 광도파로와 광섬유 및 광소자 정렬용 구조체를 제조하는 과정에서 다른 부분에 나쁜 영향을 미치지 않으면서 SOI 광도파로의 단면에 특성이 우수한 반사방지막을 도포할 수 있도록 한다.

公开(公告)号：KR100175444B1

公开(公告)日：1999-04-01

申请号：KR1019950052686

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이상환 ,  주관종 ,  송민규 ,  김홍만

IPC: H01L21/312

Abstract: 본 발명은 반도체웨이퍼상에 깊이가 수 내지 수백 미크론에 이르는 깊은 홈이나 분지 형태의 패턴이 있을 경우에 스핀코팅에 의한 균일한 포토레지스트의 도포가 어려운 문제점을 해소하는데 그 목적이 있는 것으로, 깊은 홈이나 분지를 형성하기 위한 식각 패턴을 형성한 단계에서 식각패턴 위에 내부식성 물질로 이루어진 다리 형태의 뚜껑을 먼저 형성시키고 다리 측면과 상판에 형성된 적은 틈새를 통하여 깊은 홈이라 분지를 에칭하여, 에칭 이후에 다리가 홈이나 분지를 덮고 있게 함으로써 깊은 홈이나 분지로 인한 포토레지스트의 도포 작업시 포토레지스트의 불균일한 도포와 가장자리에서의 벗겨짐 현상 등을 제거하는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR100138844B1

公开(公告)日：1998-06-01

申请号：KR1019940028808

申请日：1994-11-03

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 한학수 ,  김동구 ,  박성수 ,  주관종

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 본 발명은 반도체 패키지 방법에 관한 것으로, 특히 3층 포토레지스트(Photoresist)를 이용하여 플립칩 본딩(Filp-Chip Bonding)용 솔더범프(Solder Bump)를 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명 상기의 목적을 달성하기 위해, 기판절연용 실리콘 질화막과 댑핑용 실리콘 질화막이 형성된 실리콘 기판에 칩이 본딩될 부분의 솔더범프 형성을 위한 공정으로서 증착될 금속의 크기를 조절하기 위한 1차 네가티브(Negative) 포토레지스트와 리프트 오프(Lift off)를 위한 전면 노광된 2차 포지티브(Positive) 포토레지스트와, 그리고 또한 증착면의 크기를 조절하기 위한 3차 포지티브(Positive) 포토레지스트로 구성되어며, 솔더범프 형성시 용이한 리프트 오프(Lift off)를 위한 3층으로 형된 30㎛ 이상의 두께운 후막 공정으로 솔더범프를 형성하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100116158B1

公开(公告)日：1997-06-09

申请号：KR1019930026313

申请日：1993-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김동구 ,  주관종 ,  박성수 ,  윤형진

IPC: H01L21/60

公开(公告)号：KR100115288B1

公开(公告)日：1997-05-16

申请号：KR1019930027219

申请日：1993-12-10

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김동구 ,  박성수 ,  주관종 ,  윤형진 ,  박형무

IPC: H01L23/02

公开(公告)号：KR1019960019811A

公开(公告)日：1996-06-17

申请号：KR1019940032107

申请日：1994-11-30

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 주관종 ,  이상환 ,  김홍만 ,  김동구

IPC: H01L31/00

Abstract: 본 발명은 플립칩 본딩된 광소자의 높이조절 및 열특성 향상방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 광소자를 플립칩 본딩 방법으로 정렬하여 광섬유와의 광결합을 이루고자 할 때에 솔더범프 열의 사이인 광소자의 도파로 아래쪽에 위치하는 실리콘 기판에 일정한 길이의 금속으로 된 금속지지대를 정렬하고자 하는 높이로 형성함으로써 이위에 높인 광소자의 도파로가 광섬유의 중심측과 일치하도록 높이를 정확하게 제어하고 본딩 후 광소자의 작동시 금속접촉에 의한 열통로를 제공하기 위한 광소자의 플립칩 본딩시 높이조절 및 열특성 향상방법에 관한 것이다.
특징적인 구성으로는 광소자와 광섬유 정렬용 실리콘 웨이퍼위에 절연물을 전면 증착하는 제1공정과, 상기 제1공정에서 증착된 절연물위에 포토레지스트틀 도포하여 노광 공정을 통하여 패턴을 정의한 후 실리콘 질화물은 건식 식각하여 V-홈 식각용 개구를 만드는 제2공정과, 상기 제2공정에서의 포토레지스트를 제거한 후 실리콘 질화물을 식각 방지막으로 하여 V-홈 형성용 개구에 식각공정을 실시하여 V-홈을 형성하는 제3공정과, 솔더 본딩을 위하여 솔더 접착이 가능한 금속층을 형성하기 위해 먼저 상기 제3공정에서 V-홈이 형성된 기판위에 포토레지스트를 도포하고 노광 공정을 하여 패턴을 정의한 개구를 만든 후 전면에 금속층을 증착하고 리프트-오프 공정을 이용하여 금속층 패드를 남기는 제4공정과, 전극을 가하기 위한 금속층을 실리콘 웨 퍼 전면에 얇게 증착한 후 포토레지스트를 사용하여 금속지지대 패턴을 정의하고 지지대를 형성한 후 포토레지스트를 제거하고 전극을 가하기 위한 금속층을 식각하여 금속지지대만을 남기는 제5공정과, 상기 제5공정에서의 실리콘 기판위에 상기 제4공정에서의 금속만 패드형성 공정과 동일하게 후막 포토레지스트를 도포하고 노광을 하여 솔더증착을 위한 패턴을 정의한 후 실리콘 웨이퍼의 전면에 솔더를 증착하고 아세톤 용액중에서 후막포토레지스트를 제거하여 금속층 패드위의 솔더범프를 남기는 제6공정과, 상기 제6공정에서 증착된 솔더의 조성 균일화를 위하여 질소 분위기의 오븐에서 리플로우(reflow) 공정을 하여 용융된 솔더의 표면 장력으로 인하여 솔더의 형태가 둥글도록 하는 제7공정과, 기판에 있는 솔더범프 패드 패턴에 상응하는 속층 패턴이 있는 광소자를 플립칩 본딩을 실시하는 제8공정으로 이루어짐에 있다.

公开(公告)号：KR100327106B1

公开(公告)日：2002-05-10

申请号：KR1019970064107

申请日：1997-11-28

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이상환 ,  송민규 ,  김홍만 ,  주관종 ,  박기성

IPC: H01S5/10

Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser module is provided to reduce manufacturing costs and the degree of difficulty needed for a package process by simplifying and miniaturizing an optical couple structure of a semiconductor laser and a monitor photo diode. CONSTITUTION: A semiconductor laser(1) is mounted by an active alignment manner, and a driver circuit drives the semiconductor laser. An optical system transfers an optical signal from the semiconductor laser. A monitor photo diode(2) is provided at a rear part of the semiconductor laser diode. A reflection body is disposed at a rear part of the semiconductor laser so as to be spaced apart from each other, and reflects an optical output from a wave guide(9a) of the semiconductor laser to transfer the reflected signal to the monitor photo diode.