公开(公告)号：KR1020030070163A

公开(公告)日：2003-08-29

申请号：KR1020020009177

申请日：2002-02-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  백용순 ,  김성복 ,  오광룡

IPC: H01S5/30

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/106 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/227 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/34373

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor photonic device is provided to form simultaneously two waveguides by performing a lithography process using a self-alignment method. CONSTITUTION: The first waveguide layer(302), the first clad layer(304), the second waveguide layer(306), and the second clad layer are sequentially stacked on a semiconductor substrate(300). The first hard mask is deposited on the second clad layer in order to form the first hard mask pattern. The second clad layer and the second waveguide layer are etched by using the first hard mask as an etch mask. An undoped InP layer is selectively grown on the etched part of the second clad layer and the second waveguide layer. The first hard mask pattern is removed. The second had mask pattern is formed on the resultant. The second waveguide layer and the first waveguide layer having different width are simultaneously formed by etching the undoped InP layer, the second clad layer, the second waveguide layer, the first clad layer, and the first waveguide layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体光子器件的方法，以通过使用自对准方法执行光刻工艺同时形成两个波导。 构成：第一波导层（302），第一覆盖层（304），第二波导层（306）和第二覆盖层依次层叠在半导体基板（300）上。 为了形成第一硬掩模图案，第一硬掩模沉积在第二覆盖层上。 通过使用第一硬掩模作为蚀刻掩模蚀刻第二覆盖层和第二波导层。 在第二覆盖层和第二波导层的蚀刻部分上选择性地生长未掺杂的InP层。 第一个硬掩模图案被去除。 第二个在结果上形成了掩模图案。 通过蚀刻未掺杂的InP层，第二覆盖层，第二波导层，第一覆盖层和第一波导层，同时形成具有不同宽度的第二波导层和第一波导层。

公开(公告)号：KR100378596B1

公开(公告)日：2003-03-31

申请号：KR1020000046392

申请日：2000-08-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  조호성 ,  이철욱 ,  편광의

IPC: G02F1/00

CPC classification number: G02F1/21 ,  G02F2001/212

Abstract: PURPOSE: A semiconductor optical modulator is provided to keep an interference optical path regular and to simplify the manufacturing process by forming the vertically layered structure with two optical waveguide arms in a modulator arm area. CONSTITUTION: A semiconductor optical modulator consists of an input optical waveguide area(2), a modulator arm area(3) and an output optical waveguide area(4). The input/output optical waveguide areas receive input/output optical waveguide layers(5,6) used as cores respectively. The areas are divided into upper clad layers and upper clad layers centering on the inserted optical waveguide layers. The input/output optical waveguide layers have thickness getting smaller in the forward direction of light in the input optical waveguide area and getting larger in the forward direction in the output optical waveguide area. In the modulator arm, upper/lower optical waveguide layers(7,9) are layered vertically with a p-type metal contact layer(8) having a low band gap energy in the middle. Thereby, the interference optical path is kept regular.

Abstract translation: 目的：提供半导体光学调制器以保持干涉光路规则并通过在调制器臂区域中形成具有两个光学波导臂的垂直分层结构来简化制造过程。 构成：半导体光调制器由输入光波导区域（2），调制器​​臂区域（3）和输出光波导区域（4）组成。 输入/输出光波导区域分别接收用作核心的输入/输出光波导层（5,6）。 这些区域被分成以插入的光波导层为中心的上包层和上包层。 输入输出光波导层的厚度在输入光波导区域中的光的正向方向上变小，并且在输出光波导区域中在正向上变大。 在调制器臂中，上部/下部光波导层（7,9）与中间具有低带隙能量的p型金属接触层（8）垂直层叠。 由此，干涉光路保持规则。

公开(公告)号：KR1020020013986A

公开(公告)日：2002-02-25

申请号：KR1020000046392

申请日：2000-08-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  조호성 ,  이철욱 ,  편광의

IPC: G02F1/00

CPC classification number: G02F1/21 ,  G02F2001/212

Abstract: PURPOSE: A semiconductor optical modulator is provided to keep an interference optical path regular and to simplify the manufacturing process by forming the vertically layered structure with two optical waveguide arms in a modulator arm area. CONSTITUTION: A semiconductor optical modulator consists of an input optical waveguide area(2), a modulator arm area(3) and an output optical waveguide area(4). The input/output optical waveguide areas receive input/output optical waveguide layers(5,6) used as cores respectively. The areas are divided into upper clad layers and upper clad layers centering on the inserted optical waveguide layers. The input/output optical waveguide layers have thickness getting smaller in the forward direction of light in the input optical waveguide area and getting larger in the forward direction in the output optical waveguide area. In the modulator arm, upper/lower optical waveguide layers(7,9) are layered vertically with a p-type metal contact layer(8) having a low band gap energy in the middle. Thereby, the interference optical path is kept regular.

Abstract translation: 目的：提供半导体光调制器以通过在调制器臂区域中形成具有两个光波导臂的垂直分层结构来保持干涉光路规则并简化制造过程。 构成：半导体光调制器由输入光波导区域（2），调制器​​臂区域（3）和输出光波导区域（4）组成。 输入/输出光波导区域分别接收用作核心的输入/输出光波导层（5,6）。 这些区域以插入的光波导层为中心分为上覆层和上覆层。 输入/输出光波导层的厚度在输入光波导区域中的光的正向方向上变小，并且在输出光波导区域中在向前方向上变大。 在调制器臂中，上/下光波导层（7,9）在中间具有低带隙能的p型金属接触层（8）垂直分层。 由此，干涉光路保持规则。

公开(公告)号：KR1020010048105A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1019990052645

申请日：1999-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  박찬용 ,  오광룡 ,  한선규

IPC: G02B5/20

Abstract: PURPOSE: An optical filter for grating-assisted vertical coupler is provided to improve the characteristics by making the first and second waveguides vertical couplers while making it easy to arrange the waveguides and enabling a simple manufacturing process. CONSTITUTION: In the method of manufacturing the optical filter for grating-assisted vertical coupler, an n-type lnP buffer layer(22) of n-type lnP is formed on an n-type lnP board. The depth is between 0.5 and 1 micro-m. A lnGaAsP first waveguide layer is formed on the buffer layer(22). The depth is between 0.3 and 0.8 micro-m, the width is between 1 and 3 micro-m and the length is between 3 and 10 m. An n-type lnGaAsP lattice layer(25) is formed 0.1 to 0.5 micro-m above the first waveguide layer. The depth is between 0.02 and 0.2 micro-m. An n-type lnP buffer layer(24) is formed blocking gaps of lattices. P-type lnGaAsP second waveguide layers(26a-d) are formed above the buffer layer(24). Finally, on the top is formed a p-type lnP clad layer.

Abstract translation: 目的：提供用于光栅辅助垂直耦合器的滤光器，通过制造第一和第二波导垂直耦合器来提高特性，同时易于布置波导并实现简单的制造工艺。 构成：在制造用于光栅辅助垂直耦合器的滤光器的方法中，在n型lnP板上形成n型lnP的n型lnP缓冲层（22）。 深度在0.5和1微米之间。 在缓冲层（22）上形成有lnGaAsP第一波导层。 深度在0.3和0.8微米之间，宽度在1微米和3微米之间，长度在3和10微米之间。 在第一波导层上方0.1〜0.5微米处形成n型InGaAsP晶格层（25）。 深度介于0.02和0.2微米之间。 形成阻挡晶格间隙的n型lnP缓冲层（24）。 P型lnGaAsP第二波导层（26a-d）形成在缓冲层（24）的上方。 最后，顶部形成了p型lnP覆层。

公开(公告)号：KR100277719B1

公开(公告)日：2001-02-01

申请号：KR1019980054710

申请日：1998-12-12

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 이중기 ,  박경현 ,  조호성 ,  남은수 ,  장동훈

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 발진 파장 선택성 반도체 레이저소자에 관한 것으로, 본 발명은 공진기 길이방향으로 개별 p-전극과 활성층으로 구성된 4개의 영역과, 상기 4개의 영역 중 하나를 구성하며 광도파로에 연속회절격자가 형성된 구조의 제1반사영역과, 상기 4개의 영역 중 하나를 구성하며 주기성 회절격자가 형성된 구조의 제2반사영역과, 상기 4개의 영역 중 하나를 구성하며 상기 제1 및 제2반사영역 사이에 형성되는 광이득 영역과, 상기 4개의 영역 중 나머지 하나를 구성하며 상기 제1 및 제2반사영역 사이에 형성되는 위상 보정 영역을 구비하여, 발진 파장 선택성 LD는 하나의 광소자 칩에서 임의의 WDM 광파장을 출력할 수 있어 상기 기존 광원을 대체하고, 기존의 다수의 LD와 광결합기로 구성된 광원이 가지는 고가격, 구성의 복잡성을 해소한다.

公开(公告)号：KR100275520B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019980026477

申请日：1998-07-01

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  박경현 ,  이중기 ,  조호성 ,  박철순

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 방사각 조절 평면 매립형 반도체 레이저 장치에 관한 것으로, 반도체 레이저의 활성영역을 형성하기 위하여 에피 결정성장 후 방사각 조절영역의 광흡수 억제를 위한 식각 및 결정성장 없이 활성층 영역을 정의하기 위한 메사식각 공정에서 방사각 조절 광도파로를 제작함으로써 방사각 조절 광도파로를 통하여 작은 방사각을 얻어 광섬유와의 높은 광결합 효율을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR100274155B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019970037477

申请日：1997-08-06

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  박경현 ,  이중기 ,  박철순

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A high power semiconductor laser having a ridge wave guide structure and a manufacturing method thereof are provided to suppress occurrence of higher order modes during a high power operation and obtain a stable basic mode operation characteristics even at high power by reducing a change in an effective refractive index in edge portions of the semiconductor laser. CONSTITUTION: A multiple quantum well structure of a buffer layer(5), a clad layer(6), an active layer(8), a clad layer(10), and an ohmic contact layer(12) is grown on a substrate(4) by a MOCVD or other growing method. Then, a semiconductor laser having a ridge wave guide structure having a ridge portion(16) and a channel portion(17) is produced by processes of photo-resist masking, and coating an insulating layer and electrodes. After etching the ridge portion, boundary regions with the channel portion are ion-implanted with a predetermined dopant material using a photo-resist mask or an oxide-mask so as to have alleviated bandgap and effective refractive index. After masking the ion-implanted regions, new regions in the vicinity of the ion-implanted regions are ion-implanted with a new dopant material using a photo-resist mask or an oxide-mask. The ion-implantations are repeated by the number of kinds of dopant materials to be implanted. The ion-implantations are repeated with dopant materials having bandgaps different from the bandgap or with different effective refractive indices according to depth of ion-implantation and dose of dopants. The resultant structure are subjected to an annealing process to produce a high power semiconductor laser having a ridge wave guide structure.

Abstract translation: 目的：提供具有脊波导引结构的高功率半导体激光器及其制造方法，以抑制高功率操作期间的高阶模式的发生，即使在高功率下也能够通过减少高功率的变化而获得稳定的基本模式操作特性 在半导体激光器的边缘部分的有效折射率。 构成：在衬底上生长缓冲层（5），包覆层（6），有源层（8），包覆层（10）和欧姆接触层（12）的多量子阱结构（ 4）通过MOCVD或其他生长方法。 然后，通过光刻胶掩模和涂覆绝缘层和电极的工艺制造具有脊部分（16）和沟道部分（17）的脊波导构造的半导体激光器。 在蚀刻脊部之后，使用光刻胶掩模或氧化物掩模，用预定的掺杂剂材料离子注入具有沟道部分的边界区域，以便减小带隙和有效折射率。 在掩蔽离子注入区域之后，使用光致抗蚀剂掩模或氧化物掩模，用离子注入区域附近的新的掺杂剂材料离子注入离子注入区域。 通过待植入的掺杂剂材料的种类数来重复离子注入。 用离子注入深度和掺杂剂剂量的带隙不同于带隙或不同有效折射率的掺杂剂材料重复离子注入。 对所得结构进行退火处理，以制造具有脊波导构造的高功率半导体激光器。

公开(公告)号：KR100243686B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970022975

申请日：1997-06-03

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 조호성 ,  박경현 ,  이중기 ,  장동훈

IPC: H01S5/227

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 레이저 제조 분야
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 부가 공정 없이 고출력을 얻을 수 있으며, 동시에 광섬유와 광결합 효율을 증가시키기 위하여 출력광의 크기를 증가시킬 수 있는 평면 매립형 반도체 레이저 장치를 제공하고자 한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 전면으로부터 후면을 향하여 그 폭이 선형적으로 증가하는 제1 영역과, 상기 선형 영역의 끝단의 폭을 상기 후면까지 연장한 제2 영역을 포함하는 활성층을 제안 하였다.
4. 발명의 중요한 용도
광통신, 특히 광송신기에 이용됨.

公开(公告)号：KR100243659B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970015138

申请日：1997-04-23

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박경현 ,  이중기 ,  조호성 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01L31/12

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
광소자 및 그 제조 방법
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
기존의 광소자는 발광 또는 수광의 단일 기능을 가지는 개별 소자로 제조됨으로써 한 개의 소자가 하나의 기능만을 수행할 뿐 동시에 여러 기능을 함께 수행하는 것이 불가능하여 단일 기능을 가지는 기존의 광소자 여러 개로 이루어지는 광통신 단말기는 구성이 복잡하고 가격이 높은 단점이 있다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
광 신호 송신, 수신 및 검출 기능을 수행하는 개별 레이저 다이오드, 포토다이오드 및 광출력 검출을 위한 모니터 포토다이오드 광소자가 하나의 소자 내에 구성되어 광통신 단말기를 이루는 복합 기능 광소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
광소자 및 그 제조 방법에 이용됨

公开(公告)号：KR1019990084770A

公开(公告)日：1999-12-06

申请号：KR1019980016754

申请日：1998-05-11

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박경현 ,  이중기 ,  조호성 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/12

Abstract: 본 발명은 광 가입자망용 광통신 단말기에 구비되어 발광 및 수광의 기능을 하나의 광소자에서 동시에 수행하는 수직형 광 집적소자에 관한 것이다. 화합물 반도체 기판(1) 상에 서로 다른 밴드갭 에너지를 갖고, 1.3㎛ 파장의 광신호를 송신하하는 매립형 구조의 하부 활성층(하부 공진기)(3)과 이 위에 1.55㎛파장의 광신호를 수신하는 리지(ridge)형 구조의 상부 활성층(상부 공진기)(5)이 수직으로 적층된다. 그 공진기들 사이에 보조 광도파로(12)를 삽입하여서 하부 공진기의 레이저 광이 상부 공진기에서 흡수되는 것을 방지하면서 동시에, 하부 공진기로 입사한 1.55㎛파장의 광신호가 상부 공진기에 효율적으로 광결합되도록 한다. 또한, 음극인 하부 전극(10)과 상부 전극(9)이 기판 및 상부 공진기 위에 독립적으로 설치되고, 공통 양극전극(13)이 보조 광도파로(12) 위에 설치된 것이다. 이러한 본 발명은, 먼저 하부 공진기에서 1.3㎛ 파장의 레이저 발진이 일어나 광신호를 외부로 송신하며 동시에 외부에서 수직형 광소자로 입력되는 1.55㎛ 파장의 광신호는 하부 공진기에 입사한 후 1.55㎛ 파장의 광을 흡수하는 상부 공진기로 결합됨으로써 광신호 수신이 일어난다. 이와 같이 광신호 송신 및 수신 기능을 동시에 수행함으로써 광 가입자망에서 광통신 단말기를 구성하는 개별 LD 및 PD 광소자를 대체한다.